丙烯氨氧化催化剂物化性能研究：Ⅱ.催化剂失活前后的结构表征

采用ＸＲＤ，ＩＲ，Ｍｏｂａｕｅｒ ＥＳＲ，ＸＰＳ，ＳＥＭ和孔结构分析等分析测试手段，对比研究了新鲜，失活和再生三种丙烯氨氧化催化剂的体相结构和表面性质。结果表明，新鲜催化剂中各元素以Ｆｅ２（ＭｏＯ４），α－ＣｏＭｏＯ４，ＮｉＭｏＯ４，γ－Ｂｉ２Ｏ３．ＭｏＯ３，α－Ｂｉ２Ｏ３．３ＭｏＯ３，η－ＭｏＯ３，α－Ｂｉ２Ｏ３和β－Ｂｉ２Ｏ３形式存在２；失活催化剂中，部分Ｆｅ２（ＭｏＯ４）３转变为α－Ｆｅ－Ｍ     

掺CeO_2的MgO－CaO系中CaO和MgO的晶粒生长动力学

研究了ＭｇＯ－ＣａＯ系耐火材料中主要氧化物ＣａＯ和ＭｇＯ在高温下的晶粒生长动力学，发现ＣｅＯ２的存在降低了ＣａＯ和ＭｇＯ的晶粒生长活化能，提高了结构基元的扩散速率，促进了ＣａＯ和ＭｇＯ晶粒的生长，从而揭示了掺ＣｅＯ２的ＭｇＯ－ＣａＯ系耐火材料抗水化性提高的本质     

一种实用的无线智能MODEM及应用

叙述了一种“无线智能ＭＯＤＥＭ”，给出了ＭＯＤＥＭ的原理方框图，通信控制和软件结构图和程序流程图，介绍了无线智能ＭＯＤＥＭ的功能，特点和技术性能指标，描述了ＭＯＤＥＭ的工作原理，举出了两个应用实例。     

1000℃MgO—B2O3—SiO2三元相关系研究

ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系１０００℃时，３５％≤ＭｇＯ％〈６０％组成范围内平衡相均为固相，其相关系可由Ｍｇ３Ｂ２Ｏ６－Ｍｇ２ＳｉＯ４－Ｍｇ２Ｂ２Ｏ５，Ｍｇ２Ｂ２Ｏ５－Ｍｇ２ＳｉＯ４－ＭｇＳｉＯ３，Ｍｇ２Ｂ２Ｏ５－ＭｇＳｉＯ３－ＳｉＯ２三个结线三角形表示。各平衡相量之间关系可应用ＸＲＤ定量相分析或重心规则计算。     

VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

氧缺位铁酸锰分解CO_2成C的研究

空气氧化湿法制备的ＭｎＦｅ２Ｏ４在Ｈ２还原下，生成氧缺位铁酸锰ＭｎＦｅ２Ｏ４－δ（０＜δ＜１），利用ＸＲＤ和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等技术，对它的性质（还原性，晶格常数稳定性）进行了详细地研究，考查了在氧缺位铁酸锰（ＭｎＦｅ２Ｏ４－δ，δ＞１）及ＭｎＯ－ＦｅＯ固溶体下ＣＯ２分解成Ｃ的活性，结果表明（ＭｎＦｅ２Ｏ４－δ，δ＞１）能够有效地分解ＣＯ２成Ｃ，并且在反应以后自身转变成了化学计量的ＭｎＦｅ２Ｏ４，ＭｎＯ－ＦｅＯ分解ＣＯ２以后，一部分变为ＭｎＦｅ２Ｏ４，一部分仍然保持ＭｎＯ－ＦｅＯ固溶体结构     

氧缺位铁酸锰分解CO2成C的研究

空气氧化湿法制备的ＭｎＦｅ２Ｏ４在Ｈ２还原下，生成氧缺位铁酸锰ＭｎＦｅ２Ｏ４－δ，利用ＸＲＤ和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等技术，对它的性质（还原性，晶格常数稳定性）进行了详细地研究，考查了在氧缺位铁酸锰（ＭｎＦｅ２Ｏ４－δ，δ〉１）及ＭｎＯ－ＦｅＯ固溶体下ＣＯ２分解成Ｃ的活性，结果表明能够有效地分解ＣＯ２成Ｃ，并且在反应以后自身转变成为化学计量的ＭｎＦｅ２Ｏ４，ＭｎＯ４－ＦｅＯ分解ＣＯ２以后，一部分变成     

氯酸钾氧化Mn2+沉积法制化学MnO2及其特性研究

为了弥补干电池材料电解ＭｎＯ２（简称ＥＭＤ）的某些性能上的不足，以期用化学ＭｎＯ２（简称ＣＭＤ）替代。在一定条件下，以氯酸钾氧化Ｍｎ＾２＋沉积法制化学ＭｎＯ２，对其进行ＭｎＯ２含量、肼脂数、磁化率、放电性能以及红外与差热等分析。结果表明，制得的ＣＭＤ电化活性较高，有望替代电解ＭｎＯ２作为干电池的阴极活性材料。     

COM/CORBA互操作中的对象标识及绑定研究

随着ＣＯＭ和ＣＯＲＢＡ的迅速推广使用，用户迫切需要ＣＯＭ／ＣＯＲＢＡ互操作系统以实现ＣＯＭ和ＣＯＲＢＡ应用的集成，因此很多ＣＯＲＢＡ产品都遵照ＯＭＧ组织的ＣＯＭ／ＣＯＲＢＡ互操作规范提供了互操作的功能。然而规范中的对象标识及联编机制还存在问题，导致应用程序无法在不同的互操作系统上移植，而且在通用映射实现方式中，无法按照规范中定义的机制实现ＣＯＲＢＡ客户对ＣＯＭ对象的联编。文中提出了一种统一的对象标     

对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成．     

对接沟道NMOS结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＾＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析。结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

MCM—41分子筛的合成与表征

在Ｎａ２Ｏ－（ＣＴＭＡ）２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｈ２Ｏ与（ＴＭＡ）２Ｏ－（ＣＴＭＡ）２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｈ２Ｏ体系中分别合成了不同硅铝比及全硅ＭＣＭ－４１分子筛样品，考察了诸因素对晶化过程的影响，同时对其酸性，热稳定性和催化性能进行了表征。     

STUDEIS ON THE CMD OBTAINED FROM OXIDIZING MnO 2 BY KClO 3

为了弥补干电池材料电解ＭｎＯ２（简称ＥＭＤ）的某些性能上的不足，以期用化学ＭｎＯ２（简称ＣＭＤ）替代．在一定条件下，以氯酸钾氧化Ｍｎ２＋沉积法制化学ＭｎＯ２，对其进行ＭｎＯ２含量、肼脂数、磁化率、放电性能以及红外与差热等分析．结果表明，制得的ＣＭＤ电化活性较高，有望替代电解ＭｎＯ２作为干电池的阴极活性材料     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

用TASO—MO模型解释SiF4和XeF4等分子的几何构型

运用ＬＣＡＯ－ＭＯ的简化形式，建立ＴＡＳＯ－ＭＯ模型，根据价电子在ＭＯ中的填充情况，解释ＡＦ４类非金属化合物如ＳｉＦ４和ＸｅＦ４等分子的稳定和几何构型。     

CONFORM连续挤压变形过程的实验研究与数值模拟

本文针对ＣＯＮＦＯＲＭ连续挤压过程，设计了一套模拟实验装置，并通过Ｍｏｒｉｅ云纹法进行了实验模拟，同时，采用刚粘塑性有限元法对ＣＯＮＦＯＲＭ连续挤压变形过程进行了数值模拟，实验结果与数值模拟结果吻合较好，从而阐明了ＣＯＮ－ＦＯＲＭ连续挤压过程中金属的变形行为。     

DISCOVERY OF MICROFOSSILS FROM THE 1848－MA－OLD CHANGZHOUGOU FORMATION，JIXIAN SECTION，NORTH CHINA

ＤＩＳＣＯＶＥＲＹＯＦＭＩＣＲＯＦＯＳＳＩＬＳＦＲＯＭＴＨＥ１８４８－ＭＡ－ＯＬＤＣＨＡＮＧＺＨＯＵＧＯＵＦＯＲＭＡＴＩＯＮ，ＪＩＸＩＡＮＳＥＣＴＩＯＮ，ＮＯＲＴＨＣＨＩＮＡＺｈａｎｇＺｈｏｎｇｙｉｎｇ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥａｒｔｈＳｃｉｅｎｃ...     

VDMOS-NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散窗口过程形成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶硅互连线．对ＭＯＳ电路中的小跨导器件图形的设计及ＶＤＭＯＳ与Ｅ／ＥＭＯＳ的界面设计进行了分析和讨论     

氟氯甲烷CC1_4，CFC1_3，CF_2C1_2，CF_3C1及CF_4的量

本文用量子化学从头计算法在ＨＦ／４－３１Ｇ水平上对氟氯甲烷（ＣＦＣｍｎ）分子作了计算，从分子结构参数及前沿分子轨道组合上做了详细分析。说明了随着Ｆ原子取代ＣＣ１４中Ｃ１原子的增多，分子的各化学健均增强，稳定性增加，ＨＯＭＯ能级降低，ＬＵＭＯ能级升高；ＨＯＭＯ对Ｃ－Ｆ和Ｃ－Ｃ１键都无甚键合作用，ＬＵＭＯ对Ｃ－Ｃ１起反键作用，当ＨＯＭＯ上电子被激发到ＬＵＭＯ上时，分子发生解离。造成大气平流层臭氧消耗的分子光解出来的Ｃ１原子，εＬＵＭＯ与εＨＯＭＯ差值越大，光解需要的紫外光波长越短，发生光解时在大气中的高度越高，大气滞留时间越长，解离出的Ｃ１原子消耗的臭氧分子越多。