四方晶系下钕离子的基态分裂

采用点电荷晶场模型,通过模拟四方晶系化合物NdCuAs2和Nd2Ge2In的磁化率倒数-温度曲线,得到了Nd3+的各级分裂能和相应波函数,并分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.结果表明,Kramers离子Nd3+的十重简并基态4I9/2在晶场效应的作用下分裂为5个双态,计算结果与实验吻合得较好.     

稀土化合物RPt2In2(R=Ce,Pr,Nd)的磁性和晶场效应

基于晶场理论,通过对Chen测量的稀土化合物RPt2In2(R=Ce,Pr,Nd)磁化率倒数-温度曲线的模拟,得到了RPt2In2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3 和Nd3 在晶场效应的作用下基态简并部分消除得到了双基态,而非Kramers离子Pr3 基态分裂后得到了单基态.     

Ce_(1-x)Y_xPt_2Si_2(x=0.2,0.55,0.9)的晶场模拟

采用点电荷晶场理论模型,通过对Ce1-xYxPt2Si2(x=0.2,0.55,0.9)磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了其晶场分裂能和相应波函数,计算表明:晶场分裂能随x的增大而减小,晶场作用使得Ce3+六重简并基态分裂得到混合的双基态.     

近藤化合物Ce2CuxNi1-xGe6的磁性和晶场模拟

通过对磁化率的模拟,研究了晶场效应对Ce2CuxNi1-xGe6磁性的影响,得到了该系列化合物的分裂能和相应波函数.计算表明,Ce3 六重基态在晶场作用下分裂为混合的双基态,其晶场分裂能随X的增大而变大.Cu含量的增加引起了更加复杂的f电子和传导电子的杂化,低温区域的电子—磁子近藤散射变得更加强烈.     

稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场效应研究

通过模拟Kitazawa小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3 在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双基态,而非Kramers离子Pr3 分裂为9个单态.计算得到PrPtAl的第一激发能和第二激发能与中子散射实验结果吻合较好.     

化合物CeCuIn和PrCuIn的磁性与晶场效应

基于晶场理论,模拟Szytu(l)a小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeCuIn,PrCuIn的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双重态,而非Kramers离子Pr3+分裂为5个双态.模拟得到的磁化率倒数随温度变化曲线与实验结果吻合得很好.     

化合物Ce_3Rh_2Ga_2和Ce_3Rh_3Si_2的晶场效应计算

通过对D.Kaczorowski等人磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh3Si2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3+基态简并部分消除得到了双基态.     

d~5(~6S)离子立方零场分裂及光谱的理论研究

为了克服在晶场理论中利用微扰近似公式计算d~5(~6S)离子基态立方零场分裂参量的困难,本文用O_h 点群表象的强场方案,构造了d~5电子组态在六配位O_h 对称晶场中微扰哈密顿H′[=H_(el)+H_(?)+V_(CF)(O_h)]的完全能量矩阵.用它研究了d~5离子基态立方零场分裂参量与吸收光谱.我们发现,立方零场分裂参量a 对晶场参量Dq 的依赖关系应为:a(+|Dq|)>a(-|Dq|).由于Powell 等人的能量矩阵中Dq 和ξ_d 之间存在相对位相错误而导致零场分裂参量的计算困难,本文利用正确的d~5(O_h~(?))完全能量矩阵,统一地计算了几种六配位八面体O_h 的晶场中Fe~(3+)和Mn~(2+)离子的基态立方零场分裂和d-d跃迁吸收谱.数值分析中发现,旋轨耦合常数ξ_d 及晶场参量Dq 对立方零场分裂参量有重要影响,ξ_d 取值的差异正是Fe~(3+)和Mn~(2+)络离子立方零场分裂参量巨大差别的主要原因.由理论值与实验观测结果的一致性表明,利用正确的d~5(O_h~(?))完全能量矩阵分析,可以克服Low 等人断言的简单晶场理论计算的困难.     

d~8(D_4)EPR理论及NiN_4X_2型化合物光磁性质研究

本文利用赵等人提出的O_h点群表象方块准对角型简化强场方案及全组态混合EPR理论方法,建立了d~8(D(?))完全强场能量矩阵及相应的EPR理论,由对角化能量矩阵的特征值和特征矢量以及EPR参量的计算公式,对NiN_4X_2型化合物中Ni~(2+)的吸收谱.顺磁g因子以及基态零场分裂参量D进行了统一的理论计算,计算结果与实验一致.分析表明.NiN_4X_2型化合物中Ni~(2+)离子的配位态近似属D_4点群对称,其光磁性质密切相关,可统一用一组光谱参量描述,基态零场分裂主要源于配位晶场的低对称畸变.     

EuPdGe3磁性与电子结构的第一性原理计算

为了探究EuPdGe3晶体材料的基态性质和磁晶易轴方向,本文采用基于密度泛函理论的VASP软件包计算研究了EuPdGe3材料的磁性与电子结构。计算结果表明EuPdGe3基态磁构型为A型反铁磁,磁晶易轴方向沿c轴方向。通过对EuPdGe3晶体的电子结构和实空间结构分析,得出了Ge2 4p电子态与Eu 4f电子态间的杂化是EuPdGe3晶体磁晶易轴方向沿c轴的原因。     

稀土化合物RCuAs_2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的晶场效应研究

通过对稀土化合物RCuAs2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的磁化率倒数—温度曲线的晶场模拟,得到了该系列化合物的晶场系数和晶场分裂能.并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响,计算结果与实验获得了较好的吻合.     

马立克氏病病毒MEQ蛋白单克隆抗体的制备及应用研究

基因表达与病毒感染细胞及致瘤能力之间关系的阐明，将有助于我们对马立克氏病病毒（MDV）meq基因功能的了解，该研究利用通过杆状病毒载体在昆虫细胞系SF9上高度表达的MEQ蛋白免疫BALB/c小鼠，然后收获其免疫脾细胞与肿瘤细胞系SP2/0通过PEG于体外融合，获得的杂交瘤细胞被克隆并通过与MDV感染的鸡胚成纤维细胞（CEF）做免疫荧光试验（FA），进行其分泌抗MEQ单克隆抗体（McAb）能力的筛选，获得4株稳定产生抗MEQ蛋白McAb的杂交瘤细胞，其中3G12E6通过FA和免疫酶组化技术能够检测到MDV致瘤株感染的CEF及自然MD肿瘤细胞中表达的meq基因产物。研究的结果首次发现，MDV致瘤株GA、RB1B感染的CEF及自然MD肿瘤细胞中均有meq基因的表达，但在弱毒疫苗株CV1988感染的CEF和免疫鸡组织细胞中则未检测到MEQ，作者认为这是由于meq基因在致瘤株中表达水平高，而在非致瘤株中表达水平低所致，这可能是决定MDV毒力（virulence）或致瘤性（oncogenicity）的关键因素之一。     

不同退火条件对纳米Ge/Al2O3相嵌薄膜中纳米Ge颗粒的氧化态影响

采用脉冲激光沉积法制备了纳米Ge/Al2O3相嵌薄膜.用X射线光电子谱(XPS)研究了薄膜的热稳定性.结果表明纳米Ge颗粒的氧化态与已经发表的结果不同,而与Si的氧化态的结果相似.用纯高斯函数拟合可以得到Ge的四种不同的氧化态,分别为:Ge 1,Ge 2,Ge 3,Ge 4.这种大的差别来自纳米Ge颗粒的不同环境的影响.在真空退火条件下,由于缺少外部氧的供给和供给速度慢,很奇妙地,在薄膜表层的Ge 2,Ge 4氧化态不如其他氧化态和未氧化态(Ge0)稳定.而在清洁的大气环境退火条件下,外部氧的供给充分和供给速度快,在薄膜表层最稳定的氧化态是Ge 4.     

锗硅烯与H_2O加成反应的计算研究

采用密度泛函理论方法研究了两种锗硅烯(H2Ge=Si H2及Ph2Ge=Si Ph2)与H2O的加成反应的微观机理和势能剖面,分析了加成反应中区域选择性的起源.计算结果表明,H2O的单聚体、二聚体及三聚体均可作为亲核试剂与锗硅烯发生加成反应.形成Si—O键和Ge—O键的反应均为复杂反应,且Si(Ge)—O键比Ge(Si)—H键优先形成.加成反应的区域选择性由动力学因素决定.H2O作为亲核试剂的反应活性低于CH3OH.     

Uniform fabrication of Ge nanocrystals embedded into SiO2 film via neutro transmutation doping

Nanocrystalline74Ge embedded SiO2 films were prepared by employing ion implantation and neutron transmutation doping methods.Transmission electron microscopy, energy dispersive x-ray spectroscopy, and photoluminescence of the obtained samples were measured. The existence of As dopants transmuted from74 Ge is significant to guarantee the uniformity and higher volume density of Ge nanocrystals by tuning the system’s crystallinity and activating mass transfer process. It was observed that the photoluminescence intensity of Ge nanocrystals increased first then decreased with the increase of arsenic concentration. The optimized fluence of neutron transmutation doping was found to be5.5 1017 cm 2to achieve maximum photoluminescence emission in Ge embedded SiO2 film. This work opens a route in the three-dimensional nanofabrication of uniform Ge nanocrystals.