席夫碱在金电极表面的自组装成膜

首次利用自组装技术，将带有巯基的席夫碱成功地自组装到Au电极表面，并利用循环伏安和交流阻抗电化学技术，对自组装膜的性质进行了表征，结果显示用席夫碱可以形成较致密的膜，为深入研究席夫碱中的电子传输机理，席夫碱与金属离子的络合机理，席夫碱在生物体中的活性等问题，提供了必要的理论和实验依据。     

Fe_x(In_2O_3)_(1-x)磁性颗粒膜的微结构及光学性质

用射频溅射法制备了金属／半导体Ｆｅ_ｘ（Ｉｎ_２Ｏ_３）_(１－ｘ)颗粒膜。实验结果表明：纳米尺度的Ｆｅ颗粒比较均匀地分布在非晶态母体Ｉｎ_２Ｏ_３中。该样品在室温下表现出超顺磁弛豫，符合Ｌａｎｇｅｖｉｎ方程。光学测量表明：嵌Ｆ３的磁性颗粒膜，其电子的带间跃迁由Ｉｎ_２Ｏ_３的直接跃迁变为间接跃迁，基本吸收过红移；随磁性增强，局域态尾变宽，带隙变窄。     

带有巯基的席夫碱在金电极表面的自组装成膜

利用自组装技术,将带有巯基的席夫碱成功地自组装到Au电极表面,并利用循环伏安和交流阻抗电化学技术,对自组装膜的性质进行了表征。结果显示,单独用席夫碱成膜,由于分子结构的不规则性,形成的膜较疏松;采用二次成膜的方法,制备了由席夫碱和十八硫醇构成致密的复合膜,并通过实验和计算证明复合膜中的席夫碱呈线形方式排列,并且未被十八硫醇所取代。通过自组装膜,用电化学方法深入地研究了席夫碱中的电子传输机理、席夫碱与金属离子的络合机理、席夫碱在生物体中的活性等问题。     

氨基苯氧乙酸度夫碱的合成和激素活性的研究

合成了９种新的ｐ－氨基苯氧乙酸与芳醛或杂环醛生成的席夫碱，对其产率，物理性质，ＵＶ，ＩＲ，＾ＨＮＭＲ，元素分析和生测结果作了首次报道，发现化合物Ｓ１，Ｓ２，Ｓ４，Ｓ７，Ｓ８与Ｓ９具有显著的植物生长激素活性，其中以杂环醛与含卤素的芳醛所生成的席夫碱活性较好。     

一种新型铜离子-席夫碱印迹膜的制备与电化学性质研究

以L-半胱氨酸和香草醛为原料合成了一种新的席夫碱(Schiff-base),用红外光谱对席夫碱进行了表征.将金电极置于席夫碱和铜离子的乙醇水溶液中,用自组装方法在金电极上制备了铜离子席夫碱印迹膜,该印迹膜是一种新型的铜离子电化学传感器.用循环伏安法和交流阻抗法研究了印迹膜电极的电化学行为,用差示脉冲伏安法研究了铜离子在该电极上的响应,实验表明铜离子在3×10-6～5×10-5 mol·L-1浓度区间内与峰电流呈线性关系,其相关系数为0.997 2,检出限为1×10-7 mol·L-1.该印迹电极可用于铜离子的电化学测定.     

AM混合相Si：P：H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH4/PH3混合气体的高频辉光放电法，在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性，并对样品作了高温退火试验，应用x射线衍射和红外吸收，对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明，所淀积的是一种微晶－非晶混合相掺P氢化非晶硅膜（AM－Si:P:H)。这种膜具有良好的光电性能，较高的掺杂效率。经退火后，光电性能有所改善，是P－i-n太阳能电池所希望n^ 材料。     

棉酚在三种质子化溶剂中的电子光谱

本文测定了棉酚在氯仿、乙醇、丙酮和二甲亚砜溶剂中的紫外－可见吸收光谱和荧光光谱，探讨了棉酚与质子化溶剂的氢键相互作用，提出了棉酚在质子化溶剂中的电子转移特性和质子转移机理。     

溶剂和酸处理对聚吡咯膜电性能的影响

在大气氛围中,采用电化学沉积的方法在钽电极表面合导电聚吡咯膜,实验发现,机械拓磨促进了电极表面缺陷位置的增加,有利于聚吡咯膜的形成,从对支撑电 液老化机理的探讨出发,讨论了溶剂组分对聚吡咯膜电气性能的影响,由于吡咯单位的质子化作用是导致支撑电解液老化的根本原因,因此采用亲核性强的１,２－丙二醇碳酸酯（ＰＣ）和亲核性稍弱的乙腈（ＡＮ）混合溶剂配制支撑电解液,既可以合成出具有较高电导率的吡咯膜,又可以     

衬底温度对射频溅射a—Ge：H薄膜光电性能的影响

本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜（ａ－Ｇｅ：Ｈ和μｃ－Ｇｅ：Ｈ）。研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ＜２９０℃，沉积出ａ－Ｇｅ：Ｈ膜；Ｔｓ≥２９０℃沉积出μｃ－Ｇｅ：Ｈ膜。其结构、光电性能均当Ｔｓ≥２９０℃时有明显的变化。     

应用Auger电子能谱仪研究清除GaAs表面碳沾污的有效方法

在制作ＧａＡｓ负亲和势光电阴极中。ＧａＡｓ表面碳的沾污往往严重地降低其光电产额。为了去 除ＧａＡｓ表面碳的污染，我们用Ａｕｇｅｒ电子能谱仪对采用不同化学腐蚀处理的ＧａＡｓ表面进行分析 研究，证明在ＧａＡｓ表面有意形成一氧化膜并装进超高真空系统中加热到－５８０℃，对去除ＧａＡｓ 表面碳污染非常有效。