Pb—Ag—Ca新型阳有在MnSO4—H2SO4溶液中腐蚀速度的测定

分别测定了ＰＡＣ电极（Ｐｂ－Ａｇ－Ｃａ新型阳极的简称）在ＭｎＳＯ４－Ｈ２ＳＯ４溶液中的阴极极化曲线及阳极极 线，从图中求得：ｉｃｏｒ＝１５．８５μＡ／ｃｍ＾２，ψωｒ＝－０．０９５Ｖ，Ｖｃｏｒ＝２．９５Ｋｇ／ｍ＾２ａｎｎ．７．９０％（电极重量每年消耗的百分数）ｉ。（２）＝５４．７０μＡ／ｃｍ＾２及ｉ。（３）＝１．１０μＡ／ｃｍ＾２；讨论了ＰＡＣ阳极的腐蚀机理即反应（２）受反应（３）的动力学参数所     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

PLT15薄膜热释电红外传感器的研制

用射频磁控溅射法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）结构衬底上沉积了高度Ｃ轴取向Ｌａ改性的ＰｂＴｉＯ３（ＰＬＴ１５）薄膜．研究了ＰＬＴ１５薄膜的电晕极化方法,用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化．利用ＰＬＴ１５薄膜制备了热释电红外传感器,薄膜厚度是２μｍ,真空蒸发的Ｎｉ－Ｃｒ电极面积为１．２ｍｍ×１．０ｍｍ,敏感元下的Ｓｉ（１００）基片用热ＫＯＨ和ＥＰＷ进行刻蚀．用所设计的热释电系数测试系统对ＰＬＴ１５薄膜样品进行了测试,研究了其热释电特性．测试结果表明,ＰＬＴ１５薄膜样品的热释电电流ｉｐ平均为２．１×１０－１１Ａ,而对应的热释电系数ｐ为２．５２×１０－８Ｃ·（ｃｍ２·Ｋ）－１．这类薄膜很适合制备红外传感器     

PLT15薄膜热释电红外传感器的研制

用射频磁控溅射法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）结构衬底上沉积了高度Ｃ轴取向Ｌａ改性的ＰｂＴｉＯ３（ＰＬＴ１５）的薄膜,研究了ＰＬＴ１５薄膜的电晕极化方法,用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化,利用ＰＬＴ１５薄膜制备了热释电红外感器,薄膜厚度是２μｍ,真空蒸发的Ｎｉ－Ｃｒ电极面积为１．２ｍｍ×１．０ｍｍ,敏感元一的Ｓｉ（１００）基片用热ＫＯＨ和ＥＰＷ进行刻蚀,用所设计的热释电系统测试系     

阴极共沉积Ni（OH）2薄膜在碱淀粉液中的电化学特性

采用阴极电沉积法在镍基底上制备Ｎｉ（ＯＨ）薄膜,循环伏安法在１．０ｍｏｌ．ｄｍ＾－３ＫＯＨ溶液中测量了薄膜电极的催化析氧特性,沉积Ｎｉ（ＯＨ）２的薄膜电极比镍基底增加了２０ｍＡ．ｃｍ＾－２的析氧电流。在制膜过程中掺杂７％Ｃｅ（Ｖ／Ｖ）得到的复合氢氧化镍薄膜电极在碱溶液中的析氧电流又增加了约２０ｍＡ．ｃｍ＾－２,分光光度法和薄层扫描分析法对薄膜进行了成分分析。     

CdS/SiO_2和ZnS/SiO_2半导体掺杂玻璃三阶非线性光学性质的研究

采用溶胶－凝胶和原位生长工艺成功地制备了 ＣｄＳ／ＳｉＯ２和 ＺｎＳ／ＳｉＯ２半导体微晶掺杂玻璃，给出了该样品三阶非线性光学性质的实验研究方法及其最新实验结果．利用简并四波混频技术测得其三阶非线性极化率的大小在１０－２０ｍ２／Ｗ．此结果比纯ＳｉＯ２基体提高约２～３个数量级．表明半导体掺杂玻璃的三阶光学非线性明显增强．在同样实验条件下，测得 ＣＳ２的三阶非线性极化率Ｘ（３）为（２．４±０．３）× １０－２０ ｍ２／Ｗ，与国际上报导的结果完全一致．     

PZT／SiO_2／Si界面的XPS分析

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．     

脉冲式XeCl激光辐照a－Si∶H膜诱导晶化的研究

当脉冲辐照ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ￣２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ＿２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ￣（－１）～５１７ｃｍ￣（－１）、半峰高宽度为１０ｃｍ￣（－１）～１５ｃｍ￣（－１）；ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜经ＸｅＣｌ激光辐照或ＣＯ＿２激光退火后，都会增强晶化膜的吸收效率。     

锑在弱碱溶液中阳极成膜规律的研究

利用恒电位阳极极化电流与极化时间的关系、线性电位扫描及Ｘ射线衍射研究了锑在２．５×１０－５ｍｏｌ／ｍ３ＮａＨＣＯ３＋２．５×１０－５ｍｏｌ／ｍ３Ｎａ２ＣＯ３＋５．０×１０－４ｍｏｌ／ｍ３Ｎａ２ＳＯ４溶液中（ｐＨ＝９．１，３０℃）于１．２Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）阳极成膜３ｈ，阳极成膜规律及膜相组成与结构。实验结果表明，本工作中的阳极膜主要由Ｓｂ２Ｏ３（斜方）晶体构成，成膜规律为锑的溶解与锑氧离子ＳｂＯ＋的生成→锑氧化物膜的形成与增厚→氧化物膜的钝化。