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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
通过微电子加工工艺,制备出具有ITO/TaO_x/AlO_x/Ti结构的双介质层阻变存储器.器件中引入的氧化铝介质层有效地减小了器件的运行电流,降低了高/低阻态间切换所需的功耗,并增大了高/低阻态电阻比值.研究表明,器件的高低态电阻与其切换电压均有良好的稳定性和均匀性,且器件表现出可靠的擦写性能与保持性能.进一步研究表明,器件高阻态导电受肖特基发射机制主导,低阻态导电受空间电荷限制机制主导.器件还具有连续可调的电阻渐变行为,利用反复电脉冲刺激下的器件电阻变化来表征突触的权值,可以模拟突触行为.  相似文献   

2.
针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOX/AlON RRAM具有低至10μA的复位(reset)电流,1 000次以上的转换特性(endurance),较低的操作电压,以及多值存储等性能.针对WOX/AlONRRAM,提出了WOX介质层的等效电路模型为固定电阻与二极管串联模型.在直流置位(DC set)过程中,电路中存在一个较大的过冲电流,使得无法通过控制限流来获得不同大小的低阻态.在增加WOX介质层后,在WOX层和AlON层间形成了界面肖特基势垒,因此有效地抵抗了过冲电流,提高了低阻态的可控性.  相似文献   

3.
为了改善阻变开关层在厚度小于10 nm下的氧化铪(HfO_x)基阻变存储器的电学性能,提高器件开关均匀性并增大器件开关比,在开关层中加入聚酰亚胺(polyimide, PI)薄层,采用光刻工艺制备Ti/AlO_x(PI)/HfO_x/Pt和Ti/HfO_x/Pt结构的阻变存储器.利用扫描电子显微镜表征分析器件的电极形貌,通过电学测试分析器件的I-V特性和稳定性,采用线性拟合和电场模拟的方法分析Ti/PI/HfO_x/Pt结构器件的阻变开关机理.结果显示,Ti/PI/HfO_x/Pt结构器件无需激活过程,其开关比高达2 000,且复位均匀性优越,数据保持时间高于10~3 s,充分展现了PI对HfO_x与Ti电极界面调控的优势.  相似文献   

4.
人工突触的开发是模拟人脑功能的关键。忆阻器由于具备独特的电阻记忆行为,在人工突触研究领域得到广泛的关注。氧化钽和氧化锌均是优良的忆阻器材料,鉴于有关ZnO/TaOx双介质忆阻器突触特性的研究较少,本文将氧化锌介质层引入Ti/TaOx/ITO忆阻器中拟改善其突触性能。研究发现,器件Ti/ZnO/TaOx/ITO在功耗和电导调制线性度方面皆有改善,并有着电阻渐变的行为,利于器件突触功能的实现及应用。为此对Ti/ZnO/TaOx/ITO双介质层器件进行了电压脉冲训练,并成功模拟了学习饱和、经验学习以及短时程记忆向长时程记忆转变等生物突触行为。  相似文献   

5.
通过构造AlO_x/WO_y双层结构实现了阻变存储器的均匀性、低功耗等特性,该器件阻变层中的AlO_x为氧空位渐变的梯度膜,从而使得形成的导电细丝更加稳定,在反复擦写过程中导电细丝断开和接上的位置基本不变,对应器件电学性能参数分布集中.采用阶梯脉冲信号结合Verify算法的方法对基于0.18μm CMOS工艺的Al/AlO_x/WO_y/W结构的阻变存储单元进行转换特性、可靠性的测试,统计结果表明:器件电学性能参数R_(on)、R_(off)和_(sct)等具有良好的均匀性,且无需高电压的初始置位过程;复位过程中复位电流小于15μA,远远小于单层器件Reset电流,很好地满足了存储器件的低功耗要求;在小电压长时间作用下,高低阻态仍保持不变,能有效地防止误擦写操作;通过高温烘烤测试,验证了器件的数据保持能力.同时,分析了WO_y薄膜在器件高低阻态转换过程中作为串联电阻降低复位电流的作用.  相似文献   

6.
阻变存储器(RRAM)因其性能优异、可高密度集成以及与CMOS工艺兼容成本较低等众多优点而被广泛研究.用于制备阻变型存储器的关键材料有很多种,其中氧化钽材料由于与标准CMOS工艺兼容而被各大研究机构广泛关注,但TaOx基RRAM存储阵列的可靠性仍存在很大问题,尤其是循环耐受特性.本文制备了4种具有优秀阻变性能的双层Ta2O5/TaOxRRAM器件,Ta2O5层厚度分别为5nm和3nm,TaOx层的x值分别为1.0和0.7.比较了这4种拥有不同器件参数的氧化钽基RRAM器件的循环耐受性能,给出了TaOx基RRAM的循环耐受性能优化方法,发现双层TaOxRRAM的富氧Ta2O5层的厚度越薄且缺氧TaOx层的缺氧程度越大,其循环耐受性能越好.  相似文献   

7.
通过精确控制在Pt衬底上制备NiOx薄膜的工艺过程,制备出阻值窗口增大5倍以上,高低阻态稳定的TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器.研究发现,NiOx薄膜的多晶态结晶结构和化学组分,尤其是Ni元素的化学态,是影响NiOx阻变存储器阻值窗口和稳定性的主要因素.X射线光电子能谱和X射线多晶体衍射测试结果表明,当NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位增多时,Ni2+会被氧化成为Ni3+以保持电中性,Ni3+离子在材料中引入空穴导致P型氧化物NiO的漏电流增大.基于此机理,提出通过提高淀积温度、降低氧气分压的方法抑制NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位的产生,降低TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器关态漏电流,增大阻值窗口.这种基于工艺的性能增强方法,在NiOx阻变存储器实际应用中有良好前景.  相似文献   

8.
阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,与传统浮栅闪存相比在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势,本文对RRAM技术进行了综述.首先简单介绍了阻变存储器的工作原理、技术优势、发展历程和面临的基础科学问题.然后深入总结了RRAM的材料体系,包括固态电解质、多元金属氧化物、二元金属氧化物3类传统的阻变介质材料,总结了纳米线、二维材料等低维纳米材料在RRAM运用方面的近期研究进展,分析了绝缘/导电的低维材料分别用作阻变介质、平面电极层/纳米电极/侧边电极、界面插层所带来的微缩性、阻变性能和稳定性等的改善效果.总结和分析了细丝型电阻转变的3类物理机制:热化学机制(Thermochemical Mechanism,TCM)、电化学金属化(Electrochemical Metallization,ECM)机制、化合价变化机制(Valence Change Mechanism,VCM),详细分析了3种机制的SET/RESET转变原理和基本电学特性、透射电镜观测关键实验验证、对阻变机制的认识发展过程等.在阻变机制分析的基础上,接着阐述了RRAM电阻转变过程中由于纳米尺度下材料微观结构和能带结构的变化导致的一些新奇的物理现象,包括量子效应、磁电效应、光电效应等.最后针对RRAM实现应用的关键——集成技术,总结分析了存储阵列架构、二维/三维集成等关键问题及其研究进展.  相似文献   

9.
随着阻变存储器高阻态和低阻态间阻值窗口的减小,电流型灵敏放大器的读正确率降低.设计了一款电压型灵敏放大器,应用在读电路中,有效地解决了这一问题.该电压型灵敏放大器电路结构简单,经SMIC0.13μm下流片验证,它的读出时间为125ns,面积仅为756μm2,功耗为41.25μW,读窗口为260mV,相比电流型灵敏放大器50mV的读窗口有了很大的改进.  相似文献   

10.
采用磁控溅射和金属剥离工艺制备了结构为p-Si/HfO2/Ti和p-Si/HfO2/Al2O3/Ti的阻变存储器。两器件均表现出双极性电阻转变特性。插入的Al2O3层使得高阻态导电机制从空间电荷限制电流导电向肖特基发射控制导电转变,器件高低阻态阻值比从~61倍提高到了惊人的2.15×10^8倍。通过限制set电流的方式实现了多值存储,器件的四个阻态都能够非常稳定地在85 ℃高温下保持10^4 s,有利于多值存储的实际应用。  相似文献   

11.
如何建立企业CAD/CAE/CAM/PDM系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
袁驰 《潍坊学院学报》2004,4(4):115-117
分析了CAD/CAE/CAM/PDM的作用和关系,介绍了常用CAD/CAE/CAM软件及选型方法,为企业建立和应用CAD/CAE/CAM/PDM提供了依据。  相似文献   

12.
POM/Ionomer/MBS共混体系研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
对 POM/EMMA-Na、POM/EMMA-Zn、POM/EMMA-Na/MBS、POM/EMMA-Zn/MBS 四种共混体系进行了研究和对比。对不同配比的共混物的物理机械性能进行了测试,并对实验结果进行了分析讨论。结果表明,EMMA-Na 和 EMMA-Zn 离聚体对聚甲醛有一定的增韧作用。  相似文献   

13.
Polylactide was blended with starch and polyethylene to get a plastic with good processabllity, mechanical behavior, and biodegradability. The dispersion of starch, melt index, mechanical behavior and biodegradability of blends with various blending ratio were studied.  相似文献   

14.
对G/M/1排队队列采用相位分析方法和矩阵几何近似方法,分别对有限缓存和无限缓存的情况进行分析,证明了排队队列在不同缓存下的排队队长分布的均衡性关系,并推导出在有限缓存情况下队列的性能指标,如缓存溢出概率、平均队长等。  相似文献   

15.
采用水相沉淀聚合法,以NaClO3-NaHSO3氧化还原体系为引发剂,对丙烯腈(AN)/醋酸乙烯酯(VAc)/甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)三元共聚进行了研究。重点考察了总单体浓度、引发剂浓度及氧化剂还原剂比例、pH值、聚合温度、聚合时间等工艺条件对聚合物转化率、固含量、相对粘均分子量的影响。通过红外分析证明了产物。  相似文献   

16.
Fe—Mg—O/γ—Al2O3对苯酚羟基化制苯二酚催化作用的研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
采用自行合成的Fe-Mg-O/ γ-AlO3催化剂,对苯酚羟基化反应进行了研究,重点考察了催化剂用量、溶剂用量、反应温度、反应时间、诱导期对反应结果的影响,探讨了铁酸镁催化剂的优点和不足。  相似文献   

17.
18.
与产品相关的谣言影响个体对于产品的判断及购买欲望,进而波及整个供应链中产品的市场需求.考虑个体的情绪和个体对谣言的判断,将经典谣言传播模型中的免疫者R细分成为蒙蔽者R_a和清醒者R_d,两种状态的个体都知道但不传播谣言,不同的是R_a受谣言蒙蔽相信谣言不购买产品,R_d作为清醒者不相信谣言,且继续购买产品.基于系统动力学构建CISR_aR_d谣言传播模型,对模型进行稳定性证明,探讨谣言攻击对产品需求的遏制情况,并在此基础上进行了数值模拟.研究表明,与产品相关的谣言严重制约产品的市场需求,商家在应对谣言攻击时所作出的正面宣传对于产品需求的恢复有其积极意义.  相似文献   

19.
AM/AA/AMPS/DMAM的反相微乳液共聚合研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以丙烯酰胺(AM)和丙烯酸(AA)为主单体,以2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸(AMPS)、N,N-二甲基丙烯酰胺(DMAM)作为功能性单体,以庚烷为分散介质,表面活性剂SF2810为乳化剂,采用反相微乳液聚合的方法合成了四元共聚物AM/AA/AMPS/DMAM.研究所得的最佳合成工艺条件为:水相中单体浓度为45%,引发剂过硫酸铵加量为单体质量的0.3%,乳化剂加量为油相质量的10%,反应温度为40℃,反应时间为5 h,单体的摩尔比为AM:AA:AMPS:DMAM=52:25:15:8.红外光谱分析证实了四元共聚物的结构.  相似文献   

20.
着重讨论了集成与 并行环境下的 C A D/ C A P P/ C A M 模式构建问题。提出了特征刀具的概念。并就基于特征刀具的建模方法进行了充分的阐述  相似文献   

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