低能电子加速器的感生放射性

运行在１０ＭｅＶ能量以上的放射治疗和工业辐照用的电子加速器，均可能产生感生放射性，其强度取决于加速电子能量，束功率和被照材料的类型。电子能量在阈能或近似于２５ＭｅＶ之间，中子基本上产生于“巨光核共振”。医用加速器的Ｘ射线靶，固定和可变准直辐照容器等也是感生放射性的主要来源。     

高能X射线整车原木辐照检疫中的感生放射性

利用加速器产生的高能电子束或者高能X射线进行原木辐照处理过程中,原木和车厢有可能会产生感生放射性,从而可能会对工作人员或后续的消费者带来不必要的辐射照射风险。采用Monte Carlo方法,使用FLUKA程序结合解析经验公式,以25 MeV和35 MeV高能X射线装置为例,建立了高能X射线整车原木辐照检疫中的感生放射性计算模型,并比较了16、20、25、35MeV的辐照装置可能产生的感生放射性核素的剂量率。结果表明:由于木材的感生放射性核素多为短寿命核素,故不需要考虑原木被辐照后的感生放射性的影响;但只有16MeV辐照装置能够满足工作人员每年20 mSv的剂量限值要求,因此需要对车厢经过辐照后对工作人员的长期辐照进行防护。     

电子直线加速器的感生放射性计算方法

为了选择一个合理而相对准确的计算电子直线加速器的感生放射性的方法,分析了的点源近似法、径迹长度法、吸收功率法、 Monte Carlo模拟法的优缺点.对IAEA188号报告中一标准算例,用这4种方法进行饱和放射性活度As的计算,并对结果进行比较.分析表明, Monte Carlo模拟法考虑反应完全,可同时计算直接和间接感生放射性,计算步骤简单,结果准确,是4种计算方法中最好的.用Monte Carlo法计算了30 MeV以内电子直线加速器中钨靶的As; 并给出在钨靶中As的空间分布.结果表明,随钨靶厚度及入射电子束能量的增加, As增加.这些结果有利于今后感生放射性研究.     

15MV电子加速器机头感生放射性的Monte Carlo计算

加速器停机后的感生放射性是工作人员所受内外照射的首要来源。Monte Carlo模拟计算是进行感生放射性预测分析的重要方法之一。该文应用Monte Carlo软件FLUKA对同方威视技术股份有限公司一台15MV电子加速器的机头屏蔽结构进行了模拟。给出了2个测点的吸收剂量率和周围剂量当量率随冷却时间的变化曲线及其与实验测量结果的对比,并给出了各个区域放射性核素产额随时间的变化。模拟计算与实验测量的结果在量级和衰减趋势上吻合。该文提供了一种通过Monte Carlo模拟预测感生放射性问题的方法,也可应用于其他高能粒子加速器的活化分析。     

医用加速器场所中子和感生γ光子剂量当量的计算分析

医用高能加速器在广泛应用的同时,也存在着相关的辐射屏蔽问题,特别是迷宫内剂量的快速估算。该文对当前典型的迷宫内中子及感生γ光子剂量当量的计算方法进行了汇总,将其应用于多折迷宫的计算案例中,并与基于MCNP(Monte Carlo N-particle transport code)的Monte Carlo模拟值进行对比。结果表明:这些计算方法基本能够较为精确的估算迷道内不同点的中子和感生γ光子剂量当量,与Monte Carlo模拟值的偏差在1个数量级以内,但可能会低于模拟值。在实际应用中,可通过乘以安全系数以防止剂量低估。     

高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算

随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显著.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算了描述器件发生单粒子翻转能力的MBGR参数,并采用大气高能中子能谱,对SRAM器件的单粒子翻转率进行了计算与分析.这为我们今后模拟大气中子产生的各类单粒子效应提供了基本方法,也为将来开展相应的辐照实验提供了理论基础.     

^60Ni全套中子核反应数据的理论计算

用光学模型、核反应多步过程的半经典理论、双微分截面和γ辐射的非统计过程及γ产生数据理论，计算了入射能量在１ＫｅＶ－２０ＭｅＶ的中子与＾６０Ｎｉ相互作用全套核反应数据，计算结果与评价数据比较，符合较好。     

核技术应用现状及发展趋势

 聚焦于核技术应用领域中射线产生装置、放射性同位素技术、核探测技术,概述了电子加速器、质子/重离子加速器、中子发生器等重要射线产生装置与放射性同位素制备、放射性药物、放射源以及核探测技术等的国内外研究现状,分析了国内射线装置与放射性同位素技术的发展趋势及前景。     

医用电子加速器中的光中子产额计算

计算了电子加速器中不同能量的电子垂直入射到钨靶和金靶上时的光中子产额。采用 Monte Carlo 程序EGS4对电子光子簇在靶中的输运进行模拟 ,计算出光子在靶中的径迹长度 ,从而求出光中子产额。对电子加速器钨靶和金靶中的光中子产额进行了计算 ,得到了电子加速器中光中子产额随打靶电子能量变化的规律及随靶厚度变化的规律 ,为加速器靶和屏蔽系统的设计提供依据 ,并为计算光中子的剂量分布和复合靶中的光中子产额奠定基础     

天然镍全套中子核反应数据的理论计算

用光学模型和核反应多步过程的半经典理论，计算了入射能量在１．０ｋｅＶ－２０．０ＭｅＶ的中子与天然镍相互作用的全套核反应数据，计算结果与评价实验数据比较，符合较好。     

铜的全套中子核反应数据的理论计算

用光学模型和核反应多步过程的半经典理论，计算了入射能量在１．０ｋｅｖ－２０ｍｅＶ的中子与＾８３Ｃ，＾６５Ｃ和＾ＮａｔＣｕ相互作用的全套核反应数据，计算结果与评价实验数据比较，符合较好。     

天然铅及其同位素全套中子核反应数据的理论计算

用球形光学模型和核反应多步过程的半经典理论，计算了入射能量在1.0keV-20MeV的中子与^204Pb，^206Pb,^207Pb,^206Pb，和^NatPb相互作用的全套核反应数据，计算结果与评价实验数据比较，符合较好。     

^58Ni全套中子核反应数据的理论计算

用核反应多步过程的半经典理论和光学模型，在入射能量０．１－２０ＭｅＶ能区内，了中子与＾５８Ｎｉ相互作用的全套核反应数据。将计算结果与评价实验数据相比较，符合较好。     

热中子感生的~(128)I放射性的生长和衰变规律及半衰期的测量

一、引言中子感生放射性的生长和衰变是核物理的一个基本规律,它也是中子活化法测量和产生人工放射性的重要依据,因此这是一个很有意义的基础实验题目。据所见资料,人们作该实验时都是把某种金属活化片放入中子场中照射,每隔一段时间取出测量一次。这样如果是累积计算照射时间,则测量占用的时间会引入很     

Geant4模拟半导体器件的单粒子效应

利用Monte Carlo软件Geant4模拟了质子和中子在半导体静态随机存储器模型中的输运过程。根据入射粒子的能量选择不同的物理模型,并采用强迫碰撞方法,模拟了高能质子和中子与硅原子的相互作用及其次级反应过程,给出了0.1~2 GeV超高能质子、中子和14 MeV中子辐照器件时存储单元灵敏区内的能量沉积,并根据具体器件的临界能量,得到了器件在不同能量的高能质子和中子辐照下引起的单粒子翻转截面和多位翻转截面,计算结果与文献资料结果符合较好。     

电子束在放射性核束物理研究中的应用

利用电子束与重离子冷却储存环中的放射性核束相互作用,包括电子的弹性散射、非弹性散射以及电子散射引起的核反应,可以对不稳定核的结构和性质进行有效的研究．文中对进行这些研究的物理意义、所需电子束亮度以及设备进行了描述和粗略地估计．     

同轴背散射电子相互作用体积的蒙特卡罗模拟

根据利用高能同轴背散射电子的扫描电子显微镜的工作原理，用蒙特卡罗方法模拟了电子束在样品中的相互作用范围，分析被探测电子的出射深度分布、计算了逸出面密度分布、平均进入深度和平均逸出距离，讨论了上述量与入射电子能量、能量损失窗口、探测角及样品体密度之间的关系，结果表明，入射电子能量、能量损失窗口和样品体密度对相互作用范围影响较大，而探测角对相互作用范围基本没有影响，最后指明了改变分析范围的途径。     

利用光核反应产生几种缺中子核素

利用２００ＭｅＶ电子直线加速器产生的轫致辐射束诱发（γ，ｎ）、（γ，２ｎ）、（γ，αｎ）三种光核反应，得到了１１Ｃ、１５Ｏ、１８Ｆ、２２Ｎａ、６１Ｃｕ、６２Ｃｕ、６４Ｃｕ等七种核素，推算了饱和活度和Ｃ与Ｆ的探测限，讨论了在该加速器上开展光子活化分析的可行性     

n+127 129 135 I反应的理论计算及分析

目的 计算和分析0．01～20MeV的能量范围内n 127 129 135 I反应截面。方法 首先应用微观光学势参数自动调节程序得到一组中子光学势参数，在此基础上对能量在0．01～20MeV的中子入射n 127 129 135 I的反应截面进行理论计算和分析，并与实验数据进行对比。计算与分析基于光学模型、核反应多步过程的半经典理论、激子模型、扭曲波恩近似等核反应理论模型。结果 反应道截面的计算结果与JENDL-3库的计算结果曲线形状及实验数据均符合得很好。结论 理论模型是成功的，并能成为核安全设计的理论依据。     

电子束在放射性核束物理研究中的应用

利用电子束与重离子冷却储存环中的放射性核束相互作用,包括电子的弹性散射,非弹性散射以及电子散射引起的核反应,可以支不稳定核的结构和性质进行有效的研究。文中对进行这些研究的物理意义,所需电子束亮度以及设备进行了描述和粗略地估计。