紫外线对番茄青枯菌致病性变化的影响

紫外线的亚致死剂量、致死剂量对青枯雷尔氏菌作用的实验表明:亚致死剂量照射不同时间对青枯雷尔氏菌强致病力菌株有不同程度地促进作用,而无杀灭作用及任何抑制和致弱现象;致死剂量照射对强致病力菌株和无致病力菌株影响不同,结果差异极显著,无致病力菌株对紫外线的耐受力要高于强致病力菌株.致死剂量紫外线对强致病力菌株处理2min,抑制率即达100%,致弱率为0;无致病力菌株照射2min与4min的处理,抑制率分别为70.3%和96.3%,处理8min以上,抑制率达100%.     

电子和质子辐照Tc氧化物高温超导体的不同特性

用２００ＫｅＶ质子，４００ＫｅＶ和８ＭｅＶ电子分别辐照ＹＢａＣｕＯ高Ｔｃ超导材料，其影响是不同的．质子注入使零电阻温度从８６．７Ｋ提高到８９．８Ｋ，而剂量为２．２５×１０１４电子／ｃｍ２的８ＭｅＶ的电子辐照却使超导体的零电阴温度下降３Ｋ左右．当电子辐照剂量为１．３５×１０１５ｅ／ｃｍ２时，超导体变成绝缘体．用高分解电镜对４００ｋｅＶ的电子辐照分况进行实地在线研究，发现当剂量到１．０×１０２６ｅ－／ｃｍ２时，氧化物超导体中的品相出现非品化，而其原来为非品区域处处出现有序化．     

Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试

提出一种金属－半导体－金属Ｓｃｈｏｔｔｋｙ结构的粒子探测器，它用高迁移率，半缘绝的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为１．５ＭｅＶ，剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的＾６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器。     

CPI-5缓蚀剂的小鼠急性经口毒性分析

为适应油气田现场化学剂使用时QHSE发展趋势,确保油气田现场用化学助剂安全无毒无污染的性能特点,采用小白鼠毒性测试研究了现场用化学剂的毒性。通过采用灌胃的方法,研究了CPI-5缓蚀剂对小鼠的急性毒性。一次性给药后连续观察7天,检测CPI-5缓蚀剂对小鼠的急性毒性作用,包括最小致死剂量和半数致死量。实验结果表明:CPI-5缓蚀剂灌胃给小鼠的最小致死剂量约为14.9 g/kg体重,半数致死剂量约为30.45 g/kg体重,因此CPI-5缓蚀剂属于无毒或微毒的化学剂,能够适用于油气田现场推广,同时无毒无害缓蚀剂运用于现场对于改善现场操作环境和保证员工的健康具有重要的意义。     

几种冷季型草坪草辐射敏感性及其辐射育种半致死剂量的确定

几种常用的冷季型草坪草匍匐翦股颖、高羊茅、多年生黑麦草、草地早熟禾等共10个品种，用^60Coγ射线照射干种子，测定出苗率，通过对辐射剂量与出苗率的相关性分析表明，相对出苗率与剂量之间呈负相关，出苗率随辐照剂量的增加而降低，并计算出各品种的半致死剂量，由此划分草坪草品种的辐射敏感性，其中敏感型品种有1个，迟钝型有2个，中间型有7个。     

硒镓银晶体核辐射探测器的制备

报道了在室温下适宜于５．４８６ＭｅＶ的α射线的硒镓银晶体核辐射探测器的制备及其性能测试结果．１０ｍｍ×７ｍｍ×０．６ｍｍ的硒镓银晶片被磨平、抛光和清洁后，在其两面镀上电极．硒镓银探测器在室温下用２４１Ａｍ源发出的５．４８６ＭｅＶα射线进行辐射测试．结果表明，硒镓银晶体是一种有希望的室温α射线探测器新材料．     

强流中子发生器n—γ辐射场参数的测量

为满足强流中子发生器１４ＭｅＶ中子的辐照实验要求，已建立了基本配套的中子注量测量装置和两个环境剂量监测站。在样品待辐照的近靶区，测量了中子能谱、中子和γ剂量的空间分布。ｎ－γ辐射场参数的测量将为中子物理实验和加速器的安全运行提供有用数据。     

^160Gd核若干新能级的观测

通过２２ＭｅＶ质子非弹性散射实验，观测到了＾１６０Ｇｄ核的若干新能级，对激发能为２．５５８ＭｅＶ和２、６０７ＭｅＶ的两个能级，利用集体模型ＤＷＢＡ计算给出了其自、了称和变形长度。     

波荡器磁场偏差对辐射谱的影响

磁场偏差的存在，严重地影响波荡器的辐射谱．用数值模拟方法计算出场偏差对即将建造的合肥８００ＭｅＶ电子储存环波荡器基波辐射谱及三次和五次谐波辐射谱的影响，并给出了辐射强度随光学相位的变化关系，提出了要得到较好辐射强度的光学相位差的极限值．     

Top夸克，实验测量与唯象研究（Ⅱ）

本文计算了对辐射修正因子△ｒ的０（αα＿３）和０（α￣２）双圈贡献，并把包含了双圈贡献的△ｒ理论值和△ｒ的实验测定值（△ｒ）＿（ｅｘｐ）进行了机会，导出了对Ｔｏｐ夸克质量Ｍｔ的限制，然后根据几率分布计算得到了对Ｍｔ比较严格的上限限制：当Ｈｉｇｇｓ粒子质量Ｍ＿Ｈ＝１５０ＧｅＶ时，Ｍｔ＜１７７ＧｅＶ（９５％Ｃ．Ｌ）。     

一个水稻白化致死突变体abl25鉴定及其基因定位

经Co60辐照的粳稻嘉花1号得到一个新的致死白化突变体albino lethal 25(abl25),该突变体从发芽至4叶期表现为白化苗,之后逐渐死亡.与野生型嘉花1号相比,abl25突变体的叶绿素含量和类胡萝卜素的含量大大降低,叶绿体结构不正常,说明其叶绿体发育受到严重阻碍,导致植物死亡.遗传分析表明:该突变体受一对隐性核基因(abl25)控制,进一步利用abl25与广占63S杂交的F2分离群体,将该突变体基因(abl25)定位于第2染色体上SSR标记RM424与Indel分子标记ID7330之间,随后利用新开发的分子标记和扩大群体将其定位在Indel分子标记ID9111和ID9261之间的150 kb内,发现abl25是一个新的水稻苗期白化致死基因.     

以水作为慢化体的多球中子谱仪模拟与解谱研究

中子能谱的测量是核辐射探测领域的一个重要研究课题,它在整个中子辐射防护检测中具有重要地位,与中子辐射剂量关系密切.多球中子谱仪是进行中子能谱测量的常见工具,具有非常多的优势,首先操作简单方便;其次功能强大,主要表现在测量范围上,相比较于其他类似设备来说要大许多;最后在灵敏性方面十分出色.本研究分别采用水和聚乙烯作为多球中子谱仪的慢化体,使用蒙特卡罗程序Geant4,计算了10~(-9)～10~(2 )MeV能量范围中60个能量点的响应函数,并分析比较;利用Gravel少道解谱算法,对不同中子场中的水慢化体多球中子谱仪测量数据进行解谱,数据显示水可以用作慢化体在设备中使用.该研究为水用作慢化体在设备中使用提供了理论和模拟研究基础.     

14MeV快中子辐照对大鼠免疫系统的损伤

用14 MeV快中子对Wistar雄性大鼠进行5 Gy的全身照射,观察其免疫系统损伤情况及氧化应激的相关变化.大鼠分为辐射组和对照组,分别在辐射后1,7,14d 3个时间点取血液、胸腺和脾脏进行研究.结果表明,辐照后第1d,辐照组大鼠白细胞和淋巴细胞数量降至最低,照后第7、14d有所恢复,但仍不足正常组的1/2.血小板数在照后第1d开始减少,至第7d达到最低值,第14d仍与正常组有显著差异.而大鼠骨髓有核细胞总数辐照后14d明显低于正常组.另外胸腺和脾脏均出现萎缩,脏器指数明显减小.血浆、胸腺和脾脏的总抗氧化能力T-AOC、SOD酶活性及MDA值含量均有不同程度的升高趋势.说明快中子辐射影响血浆、胸腺和脾脏的抗氧化应激能力,诱导细胞凋亡或坏死,造成胸腺和脾脏的萎缩以及一系列组织形态的改变,从而严重影响大鼠的正常免疫功能.      

地-空界面上大气中子辐射场的数理模型

论述了地-空界面上天然宇宙中子流的来源；从理论上建立了描述地-空界面上大气中子辐射场的数学-物理模型。在地-空界面上大气快中子注量率与慢热中子注量率不仅与大气参数有关，而且还与地表介质的物质组成有关，尤其是地表介质的含水量有关。理论与实测结果均表明，地-空界面上天然中子流随气象的变化而变化，随地表含水量的增加而减少。     

环氧树脂基辐射防护材料研究进展

 介绍了 γ射线和中子射线的特性及屏蔽机理,阐述了具有 γ射线防护功能、中子防护功能、中子伽马混合场防护功能的环氧树脂基复合材料的研究进展,展望了环氧树脂基屏蔽材料未来的发展与挑战。     

1MeV电子加速器与辐照加工

随着辐照加工技术的快速发展,电子加速嚣及其在辐照加工中的实际应用日益受到人们的重视,本文简要介绍1 MeV/50mA电子加速器的主要性能及其在辐照加工、科学研究方面发挥的作用.     

利用MONTECARLO方法分析高能电子加速器中中子引起的感生放射性——微观分析

在高能电子加速器中，高能电子与物质相互作用产生电磁簇射，生成的高能光子与 介质发生光核反应，其后的中子、介子又引发核反应，并引发感生辐射场.本系列文章利用 Monte Carlo方法分析了高能电子加速器中中子引起的感生放射性以及对加速器周围环境的 影响，对于制定关于停机后等待时间的规定具有指导性意义.在微观上利用多步动力学模型 （Many Stage Dynamical Model，MSDM）计算了中子与不同靶材Fe、Cu、Ni的辐射损伤总截 面，然后计算了能量为10、140和700 MeV的中子与加速器相互作用所产生的放射性同位素的 分布及生成截面，并且对3种情况进行了比较和分析.     

含碳化硼的吸收和屏蔽中子辐射涂料的研究

对碳化硼（B4C）／环氧树脂涂料合成工艺进行研究,制得一种以793树脂作为固化剂的能屏蔽和吸收中子辐射的涂料．对B4C／N氧树脂涂料的成膜条件及不同含量B4C涂料的硬度、抗冲击性、附着力和柔韧性等物理机械性能进行测试研究．结果表明,含有30％B4C的环氧树脂涂料的总体机械性能最佳．在此基础上,考察了不同涂膜厚度下B4C／环氧树脂涂料的防中子辐射的性能,薄膜厚度超过300μm时,可以有效屏蔽中子射线．     

14 MeV中子照相中CCD芯片的屏蔽计算

快中子照相实验中,电荷耦合装置(CCD)是重要的成像器件。快中子辐射不仅会减少CCD的使用寿命,而且会对快中子图像带来影响,因此必须对CCD芯片进行有效的屏蔽,减少快中子辐射对芯片的损伤。该文利用MCNP/4B程序计算了14MeV中子照相中不同屏蔽材料组合条件下CCD芯片的吸收剂量。计算结果表明,在对CCD进行有效的屏蔽后,芯片的吸收剂量是屏蔽前的3%,按源中子数归一后仅为1.29 aGy,已经达到屏蔽要求。计算结果还表明,环境散射中子辐射对芯片吸收剂量贡献较小,可以忽略。     

14MeV中子防护体设计的MCNP模拟

用富氢材料防护产额为108个/s的D-T中子发生器,当富氢材料厚度大于76cm时,其中子辐射剂量低于0.025mSv/h.为降低防护体厚度,用铜和含硼聚乙烯组成的双层材料作为14 MeV中子防护体.Monte Carlo(MCNP)计算结果表明,若中子辐射剂量小于0.025mSv/h,则双层材料的最小厚度为52cm,硼的质量分数为1.00%,铜和含硼聚乙烯的厚度分别为37cm和15cm.