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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 312 毫秒

1.  TiO2/P3HT复合太阳能电池的制备和性能研究  
   倪阳  郭美澜  夏晓红  高云《湖北大学学报(自然科学版)》,2014年第1期
   用简单易行的一步水热法在透明导电玻璃FTO上制备了直径、密度及取向可控的TiO2纳米阵列,FTO同时作为底电极,用旋涂法将有机P型聚合物P3HT复合到阵列表面,磁控溅射制备Pt电极,组装TiO2/P3HT有机无机复合太阳能电池.通过XRD、SEM、紫外-可见光谱仪、I-V/J-V特性曲线等表征TiO2阵列薄膜及器件的结构、形貌和光电特性.研究制备TiO2纳米阵列的水热时间及无水乙醇的量对薄膜质量及复合太阳能电池光电性能的影响.通过优化各项参数,FTO/TiO2/P3HT/Pt简单双层结构的光器件在AM1.5,光强100mW/cm2下开,路电压Voc达到0.50V,光电转换效率IPCE达到0.11%.    

2.  ZnO/Cu2O异质结的制备及其光电性能研究  
   许并社  贾伟《太原理工大学学报》,2012年第43卷第3期
   通过两步法制备了由ZnO纳米棒阵列和Cu2O薄膜组成的异质结。首先利用低温湿化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(比较FTO)上生长ZnO纳米棒阵列,然后在ZnO纳米棒阵列上通过水热法继续生长Cu2O薄膜,形成ZnO/Cu2O异质结。通过扫描电子显微镜和X射线衍射仪的表征结果得知,ZnO纳米棒阵列具有很好的c轴取向性,其长度为1μm;而Cu2O薄膜的厚度为1.5μm,其(111)面优先沿ZnO的(002)面外延生长。与ZnO纳米棒阵列相比,ZnO/Cu2O异质结在可见光范围内吸收强度明显增强。在模拟太阳光照射下(AM 1.5,100mW/cm2),由ZnO/Cu2O异质结构成的太阳能电池器件的开路电压为0.36V,短路电流密度为7.8mA/cm2,对应的填充因子为31%,光电转换效率为0.86%。    

3.  恒电流电沉积ZnO薄膜及其光电性能研究  
   郭幸语  程树英《福州大学学报(自然科学版)》,2010年第38卷第2期
   采用恒电流电沉积的方法,在ITO导电玻璃上制备ZnO薄膜.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜等手段,对制备出的ZnO薄膜进行表征,并研究了溶液的pH值对薄膜的光学性质的影响.结果表明,电流密度为0.175mA·cm-2、pH为4.7时,制备出的ZnO薄膜具有纤锌矿结构,薄膜表面较均匀、致密,具有很好的附着力,在可见和近红外波段透过率约为80%,禁带宽度为3.37eV.光电流测试表明薄膜的导电类型为n型.    

4.  介孔Co_3O_4纳米片的结构和超级电容性能研究  
   方明亮  鲍捷  王超  杨晓喻  洪德雄  蔡亮  陈琳  孙治湖《中国科学技术大学学报》,2014年第8期
   利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、恒温氮气吸附等技术,研究了不同焙烧温度下制备的介孔Co3O4纳米片的物相和微结构特点,明确了焙烧温度影响介孔Co3O4纳米片超级电容性能的微观机理.XRD和TEM结果表明,不同焙烧温度下获得的产物均为尖晶石结构的介孔Co3O4纳米片,且随着焙烧温度的升高,样品的结晶性增强.恒温氮气吸附结果表明,随着焙烧温度从300℃增加到500℃,介孔Co3O4纳米片的BET比表面积从27.9m2/g降低到2.2m2/g.电化学测试结果表明,400℃焙烧产物具有最优的超级电容性能,其比电容值为151F/g,是300和500℃焙烧产物比电容值的2倍左右.基于上述表征结果,我们提出样品结晶性和表面微结构的协同作用是决定介孔Co3O4纳米片超级电容性能的关键因素:与300℃焙烧样品相比,400℃焙烧产物具有更好的结晶性,利于电极氧化还原反应过程中电子的传输迁移;与500℃焙烧样品相比,400℃焙烧产物具有更为适中的BET比表面积,利于电解液参与电极反应.    

5.  TiO2纳米棒阵列的水浴法制备及形貌控制  
   汪雷  王卷刚  丁国华  吴强强  王柳  张晓波《牡丹江师范学院学报(自然科学版)》,2015年第2期
   展示一种在FTO玻璃基底上直接生长 TiO2纳米棒阵列的简单方法.利用化学水浴法,通过控制反应过程中钛源和盐酸(HCl)量,在FTO导电玻璃基底上直接生长分布均匀的TiO2纳米棒阵列,棒的高度约为500 nm ,直径约为20 nm .纳米棒阵列薄膜在退火之前为无定型结构;经过450℃退火0.5h后,为锐钛矿和金红石的混合相.    

6.  热处理对Y2 O3:Eu荧光薄膜结晶性能的影响  
   张晓松  李岚  邹开顺  陶怡《天津理工学院学报》,2004年第20卷第1期
   运用热处理方法对电子束蒸发制备的Y2 O3:Eu荧光薄膜进行不同条件下的退火处理.用X射线衍射等手段表征Y2 O3:Eu荧光薄膜的成分、结构、表面形貌.实验表明随着温度的升高,薄膜的结晶状况得到改善,提高了薄膜的结晶性能.    

7.  热处理对Y2O3:Eu荧光薄膜结晶性能的影响  
   张晓松  李岚  邹开顺  陶怡《天津理工大学学报》,2004年第20卷第1期
   运用热处理方法对电子束蒸发制备的Y2O3:Eu荧光薄膜进行不同条件下的退火处理.用X射线衍射等手段表征Y2O3:Eu荧光薄膜的成分、结构、表面形貌.实验表明随着温度的升高,薄膜的结晶状况得到改善,提高了薄膜的结晶性能.    

8.  ZnO纳米片的水热合成及其光催化性能  
   姚方毅  刘令  郭晶晶  王川川  兰玉竹  温普红《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》,2018年第2期
   目的以Zn(CH_3COO)_2·2H_2O和NaOH为原料,制备ZnO纳米粒子,并研究ZnO纳米材料的形貌对其光催化性能的影响。方法采用一步水热法合成ZnO片状纳米粒子,通过X-射线粉末衍射(XRD),场发射扫描电镜(FE-SEM)和拉曼光谱(Raman)等分析手段对合成产物的结构和形貌进行表征,探讨反应物摩尔比、水热温度和水热时间等合成条件对形成的ZnO纳米粒子形貌的影响,以及形貌演变机理。通过光催化分解水实验对所制备的ZnO纳米粒子的光催化性能进行测试。结果 Zn~(2+)/OH~-摩尔比为1∶4时,在100℃反应6h,可制得片状的纳米ZnO,其产氢量为313μmol·h~(-1)·g~(-1)。结论在本文制备的ZnO纳米材料中,ZnO纳米片的光催化性能优于短棒状和纤维状的ZnO粒子。    

9.  Zn基ZnO纳米棒阵列的制备和发光特性  
   王金芳《科学技术与工程》,2012年第12卷第13期
   N2H4.H2O水热体系中,在Zn基底上制备出了ZnO纳米棒薄膜。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)及发致发光谱(PL)等分析测试手段,研究了ZnO薄膜的形貌结构和发光特性。结果表明,预处理工艺不同,Zn基底表面状态不同,ZnO薄膜形貌也不同。在经预氧化形核的Zn基底上易于制备ZnO纳米棒薄膜。在单一取向的Zn基面上,易于制备ZnO纳米棒阵列。PL测试分析表明,ZnO纳米棒有强的近带边紫外光发射峰和弱的缺陷发射峰。阵列棒本征发射峰强度最高、缺陷峰最弱,反映了该ZnO纳米棒结晶质量高。    

10.  TiO_2纳米管制备及其在染料敏化太阳能电池中的应用  
   谷翠萍  于锟  黄家锐《安徽工程科技学院学报》,2009年第24卷第1期
   采用强碱水热法由钛粉和NaOH溶液水热反应合成二氧化钛纳米管,并用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、X-射线电子衍射(XRD)等表征手段对反应产物进行表征,该方法制备的二氧化钛纳米管长度为200~300 nm,管径为20~25 nm.采用丝网印刷技术将二氧化钛纳米管粉末印制在掺杂氟的SnO2导电玻璃(FTO)上,并进行热处理.随后,将印制了薄膜的FTO导电玻璃浸泡在染料中,浸泡一段时间后,将其与导电面涂了铂的FTO导电玻璃组装成染料敏化太阳能电池,并对电池性能进行测试.在模拟太阳光照射下,该电池的填充因子为0.43,短路电流为0.48 mA,断路电压为0.35 V,光电转换效率为0.07%.    

11.  本征缺陷对ZnO:(In,N)薄膜p型导电的影响  
   谭蜜  孔春阳  李万俊  秦国平  张红  阮海波  王冬  王江《中国科学:物理学 力学 天文学》,2018年第4期
   采用射频磁控溅射和离子注入技术,在石英玻璃衬底上制备了In-N共掺ZnO薄膜[ZnO:(In,N)].通过优化退火工艺,成功实现了可重复的p型ZnO:(In,N)薄膜,其空穴浓度约为10~(16)cm~(-3),并观察到薄膜随退火产生n→p→n电学转变现象.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)等测试手段,研究了掺杂杂质和本征缺陷对薄膜结构和p型导电的影响.发现相较于n型样品,p型ZnO中N相关受主缺陷浓度并不占优,但其本征施主缺陷锌间隙(Zn_i)含量较少,本征受主缺陷氧间隙(O_i)和锌空位(V_(Zn))相对较多.表明薄膜中除N相关受主缺陷(N_O,In_(Zn)-nN_O)对p型导电有贡献之外,本征缺陷(V_(Zn),O_i,Zn_i)对实现薄膜p型导电也有重要作用.因此,如何调控ZnO中本征缺陷是实现其p型转变以及获得稳定p-ZnO薄膜的重要手段.    

12.  CNT/Fe-Ni-TiO_2/ZnO多孔复合膜的组装及其制氢性能  
   宋晓丽  何田田  林启志  姬婷婷  陈爱平  李春忠《华东理工大学学报(自然科学版)》,2018年第2期
   以聚苯乙烯(PS)微球为模板,通过溶胶凝胶法在导电玻璃(FTO)和镍片上负载掺杂铁、镍的复合纳米TiO_2-ZnO有序多孔膜。以多孔膜中的铁、镍为催化剂,通过化学气相沉积法(CVD)原位生长碳纳米管(CNT),得到CNT/Fe-Ni-TiO_2/ZnO/FTO(Ni)三维交互多孔复合膜。场发射扫描电镜观察发现,当TiO_2-ZnO前驱体中TiO_2与ZnO的体积比为3∶2时,复合膜中孔排布的规整性较好。采用X射线衍射仪、紫外-可见吸收光谱、电化学阻抗谱分析和光催化辅助电解水制氢等仪器和手段考察多孔复合膜的结构与性能,结果表明:孔结构的规整性、TiO_2-ZnO异质结和CNT与复合膜形成的三维网络结构有利于提高光生电子-空穴对的分离效率和复合膜材料的光催化活性。    

13.  Al-N共掺杂p型ZnO薄膜制备及电学性能的研究  
   梁薇薇  孔春阳  秦国平  阮海波《重庆师范大学学报(自然科学版)》,2012年第2期
   利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理。并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征。实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018~6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1~9Ω·cm,迁移率为1~2 cm2·V-1·s-1。与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关。此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因。    

14.  磁控溅射法制备氧化铜纳米线阵列薄膜及其气敏性质  被引次数:1
   乔振聪  程轲  袁占强  武兴会  庞山  王广君  万绍明  杜祖亮《科学通报》,2011年第Z2期
   通过磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃(FTO)衬底上溅射金属铜薄膜,所制备的Cu薄膜在管式炉中退火氧化生长得到CuO纳米线阵列薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对其形貌和结构进行了表征,并研究了这种通过磁控溅射得到的CuO纳米线阵列薄膜对CO和H2S的气敏性质.研究结果表明,CuO纳米线阵列薄膜在250℃时对CO气体具有最强的气敏响应,并且当CO浓度增大时其气敏响应明显增强.而对于H2S气体,在常温下CuO纳米线阵列薄膜能够对低浓度的H2S气体响应,说明这种CuO纳米线阵列薄膜可以在常温、低浓度下探测H2S气体;而当测试温度升高时,其电阻值在H2S气体氛围中迅速减小.我们对这种异常的电阻变化现象进行了解释.    

15.  可控多足ZnO纳米结构阵列的制备、表征及发光研究  
   陆香花  杜显振  庞占文  吴明在  马永青  刘先松《安徽大学学报(自然科学版)》,2011年第3期
   以Zn片和H2O为前驱反应物,采用水热法在Zn片上直接腐蚀制得多足状ZnO纳米结构阵列.使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对样品结构和形貌进行表征.PL谱测试研究表明多足ZnO纳米结构阵列具有两个发射峰位,分别为379、563 nm,其中紫外发射峰位379 nm占主导地位.    

16.  WO3薄膜的溶胶-凝胶法制备及其电致变色性能研究  
   石明吉  胡小杰  夏凯  林俊斌  王健《南阳理工学院学报》,2015年第2期
   以钨酸钠为前驱物,乙醇和聚乙烯醇(PVA)为添加剂,采用溶胶-凝胶法在FTO导电玻璃基质上制备了WO3电致变色薄膜,讨论了退火温度对薄膜响应时间的影响。通过扫描电子显微镜及X射线衍射仪对WO3薄膜结构进行了表征,利用电化学工作站对WO3薄膜的电致变色响应时间进行了研究。结果表明:在340℃下制备的WO3薄膜具有较好的循环可逆性,该薄膜着色响应时间为4.4 s,退色响应时间为0.52 s。    

17.  Co掺杂ZnO薄膜退火前后的磁性研究  
   秦秀芳  邓晨华《山西师范大学学报》,2010年第4期
   室温下采用磁控溅射的方法在Al2O3(0001)基片上制备了不同Co含量掺杂的ZnO稀磁半导体薄膜Zn1-xCoxO(x=3%,6%,8%),并进行了500℃的后期真空退火处理.采用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-vis)和振动样品磁强计(VSM)研究了薄膜的结构、光学和磁学性能.结果表明,磁控溅射制备的ZnCoO薄膜中,Co2+离子占据了ZnO中Zn2+离子的位置,但没有改变ZnO的纤锌矿晶体结构,也没有第二杂质相的出现.退火前后薄膜均显示室温铁磁性且磁性大小随Co含量的变化呈相反趋势.磁性大小与晶面间距有一定的关系,分析后认为磁性机制符合束缚磁极子(BMP)模型.    

18.  方波脉冲电沉积氧化锌薄膜的研究  被引次数:2
   李怀祥  赵婧  王瑞华《山东师范大学学报(自然科学版)》,2005年第20卷第2期
   以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光.    

19.  ZnO纳米棒阵列的亲疏水性能研究  
   宫丽红  王殿荣  高军《哈尔滨师范大学自然科学学报》,2012年第28卷第5期
   通过水热法以Zn(CH3 COO)2、次六甲基四胺(HMT)和NH3·H2O作为原材料,以Zn片作为锌源,通过改变原材料的用量比、反应时间、反应温度等不同生长参数获得不同形貌的ZnO纳米结构,并着重研究了其亲疏水性能.结果表明,合成的ZnO纳米棒阵列具有良好的疏水性能,可应用到自清洁的微米级或纳米级器件中来代替薄膜.    

20.  乳化-超声法纳米氧化锌的制备  被引次数:2
   叶峻《四川师范大学学报(自然科学版)》,2009年第32卷第5期
   以ZnSO4·7H2O和NH4HCO3为原料,利用乳化-超声法在常温下制备了多种粒径的氧化锌纳米微粒,并讨论了煅烧温度、反应物浓度及反应物浓度配比对颗粒大小以及结构的影响.XRD物相分析表明所制备的纳米氧化锌具有六方晶系纤锌矿结构.从TEM上来看,氧化锌纳米微粒直径大都在10-85 nm之间,在各种实验条件下制得的纳米ZnO粒径分布均匀,分散性好,呈球形.TG-DTA表明ZnCO3·2Zn(OH)2·H2O在300 ℃已经完全分解.同时表面活性剂Triton X-100和超声辐射均能明显改善纳米微粒的分散性.    

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