Nd~(3 ):YAG球的声子模谱结构与腔效应

利用黄昆方程从理论上分析了在球形激光 Nd3 :YAG晶体腔中构成的声子场模谱结构相对体材料在性质和数量上的变化 ,并利用 RENISHAW 2 0 0 0型共焦显微喇曼光谱仪实测了 Nd3 :YAG晶体球的喇曼光谱 ,发现喇曼位移在 5 0～ 15 0 cm- 1 的范围内 ,明显存在声子场腔效应现象 .根据理论计算结果和实验结果论证了腔量子声学效应存在的可能性 .     

微激光器可控无辐射跃迁过程研究

分析了在微小激光晶体构成的微腔中声子场模谱结构相对体材料在性质和数量上的变化及其对激发态的弛豫过程的影响,进一步论证了微激光器中存在的腔量子声学效应的可能性。     

GaAs_(1-x)N_x混晶的喇曼散射研究

室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1 LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势.     

GaAs1-xNx混晶的喇曼散射研究

室温下采用背散射几何配置，在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱．由于N原子的引入，导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大．禁戒的TO1声子变为喇曼活性；随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势．根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应．另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1 LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势．     

微激光器中可控无辐射跃迁过程研究

分析了在微小激光晶体构成的微腔中声子场模谱结构相对体材料在性质和数量上的变化及其对激发态的弛豫过程的影响，进一步论证了微激光器中存在腔量子声学效应的可能性．     

二能级原子与双模腔场的喇曼相互作用

研究了单个二能级原子与双模辐射腔场的喇曼相互作用，计算了原子的辐射谱，讨论了双模腔场处于不同数态时辐射谱的新特点     

Cr^3＋：LaP5O14玻璃的光谱特性分析

由测得的Ｃｒ＾３＋：ＬａＰ５Ｏ１４玻璃的吸收光谱，荧光光谱及喇曼光谱及喇曼光应用晶体场理论分析光说的性质，计算昌场及光谱参数，振子强度，交确定最大可能声子能量。     

Ga_(1-x)Al_xAs晶体的2LO和LO_1+LO_2双声子共振喇曼散射

本文研究了Ga_1～xAlxAs晶体的LO、2LO和LO_1+LO_2声子的共振喇曼散射。为了选择带隙对固定激光线调谐的可能性,借助于禁带宽度随Ga_(1-x)AlxAs的组分x而变化以及半导体能带的温度效应来完成本测试工作。用Frohlich耦合机理解释了选择定则禁止的LO声子散射。2LO(Г)和LO_1+LO_2双声子共振喇曼散射都解释为Frohlich相互作用引起的重迭电子一单声子散射过程。测量结果得出室温时Gao.3Alo,7As的直接带隙E_0为2.43eV。     

无限周期声子晶体全反射隧穿效应的机理研究

建立了一维无限周期声子晶体的谐振腔模型,利用谐振腔的共振条件推导出全反射隧穿导带频率满足的解析公式,从理论上解释了一维无限周期声子晶体全反射隧穿效应产生的物理机理.利用频率的解析公式对全反射隧穿导带的频率随导带级数、腔厚度以及入射角的变化规律进行了研究,圆满地解释了一维无限周期声子晶体的全反射隧穿效应的变化规律.并且将共振理论的结果与色散法的结果进行比较,其结果完全吻合.     

Hg系高Tc超导体(Hg0.8M0.2)Sr2(Y1-xCax)Cu2O6+δ的喇曼和红外光声光谱研究

对Hg系高Tc超导体(Mg0.8Mo0.2)Sr2(Yl-xCaxCu2O6+δ的晶格振动进行了群论分析,给出了该晶体在г点晶格振动的对称性分类.利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质.实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现145,320,440,578,592Cm-1几个特征振动峰.在中红外吸收光谱(光声光谱)中出现645cm-1特征振动峰.而145,320,440,578,645特征峰强度随掺杂量增加而减弱,其中645峰还向高波数发生位移.本文着重对这些振动模进行了指认,并对其随不同掺杂量的变化特征进行了讨论.