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1.
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ZnO∶Ga和ZnO∶Co纳米结构双光子荧光特性
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周威 郭万克 韩一波 朱本鹏《华中科技大学学报(自然科学版)》,2012年第40卷第11期
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利用化学气相沉淀法(CVD),以Au为催化剂,在硅片衬底上制备出了纯ZnO与Ga掺杂ZnO和Co掺杂ZnO的纳米结构产物.对产物进行了物相分析与微观表征,并研究了双光子荧光特性.结果表明:样品均体现了较好的双光子光致发光性能;与纯ZnO纳米棒相比,Ga掺杂ZnO纳米棒在385nm波长处具有很强的紫外发射峰,在520nm波长处具有较强的绿光发射峰;Co掺杂ZnO纳米片在540nm波长处具有很强的绿光发射峰,在385nm波长处具有非常弱的紫外发射峰,且可见光发射强度增高.
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2.
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Nd掺杂对ZnO薄膜结构及室温光致发光特性的影响 被引次数：4
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文军 陈长乐《四川大学学报(自然科学版)》,2008年第45卷第6期
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通过射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备了不同含量的Nd掺杂ZnO薄膜.XRD和AFM分析表明，Nd掺杂没有改变ZnO薄膜的结构，薄膜为纳米多晶结构，未掺杂ZnO沿c择优生长.Nd掺杂使ZnO薄膜表面粗糙，起伏较大，薄膜中随Nd掺杂量的增加颗粒减小.室温光致发光谱显示，薄膜出现了395nm的强紫光峰和495nm的弱绿光峰，同时，Nd掺杂不改变PL谱的峰位置，Nd含量对PL谱的峰强度产生了一定影响.
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3.
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掺杂量对ZnO∶Tb复合薄膜的形貌和光学性能的影响
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王莹 张瑞玲《河南科学》,2007年第3期
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采用的两步法——先溅射成膜,后退火处理的工艺成功制备了ZnO:Tb复合薄膜,结合XRD、SEM、PL等手段研究了掺杂量对薄膜结构和形貌的影响.发现掺杂量为4.16%时,ZnO:Tb薄膜表面形成新奇T-A-ZnO结构以及不同直径和长度的螺纹状纳米棒;同时出现378 nm和387 nm两个较强的紫外发光峰,以及中心波长位于515 nm的强绿光峰.
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4.
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掺杂量对ZnO:Tb复合薄膜的形貌和光学性能的影响
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王莹 张瑞玲《河南科学》,2007年第25卷第3期
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采用的两步法--先溅射成膜,后退火处理的工艺成功制备了ZnO:Tb复合薄膜,结合XRD、SEM、PL等手段研究了掺杂量对薄膜结构和形貌的影响.发现掺杂量为4.16%时,ZnO:Tb薄膜表面形成新奇T-A-ZnO结构以及不同直径和长度的螺纹状纳米棒;同时出现378 nm和387 nm两个较强的紫外发光峰,以及中心波长位于515 nm的强绿光峰.
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5.
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氧分压对CU掺杂ZnO薄膜的结构及光学特性的影响
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马书懿 尚小荣 马李刚 苏畅《西北师范大学学报(自然科学版)》,2011年第47卷第3期
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采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了不同氧分压的Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计和光致荧光发光(PL)等表征技术,研究了不同氧分压对Zno∶Cu薄膜的微观结构和光学特性的影响.研究结果显示,随着氧分压的增加,薄膜的(002)衍射峰先增强后减弱,同时(100)、(101)和(110)衍射峰在(002)衍射峰增加时减小,表明氧分压可以影响ZnO∶Cu薄膜的结晶取向.薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过70%,同时随着氧分压的增加,薄膜的光学带隙值先增大后减小.通过对光致发光的研究表明,射频磁控溅射法在低氧和高氧环境条件下都可制得好的发光薄膜.
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6.
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ZnO纳米片薄膜的合成、表征及其光学性质
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涂亚芳 牛晓娟《江汉大学学报(自然科学版)》,2013年第41卷第2期
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采用水热法在修饰有ZnO种子层的石英玻璃衬底上制备出ZnO纳米片薄膜。利用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电镜和荧光光谱仪对样品的形貌、结构和光致发光性质进行表征和分析,探讨了其形成机理。结果表明,制备的ZnO纳米片为六方纤锌矿型单晶结构,具有沿<101ˉ0>方向的择优取向,其室温下的光致发光谱由尖锐的紫外发光峰(380 nm处)和较宽的可见发光带组成,其中可见光发射可以拟合为中心分别位于550、620和760 nm处的3个发光峰。
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7.
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单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p+-Si异质结的紫外电致发光 被引次数：1
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霍海滨 杨卫全 戴伦 马仁敏 秦国刚《北京大学学报(自然科学版)》,2008年第44卷第3期
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采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列.电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001 Ω cm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍.这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线.制备成功单根n-ZnO纳米线/p -Si异质结构并研究了其电致发光特性.室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380 nm)和一个中心位于700 nm 的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰.
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8.
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稀土Eu掺杂ZnO纳米棒的水热合成及其光学性质
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郎集会 孙雨婷 李香兰 王佳英 张哲《华南师范大学学报(自然科学版)》,2018年第2期
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采用水热法合成了稀土Eu掺杂ZnO纳米棒材料(ZnO/Eu_x),研究了稀土Eu的掺杂比x对ZnO材料的结构、形貌和光学性质的影响.结果表明:Eu~(3+)被成功掺入到ZnO中,材料呈纳米棒状结构且直径为15~25 nm.Eu的掺杂对ZnO材料的结晶度和光学性质有明显的影响.随着Eu掺杂比x的增加,ZnO材料的结晶度明显下降,这是因杂质Eu的引入导致材料缺陷增加所致.缺陷的增加引起ZnO材料中Eu3+的红色特征发光峰增强.另外,随着Eu掺入到ZnO中,紫外发射峰位置发生明显的红移现象,这与引入Eu杂质能级有关.
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9.
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Cu掺杂对ZnO纳米薄膜的结构及其光学特性的影响 被引次数：1
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马书懿 毛雷鸣 马慧 史新福 周婷婷 丁继军《西北师范大学学报(自然科学版)》,2010年第46卷第1期
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采用磁控溅射法（RF）在玻璃基底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜．使用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）分别对样品的形貌进行了表征，并对Zn0薄膜进行了应力分析．结果显示：所有样品都呈现出（002）衍射峰，有较好的C轴择优取向；所有样品出现有3个发光峰，分别对应于400nm（3．14eV，紫光），444nm（2．78eV，蓝光），484nm（2．56eV，蓝光）．紫峰的存在与激子的存在有极大关系，而蓝光发射主要是由于电子从导带上向锌空位形成的浅受主能级上的跃迁．随着Cu掺杂量的增加．薄膜的带隙宽度Eg随之减小，样品光学带隙值由3．26eV逐渐减小为2．99eV．实验中还发现，随着Cu掺杂量增加，薄膜的透射率也随之减小．
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10.
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Nd及其与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜的结构与发光特性 被引次数：2
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文军 陈长乐《云南大学学报(自然科学版)》,2008年第30卷第6期
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采用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂ZnO薄膜和Nd及其与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜.通过XRD分析表明,未掺杂ZnO薄膜沿c轴择优生长,掺杂ZnO薄膜偏离了正常生长,薄膜为纳米多晶结构.应用AFM观测所有薄膜的表面形貌,掺杂使ZnO薄膜表面粗糙.室温光致发光谱显示,薄膜出现了395nm的强紫光和495 nm的弱绿光带.Nd掺杂ZnO薄膜的PL谱线峰值强度减弱,Nd与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜的PL谱线峰值强度增强,分析了掺杂引起PL峰强度变化的原因.
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11.
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溶胶-凝胶法制备Li-N共掺ZnO纳米薄膜及其性能表征
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张建斌 吕从燕 于富成 王雷《兰州理工大学学报》,2015年第41卷第3期
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采用溶胶-凝胶法在石英衬底上沉积Li-N共掺ZnO纳米薄膜,研究热处理温度和Li掺杂浓度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响.结果表明:适度的Li掺杂,以及随着热处理温度的适度升高,会导致ZnO(002)峰的半峰宽减小,薄膜结晶质量明显改善,但过高浓度的掺杂或过高的热处理温度,则会诱发新的缺陷,导致结晶质量下降.另外Li掺杂引起ZnO薄膜的光学带隙发生变化,从而使样品在未掺杂时以紫光发光最强而掺杂后样品以紫外发光最强.
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12.
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梯度掺杂AZO薄膜的制备及其性能表征 被引次数：1
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周建 谢岩 王德义 刘桂珍 李河《西南科技大学学报》,2010年第25卷第3期
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采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO (AZO) 薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究.结果表明,梯度掺杂的AZO薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%(原子数百分比)的薄膜具有更明显的c轴择优取向,更强的本征紫外发光峰和近紫外发光峰.当薄膜的退火温度在500～650 ℃区间时,薄膜电阻率稳定在10-2 Ω·cm,高于700 ℃时,薄膜电阻率明显升高.
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13.
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Ag掺杂ZnO纳米晶的发光特性 被引次数：1
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谢友海 汪应灵 刘海津 刘国光《河南师范大学学报(自然科学版)》,2010年第38卷第3期
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以Zn(NO3)3.6 H2O,AgNO3为原料,明胶为模板分散剂,采用凝胶模板燃烧法制备纯ZnO和ZnO∶Ag纳米晶,利用XRD,SEM,TEM和PL谱对样品的结构和性能进行了研究.结果表明∶掺杂前后产物粒子形状均为球形,结晶良好,属六方晶系结构且无杂相;Ag占据部分Zn格位或填隙位进入ZnO晶格,掺入量约为1%(摩尔分数);纯ZnO平均粒径约为40 nm,掺杂样品的平均粒径约为45 nm,Ag掺杂轻微地影响ZnO晶粒生长.PL谱显示Ag掺杂能够调整ZnO纳米晶的能带结构?提高表面态含量,进而使得ZnO:Ag纳米晶的可见发光能力显著增强.
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14.
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Nd掺杂ZnO薄膜的制备及室温光致发光研究 被引次数：1
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文军 陈长乐《四川师范大学学报(自然科学版)》,2008年第31卷第6期
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通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了Nd掺杂ZnO薄膜.XRD和AFM分析表明,Nd掺杂没有改变ZnO结构,薄膜为纳米多晶结构.随Nd掺杂量的增加颗粒减小,表面粗糙,起伏较大.室温光致发光谱显示,薄膜出现了395 nm的强紫光峰和495 nm的弱绿光峰,Nd掺杂量和氧分压对PL谱发射峰强度产生了一定影响.
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15.
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Co掺杂ZnO纳米粉体的结构和光学性能 被引次数：1
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夏玉静 管自生 贺涛《西安交通大学学报》,2011年第45卷第7期
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采用溶胶凝胶法制备了掺杂Co2+的ZnO纳米粉体,并利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱和光致发光光谱等对其结构和光学性质进行了表征.结果表明:Co以二价离子Co2+的形式掺杂进入ZnO晶格,且所得Co掺杂ZnO纳米粉体仍为六角纤锌矿型结构;纳米粉体的光学带隙随掺杂量的增加逐渐变窄,并且在紫外吸收谱上出现了3个明显的特征吸收峰;由室温光致发光光谱可知,随着Co2+掺杂浓度的增加,ZnO的荧光强度逐渐变弱.
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16.
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基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响
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何英 王长征 张培明 张栋《广西师范学院学报（自然科学版）》,2009年第1期
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采用对靶直流反应磁控溅射方法，在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构，且都表现出了（002）织构．随基片温度增加，ZnO薄膜结晶质量提高，其颗粒尺寸单调增加，并且薄膜应力状态发生改变，由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰，并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃，365nm附近的紫外峰红移到373nm，并且强度增强，而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时，373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处，蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处，并且出现了396nm的近紫峰．
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17.
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铝掺杂对ZnO纳米线结构和光学性质的影响
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魏平 高红 姜威 卢会清 张春志《哈尔滨师范大学自然科学学报》,2010年第26卷第3期
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利用化学气相沉积方法成功地合成了不同Al掺杂浓度的ZnO纳米线.从场发射扫描电子显微镜可以看出纳米线的直径约为100 nm.X射线衍射结果表明主要的衍射峰都与ZnO的晶面对应,为纤锌矿结构.当掺杂浓度达到2.0 at%时,在背散射拉曼光谱中观察到由于Al掺杂而引起的640 cm-1处的峰.光致发光谱表明,随着掺杂浓度的增加,紫外与可见发光的强度比值逐渐变小.
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18.
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基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响
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何英 王长征 张培明 张栋《广西师范学院学报(自然科学版)》,2009年第26卷第1期
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采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si (100)基片上制备了一系列的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究.结果表明:所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了(002)织构.随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力.同时光致发光谱实验结果表明:室温沉积的ZnO薄膜出现了365 nm和389 nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带.随着基片温度升高到350℃,365 nm附近的紫外峰红移到373 nm,并且强度增强,而389 nm处的紫外峰强度明显减弱.当基片温度增加到500℃时,373 nm的发光峰强度减弱并蓝移到366 nm处,蓝光带强度减弱并红移到430 nm～475 nm处,并且出现了396 nm的近紫峰.
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19.
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溶胶-凝胶法制备纳米ZnO薄膜光致发光特性研究
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胡界博《科技信息》,2009年第9期
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采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂法在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和发光特性。着重研究了ZnO薄膜发光特性,结果表明,ZnO薄膜在室温下均有较强的紫外带边发射峰,与缺陷有关的可见发射带很弱。在低温下,PL谱主要有290nm、335nm、370nm三个发射峰组成,且三峰随温度降低变化规律一致,可能来自自由激子声子伴线。
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20.
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热处理对Zn薄膜表面的ZnO一维纳米结构和性能的影响
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白云帆《中山大学研究生学刊(自然科学与医学版)》,2005年第26卷第4期
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本文在低真空中热处理生长在Zn薄膜上的ZnO纳米丝，并对处理前后的ZnO纳米线样品进行结构和光学性质分析。研究发现，热处理中，ZnO纳米丝继续生长，有明显的择优生长，而由于引入大量的间隙锌，使得520nm的深能级发光蜂强度得到加强。
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