仲辛醇萃取锗的研究

通过用苯基荧光酮光度法测定用仲辛醇萃取锗前后溶液中锗含量来研究仲辛醇在不同条件下对锗的萃取率,并初步确定萃取剂的浓度、溶液酸度、萃取剂用量、萃取时间及助萃取剂对萃取效果的影响,找出最佳操作条件.     

分光光度法测定海参中的锗

采用分光光度法对海参中的总锗量进行了测定 ,分析结果表明 :海参中总锗含量为 14.16～ 15 .18μg·g-1.回收率为 88.1%～ 94.8% .     

锗的生物转化条件及有机化程度的确定

报道锗在大豆及绿豆发芽过程中进行生物转化的适宜条件，提出了一种快速、准确地测定其中锗有机化程度的等电沉淀方法。     

微波消解二溴邻硝基苯基荧光酮分光光度法测定中草药中痕量锗

在磷酸介质中,建立了以二溴邻硝基苯基荧光酮为显色荆、吐温-80为表面活性剂、在微波消解条件下用分光光度法测定痕量锗的新方法.探讨了测定痕量锗的最佳显色条件和测定条件.配合物最大吸收位于540 nm波长处,其摩尔吸光系数ε=0.886×105L/(mol·cm),线性回归方程A=2.30×10-3ρ-7.1×10-3(ρ的单位为μg/mL).相关系数r=0.999 9,检出极限为7.86×109g/mL,结果可以直接用于中草药中痕量锗的测定.     

荧光分光光度法测定薏米中的痕量锗

目的以荧光分光光度法为基础建立测定薏米中痕量锗的新方法。方法于0.1 mol/L的HAc~NaAc体系中,在溴代十六烷基三甲铵(CTMAB)存在下,苯芴酮与锗形成橘红色络合物的最佳条件。结果当络合物的最大荧光峰在524.4 nm,Ge(IV)在1×10-2~1×10-3ng/mL范围内,F符合比耳定律。F=1.067 47C 0.521 0(r=0.995 6),C为Ge(IV)浓度(ng/mL),其标准偏差为2.25%。结论该方法灵敏度高,选择性好,用于薏米中痕量锗的测定,效果良好。     

微量锗的分析方法

以HClO4为支持电解质,没食子酸为络合剂,在示波极谱仪上对锗进行了测定.实验确定的最佳测定体系是0.1 mol/LHClO4加5.0×10-4mol/L没食子酸的体系.锗测定的线性范围是2.0×10-6～5.0×10-5 mol/L.通过一系列实验证明了该体系形成的极谱波为配合吸附波.经实验测定,其配合物的配合比为12,电极反应转移电子数为3.9.     

氢化物—原子荧光光谱法测定保健食品中痕量锗

提出了以氢化物-原子荧光光谱法测定保健食品中锗的新方法,研究了酸介质、氢化物发生、增敏掩蔽剂等因素对测定的影响,并选择出仪器的最佳工作条件;采用磷酸-酒石酸介质进行测定,不但可有效消除共存离子的干扰,而且起到增敏作用,方法的检出限为6.2ng/g,相对标准偏差（RSD）为5%以内,加标回收率为95%-105%,结果令人满意。     

从碱性腐蚀液中回收锗的实验探究

用沉淀法将碱性腐蚀液中的锗进行沉淀富集回收,对锗回收的适宜的实验条件进行实验探究.讨论了沉淀剂种类及用量,实验温度,碱性腐蚀液的pH值,沉淀时间等因素对锗的回收率的影响.结果表明:在常温下,以FeCl3 为沉淀剂,碱性腐蚀液的起始pH值为6.5,沉淀时间为90 min时,锗的回收率达到了80%以上.     

氯化铵氯化-二酰异羟肟酸萃取法从粉煤灰中提取锗的研究

采用氯化铵氯化—二酰异羟肟酸萃取法从粉煤灰中提取锗.即用氯化铵氯化粉煤灰中的锗,使锗以氯化物的形式挥发富集,用浓度小于6 mol/L的盐酸溶液吸收富集水解GeCl4得到氧化锗.煤灰中锗的氯化适宜条件为向粉煤灰中加入其重量20%的NaHCO3焙烧1 h,往焙砂中加入粉煤灰重量15%的氯化铵,在400℃下焙烧90min,锗的氯化回收率≥81.5%.用1.5%H2SO4(固液质量比为1∶2)进行逆流浸取氯化焙渣中的锗,调节浸出液pH=1.0,以二酰异羟肟酸(DHYA)为萃取剂,异辛醇为溶剂,磺化煤油为稀释剂,在VO/VA=1∶4、CDHYA=0.5mol/Lt、=8 min的条件下进行三级逆流萃取酸浸出液中的锗,锗总萃取率≥99.5%;用2.5 mol/L的NH4F进行二级反萃取锗,反萃率≥99.5%.氯化铵氯化焙烧—DHYA萃取法提取粉煤灰中锗的综合回收率≥95%.     

富锗面包的研制

富锗面包是以面包专用粉为主要原料,以白砂糖、奶油、奶粉、鸡蛋、面包改良剂为辅料,加入富锗酵母,采取快速发酵法,经过调粉、发酵、烘烤精制而成。通过正交实验确定产品的最佳配方,利用ICP-AES方法测定富锗面包中有机锗的含量。     

三卤锗丙酸酯的新合成法

由三氯锗丙酸(Ⅰ)与碘化钠反应合成了三碘锗丙酸(Ⅱ),并在硫酸铁催化下,由Ⅰ,Ⅱ分别与甲醇、乙醇、异丙醇反应得到了相应的三氯锗丙酸酯(Ⅲ_(a～c))和三碘锗丙酸酯(Ⅳ_(a～c);Ⅲ_(a～c)与碘化钠反应得到了三碘锗丙酸酯Ⅳ_(a～c)。     

Hydrogen Bonding in Hydrogenated Amorphous Germanium

Thin films of hydrogenated amorphous germanium (a-Ge:H) were prepared by radio frequency glow discharge deposition at various substrate temperatures. The hydrogen distribution and bonding structure in a-Ge:H were discussed based on infrared absorption data. The correlation between infrared absorption spectra and hydrogen effusion measurements was used to determine the proportionality constant for each vibration mode of the Ge-H bonds. The results reveal that the bending mode appearing at 835 cm^-1 is associated with the Ge-H2 (dihydride) groups on the internal surfaces of voids. While 1880 cm^-1 is assigned to vibrations of Ge-H (monohydride) groups in the bulk, the 2000 cm^-1 stretching mode is attributed to Ge-H and Ge-H2 bonds located on the surfaces of voids. For films associated with bending modes in the infrared spectra, the proportionality constant values of the stretching modes near 1880 and 2000 cm^-1 are found to be lower than those of films which had no correspondina bending modes.     

锗(Ⅳ)-茜素红S配合物的吸附伏安法测定痕量锗

痕量锗的分析过去较少受分析工作者的注意.近几年来发现锗对某些疾病有一定作用,根据锗在周期表中的位置,预测它可能为人体必需的痕量元素.因此,高灵敏度的锗的分析方法的研究引起了人们的兴趣.     

超高纯锗多晶材料的制备

作为高纯锗核辐射探测器的锗单晶材料,要求其净杂质浓度小于2×10~(10)cm~(-3)。要想制备如此高纯度的锗单晶,首先要获得相当于净杂质浓度为10~(10)cm~(-3)量级的多晶材料。由于它受到各方面因素的制约,因此这是一项相当困难的事情。本文使用国产材料,通过区域提纯方法,获得了超高纯锗多晶材料,其净杂质浓度约为10~(10)cm~(-3)量级。     

单轴应力锗能带结构研究

用形变势理论讨论了单轴〈001〉和〈110〉及〈111〉张/压应力对锗导带各能谷（？能谷、？能谷及L能谷）能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.     

笼状锗结构的一维生长

基于笼状锗结构预测,本文以Ｇｅ１０为基本结构单元,通过径向和轴向生长两种方式优化了Ｇｅ２０～Ｇｅ４０的一维结构。计算所得锗团簇的轴径比和结合能与离子注入漂移管试验结果较好吻合,为中等尺寸锗团簇的一维结构模型提供了理论依据。     

高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟

利用同轴型高纯锗(HPGe)探测器测量152Eu和133Ba在15cm处的探测效率,调节探测器死层厚度和冷指尺寸,利用Monte Carlo方法对同轴型HPGe探测器的全能峰效率进行模拟计算,并将计算效率与实验效率进行比较.结果表明,当HPGe探测器的死层厚度为0.22cm,冷指半径和长度分别为0.301cm和1.00cm时,模拟效率与实验效率相符。     

全萃法从锗烟尘浸出液中分离锗的研究

选用某胺类萃取剂 ,络合剂 ,改质剂 ,煤油稀释剂 ,NaOH反萃剂 ,系统研究了从某锗烟法浸出液分离提取锗的工艺流程和最佳工作条件。