首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
把PBD层夹在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)中间,制备了三层有机薄膜电致发光器件,同时得到了HTL和EML的发光,提出了PBD的空穴限定作用,并通过与双层器件比较、用光致发光方法以及通过发光与驱动电压的关系得到了证实.  相似文献   

2.
本文叙述了橙黄色薄膜电致发光器件(TFEL)和采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙黄色陶瓷厚膜电致发光器件(CTFEL).测量了器件的电致发光光谱和亮度-电压曲线,研究了效率-电压等特性.  相似文献   

3.
有机电致发光材料的电子传输材料研究远落后于该领域的其他材料,需要开发出新型的电子传输材料,提高电子传输效率,改善器件性能.以合成的Pybispy和Pybisqu作为电子传输材料,制作了结构为玻璃基板/ITO阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/铝电极的有机电致发光器件,探讨了它们在有机电致发光器件中的性能,Pybispy和Pybisqu作为电子传输材料器件的最大发光亮度分别达到了218和5 980 cd/m2.结果显示该系列化合物具有电子传输性能,可应用于有机电致发光器件中的电子传输材料.  相似文献   

4.
为了提高白光有机电致发光器件的发光效率和光谱稳定性,采用染料掺杂的方法,制备了多层结构白光有机电致发光器件。通过参数优化实现了非常好的白光发射,并表现出良好的光谱稳定性。器件的开启电压为5.1V,发光亮度达到10800cd/m^2,最大电流效率和功率效率分别是10.4cd/A和3.5lm/W。  相似文献   

5.
简要本文合成了三种均三嗪衍生物TPTPA、TITPA和TCTPA,并利用其在电学和光学特性,将其作为发光/电子传输层材料制作有机电致发光器件(OLEDs). 其中,TCTPA具有比TPTPA和TITPA更高的荧光量子产率(PL). 从TPTPA到TCTPA其最低未占据轨道能级(LUMO)逐渐减少,这说明了TCTPA由于其共轭结构的增大,具有更高的电子迁移率. 以TCTPA作为发光/电子传输层的无掺杂OLED器件,在20V时亮度达到最大值2 612 cd/m2,其最大亮度效率和最大功率效率分别为1.72 cd/A 和1.35 lm/W. 将Ir(PPy)3、PVK、PBD等化合物,分别掺杂到以TCTPA为发光/电子传输层的OLED器件中,均展示出比无掺杂器件更高的亮度及效率.  相似文献   

6.
研究了在空穴传输层2T-NATA中掺杂不同浓度的p型氧化剂F4-TCNQ制备高性能的绿色有机电致发光器件(OLED).F4-TCNQ在空穴传输层2T-NATA中的掺杂浓度为8%(质量百分比)时(驱动电压为22V),其亮度达到4256cd/m~2,同时与未掺杂的器件相比,其最大发光效率由2.9cd/A增大到3.4 cd/A.分析结果表明,OLED性能的改善主要归因于:首先,掺杂F4-TCNQ使得器件做到了欧姆接触,使消耗在ITO/空穴传输层界面的电压达到最小;其次,掺杂F4-TCNQ提高了载流子形成激子的几率,最终使器件性能得到了很大程度的改善.  相似文献   

7.
采用粉末型交流电致发光作为光神经器件构成光电混合型神经网络。测试了这种器件的亮度-电压,发光光谱特性,并给出了作为探测器的光敏电阻的光谱灵敏曲线。并提出了实现以Hopfield模型为基础的光电混合型神经网络的具体方案。  相似文献   

8.
采用TPBi/Alq3作为复合电子传输层,制备了发光层非掺杂结构的蓝色有机荧光电致发光器件.器件的最大电流效率为3.0 cd/A,对应的发光亮度为6 178 cd/m2,发光色坐标位于(0.167,0.161).器件的最大发光亮度为14 240 cd/m2.电压从6 V增加到14 V过程中,器件的色坐标变化量ΔCIExy仅为(0.001,0.002).通过插入的激子探测层研究发现,器件的激子形成区域主要位于DOPPP/TPBi界面处.  相似文献   

9.
报道了采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙色电致发光器件(TDEL).介绍了器件的制造工艺,测量了器件的电致发光光谱、阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压.  相似文献   

10.
红色有机薄膜电致发光器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制了三种以 8-羟基金属螯合物 Mq3(M=Al,Ga,In)为基质、DCJTB为掺杂剂的红色有机电致发光器件 ,对比了不同掺杂浓度下的 Mq3的光致发光光谱、电致发光的亮度 -电压、亮度 -电流关系 ,从光谱重叠、能级匹配角度分析了不同基质对发光效率及色度的影响  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号