首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
以酚醛树脂预聚体(Res01)为碳源前驱体,嵌段共聚物聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯(PEO-PPO-PEO,F127)和聚二甲基硅氧烷-聚氧乙烯(PDMS-PEO)为混合模板剂,采用溶剂挥发诱导自组装(EISA)方法制备了有序介孔碳-氧化硅纳米复合材料,并进一步采用小角X射线散射(SAXS)、透射电子显微镜(TEM)和氮气吸脱附分析对所制备样品的结构和组成进行表征.结果表明,所制备的介孔碳/氧化硅纳米复合材料具有体心立方Im3m结构,其BET比表面积、总孔容和孔径分别为l410m^2/g,1.12cm^3/g和5.4nm.  相似文献   

2.
氧化多孔硅和纳米硅粒镶嵌氧化硅光致发光机制模型   总被引:5,自引:4,他引:5  
关于纳米硅/氧化硅系统的光致发光(PL)机制,有很多争议.该系统包括氧化多孔硅(PS)和用化学气相沉积、溅射或硅离子注入氧化硅等方法形成的纳米硅粒(NSP)镶嵌氧化硅.提出二种PL竞争机制:量子限制(QC)过程和量子限制-发光中心(QCLC)过程.两个过程中光激发都发生在NSP中,光发射在QC过程是发生在NSP中,而在QCLC过程是发生在与NSP相邻的氧化硅中的发光中心上.对两种过程的几率大小进行比较.哪一过程对PL起主要作用,取决于俘获截面、发光效率、发光中心密度和NSP的尺寸.对于一个有固定的俘获截面、发光效率和LC密度的纳米硅/氧化硅系统,LC密度越高,NSP尺寸越大,越有利于QCLC过程超过QC过程,反之亦然.对于固定的发光中心参数,NSP尺寸有一个临界值,当NSP的最可几尺寸大于临界值,QCLC2过程主导发光,当NSP的最可几尺寸小于临界值时,QC过程主导发光,当NSP大小接近临界值时,Qc与QCLC都要考虑在内.利用这个模型讨论了一些已报导的纳米硅/氧化硅系统PL的实验结果.  相似文献   

3.
含纳米硅粒氧化硅薄膜的光致发光和光吸收研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用磁控共溅射法制备了含纳米硅粒尺寸不同的氧化硅薄膜。对各种样品测量了光致发光谱,其发光峰住位于655—665nm。通过对样品所作的光吸收测量,确定出了样品中纳米硅粒的光学带隙,并发现光致发光峰位随光学带隙的增加有微小红移。  相似文献   

4.
分别以锗-氧化硅和碳-氧化硅复合靶作为溅射靶,采用射频磁控共溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米锗的氧化硅薄膜Ge/SiO2和含纳米碳的氧化硅薄膜C/SiO2。将各样品在氮气氛中经过600℃退火处理30min,然后,在p型硅衬底背面蒸镀铝电极,并经过合金形成良好的欧姆接触,最后,在纳米薄膜上蒸镀半透明的Au膜以形成Au/Ge/SiO2/p-Si和Au/C/SiO2/p-Si结构。当正向偏压在5-12V时,对两种结构的电致发光谱(EL)进行了测量,并对其发光机制进行了讨论。  相似文献   

5.
报道了一种简单的通过溶胶-凝胶结合氢气还原制备Ni/SiO2核壳纳米复合颗粒,然后以乙炔为碳源通过在适当温度下裂解乙炔制备碳包裹Ni/SiO2核壳纳米复合颗粒的方法.结果表明,频率直到1GHz所得样品的复合磁导率的实部μ′几乎保持不变,而虚部μ″一直保持在很小的值.本方法提供了一种有效的获得具有好的软磁性能的软磁复合物的方法,尤其是在高频范围.它的物理机制为:由于Ni核之间的非晶氧化硅壳层的绝缘作用,导致了样品的电阻增加,减少了高频阶段的涡流损耗作用,使得复合物的复合磁导率的实部μ′几乎保持不变,而虚部μ″一直保持在很小的值.抗酸性研究表明,通过表面包裹碳,Ni/SiO2核壳纳米复合颗粒的抗酸性大为提高.  相似文献   

6.
碳包覆磁性金属纳米粒子的制备及表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
以含Fe,Co的SiO2气凝胶为催化剂,采用CVD法高温气相催化裂解甲烷的方法合成了碳包覆铁钴磁性纳米粒子,并用透射电子显微镜、X射线衍射仪等对材料的形貌、相结构进行了表征,采用振动样品磁强计对其静态磁性进行了测试。结果表明,碳包覆Fe/Co磁性纳米粒子,主要呈球形和椭球形,其包覆层为20层左右的石墨层,另有少量粒子被纳米碳管包覆,位于纳米碳管顶端。其饱和磁化强度Mo和矫顽力Hc分别为146.4kA/m和3468A/m。  相似文献   

7.
对发射蓝光的多孔硅和氧化硅样品分别作了光致和光致发光激发光谱的对比研究,结果表明,当氧化温度达到1150℃时,多孔硅中的纳米硅粒完全消失,此时的光致发光激发谱与发射蓝光的氧化硅的光致发光激发谱有相似的结构和峰位。  相似文献   

8.
采用磁控共溅射法制备了含不同尺寸纳米硅晶粒的氧化硅复合薄膜.用高分辨电子透射显微镜测定了所制备样品中纳米硅粒的粒径,确定了其光学带隙和光吸收边蓝移量.对样品光吸收边蓝移量进行了理论计算,比较了理论蓝移量与实验蓝移量之间的差异,并进行了相应的理论分析.  相似文献   

9.
采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线,对其电流输运机理进行了分析.结果表明,正向偏压较小时,薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制;正向偏压较大时,薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果.这一结论与样品的EL(electroluminescence)是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致.  相似文献   

10.
溅射含纳米锗氧化硅复合薄膜的光致发光和拉曼特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用射频磁控溅射法制备了含纳米锗的氧化硅复合薄膜,在室温下对不同温度退火的样品测量了光致发光谱,其发光峰位均位于580nm,通过对样品所作的拉曼散射光谱的拟合,确定出了样品中纳米锗的尺寸,并发现纳米锗的平均尺寸随温度退火的升高在增大。  相似文献   

11.
为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率,研究了用等离子增强化学气相沉积(PECVD)的SiNx:H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜对电池性能的影响,并采用不同的工艺路线制备了不同类型的电池。实验发现:同SiNx:H比较,SiNx:H/SiO2双层光学减反射结构对晶体硅太阳电池能起到更加有效的表面钝化作用,提高了太阳电池的光电转换效率。基于界面物理,提出了一种新的能带模型,解释了用不同实验方法制作的晶体硅太阳池性能的差异。  相似文献   

12.
通过射频磁控溅射法制备了锗/氧化硅纳米多层薄膜.测量到了来自Au/锗/氧化硅纳米多层膜/p-Si结构的电致黄光发射,并发现该纳米结构具有整流特性.  相似文献   

13.
应用量子化学计算法和前线轨道理论研究了中型氧化硅簇体系的结构和反应性,并从该理论研究出发,对一种新型的可以高产量生长纳米硅线的实验技术,即氧化硅辅助生长方法的生长机制做了相应的探讨。初步得出了富含硅的氧化硅簇和类似SiO配比的氧化硅簇在纳米硅线的成核和生长中起到了重要作用。  相似文献   

14.
Silicon oxide nanowires tend to assemble into various complex morphologies through a metalcatalyzed vapor-liquid-solid (VLS) growth process. This article summarizes our recent efforts in the controlled growth of silicon oxide nanowire assemblies by using molten gallium as the catalyst and silicon wafer, SiO powder, or silane (Sill4) as the silicon sources. Silicon oxide nanowire assemblies with morphologies of carrotlike, cometlike, gourdlike, spindlelike, badmintonlike, sandwichlike, etc. were obtained. Although the morphologies of the nanowire assemblies are temperatureand silicon source-dependent, they share similar structural and compositional features: all the assemblies contain a microscale spherical liquid Ga ball and a highly aligned, closely packed amorphous silicon oxide nanowire bunch. The Ga-catalyzed silicon oxide nanowire growth reveals several interesting new nanowire growth phenomena that expand our knowledge of the conventional VLS nanowire growth mechanism.  相似文献   

15.
In this work, silicon ink composing of silicon powder and zinc oxide solution was formulated and spin-coated on quartz and n/p-Si substrates followed by drying the films under atmosphere at the temperature of 550°C. The results showed that this top-addition layer could be the highly promising layer for photo-generating carriers in third-generation photovoltaics to enhance blue-light absorption. X-ray diffraction and scanning electron microscopy techniques were used to study the presence of silicon and zinc oxide nano-crystallites. The thin films consisting of different energy bandgap of Si nanocrystals(~100 nm) with narrow bandgap and spherical Zn O:Bi nanocrystal(~20 nm) with wider bandgap could be obtained from the evidence of bandgap enlargement. The band gaps of the thin films were tunable by adjusting silicon dots density in Zn O:Bi film. Energy upshift of light absorption edge depended on the silicon dots density was observed in the range 1.6–3.3 eV related band gap enlargement by Tauc plot. Under illumination, a high photocurrent gain of the thin film comprised of low Si dots density coated on a quartz substrate was about 10~3 times higher compared with its dark current. This result is agreeably explained in terms of its lower superficial trap states at the interface between silicon and zinc oxide matrix. The composite layer can be applied to a third-generation solar cell with the efficiency 1.50% higher than that with a typical crystalline-Si solar cell.  相似文献   

16.
The catalytic effect of metal oxide/alumina whiskers(CeO_2, Mn_3O_4, NiO, Co_3O_4, Fe_2O_3, Cr_2O_3/AW) was evaluated on their ability to drive the nitridation of silicon and to generate mesoporous fibrous silicon networks.Silicon powder with different particles size along with the catalyst was nitridized at 1300 °C for 5 h in nitrogen and nitrogen diluted with 10 vol% ammonia atmospheres. Nitridation degree of silicon up to 99% was recorded using 1.5 wt% CeO_2 and Fe_2O_3 catalysts in nitrogen-ammonia atmosphere. The catalyzed samples contain submicronic silicon nitride fibres with a diameter of 400–500 nm and a length of up to few micrometers. The compressive strength of 46 ± 1 MPa was measured for silicon samples catalyzed with nickel oxide/alumina whiskers and nitridized in N_2/10 vol%NH_3 atmosphere. Porous silicon nitride networks were produced with 45–52% porosity, pore sizes in the range of 370–1200 nm and median pore in the range of 495–1655 nm.  相似文献   

17.
李爱莲  栗正新 《河南科学》2007,25(6):1044-1046
论述通过正交试验法对MgO和氯化镁摩尔比以及硅粉对菱苦土磨具强度的影响规律.在菱苦土结合剂中,活性MgO含量对制品的性能影响极大,同样,合适的卤水密度也很重要,MgCl2浓度过高时,过多的MgCl2与MgO生成复盐,磨具体积收缩产生裂纹.MgCl2浓度过小时,材料硬化不充分,强度不够.当MgO/MgCl2的摩尔比为4~6时,磨具能获得最大的强度,此时主要的微观结构是5MgO.MgCl2.8H2O.硅粉能与氯氧镁水泥中的MgO发生化学反应,形成硅酸盐凝胶,可提高磨具的致密度和强度,改善耐水性.  相似文献   

18.
本工作中,我们采用3-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)、钛酸酯偶联剂Tc-114、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷(FDTS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)对氧化硅材料进行表面改性,研究了不同改性剂及其用量对氧化硅材料表面润湿性的影响。表面润湿性采用水滴在表面的接触角(CA)来评价。通过傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、接触角测量仪对氧化硅材料表面改性的性能进行了表征,结果表明,几种改性剂均能与氧化硅表面的羟基发生反应,成功改性得到不同表面润湿性的氧化硅材料,润湿性从亲水到疏水可控,提高了氧化硅材料应用范围.  相似文献   

19.
Luminescence study from the silicon oxide films embedded nm carbon particles (CSO) and nm silicon particles (SSO) is of great importance in integrated optoelectronics[1]. The pioneering work on electroluminescence (EL) from the SSO was reported by Dimaria et al[2]. They attributed the light emission to band-band recombination of electron-hole pairs in nanosize silicon particles. This model is referred to as the quantum confinement model. In this paper,we deposit CSO and SSO films onto p-type Si substrate and study comparatively visible EL from the Au/CSO/p-Si and Au/SSO/p-Si structures.  相似文献   

20.
以磷酸、水玻璃为原料,氧化锌、氧化钙为改性剂,利用水热法合成出了新型化合物—改性磷酸硅(磷硅锌钙)。XRD物相分析证明产品为非晶态,IR光谱分析产品中磷酸根离子的局部对称性为正四面体结构,应用试验表明该产品在油漆、涂料行业中可作为防锈颜料,以取代传统的铬系、铅系有毒颜料,其防锈性能超过国标3倍。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号