液相化学沉积法制备云母钛珠光颜料

将液相化学沉积法合成云母钛珠光颜料剖析为Ｔｉ＾４＋的水解和水解产物在云母表面沉积两个过程。从Ｔｉ＾４＋的水解机理和结晶动力学两方面分析了影响云母钛合成的主要因素：反应体系的ｐＨ值，温度和Ｔｉ＾４＋浓度。对各主要因素进行了实验考察，得到了合成云母钛的较佳工艺条件，即反应体系的ｐＨ值为２．０￣２．２，反应温度为７５￣８０℃，Ｔｉ＾４＋浓度为３．１ｃ ｇ ／ｌ。同时对ＴｉＯ２在云母表面的沉积机理进行了探     

等离子体增强磁控溅射离子镀TiN膜的电镜研究

利用透射电镜研究了铁基体等离子体增强磁控溅射离子镀ＴｉＮ膜的组织和结构。在沉积ＴｉＮ之前先镀一层极薄的钛中间层，继之再沉积ＴｉＮ。研究结果表明：在基体和中间层界面处有ＦｅＴｉ相；在中间层与后继膜的交接处α－Ｔｉ与Ｔｉ２Ｎ有结构匹配关系；靠近中间层的后继膜由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成；而远离中间层的后继膜部分是ＴｉＮ组成的。     

云母钛珠光颜料的液相合成技术：Ⅱ云母钛前驱体的热处理…

以ＴＧ－ＥＧＡ等分析检测手段探明了云母钛颜料包膜层的组成，并对其热处理工艺作了系统的研究，得到了较佳的热处理工艺。同时以ＤＴＡ，ＳＥＭ，ＸＲＤ技术研究了膜层ＴｉＯ２粒子在煅烧过程中的形态及物相结合变化过程，结果表明，膜层的水合ＴｉＯ２粒子在热重宫随着温度的升高逐步晶化，并由锐钛相向金红石相转化。     

聚甲基丙烯酸甲酯表面改性TiO2的研究

本文采用无皂乳液聚合法，使甲基丙烯酸甲酯（ＭＭＡ）在ＴｉＯ２粒子表面进行聚合，得到了以ＴｉＯ２粒子为核，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为壳的复合粒子，ＴｉＯ２粒子表面由此得到改性研究了ＴｉＯ２表面聚合物成膜的条件，用ＴＥＭ证实了表面聚合物膜的存在，运用ＩＲ和ＤＴＡ对复合粒子进行了表征，并利用Ｚｅｔａ电位，接触角的测定及分散性试验对改性前后ＴｉＯ２的表面性质进行了研究。     

钛矿渣电硅热法生产钛硅合金时渣中TiO2的还原贫化行为

建立了实验条件下钛矿渣电硅热法冶炼钛硅合金时，渣中ＴｉＯ２还原贫化行为的数学模型；通过实验和数学模型研究冶炼温度，炉料初始碱度，还原剂用量，冶炼时间，渣中ＴｉＯ２等冶炼条件对渣中ＴｉＯ２还原贫化的影响。     

高钛型高炉渣炉内堵塞与液泛行为的研究

在实验室用高温熔滴炉模拟高冶炼过程，对高钛型高炉渣在炉内的堵塞与液泛行为进行了实验研究，研究了气体流速、ＴｉＯ２含量、ＴｉＯ２还原度和渣－焦界面性质对熔渣在炉内的堵塞与液泛的影响。     

RF-PCVD法制备锐钛型TiO2超细粉的研究

以ＴｉＣｌ４＋Ｏ２为反应体系,从热力学和动力学的角度出发,讨论了ＲＦ－ＰＣＶＤ法制备ＴｉＯ２超细粉成核过程的温度范围。设计了实验用反应器和冷却器,测量了冷却器中的温度分布及ＴｉＯ２超细粉的晶型、粒径和分布,表明ＴｉＯ２成核长大、晶型转变过程发生在反应器内。制备了平均粒径为３０ｎｍ、用作光催化材料的纯锐钛ＴｉＯ２超细粉。     

MOCVD法制备TiO2薄膜的光电化学性质研究

采用金属有机化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２薄膜,测定了ＴｉＯ２薄膜的晶体结构,以ｐ－Ｓｉ为基底电极,研究了ＴｉＯ２薄膜的光电化学性质。经ＴｉＯ２修饰的ｐ－Ｓｉ电极,开路光电位增加近２０倍,并表现出很强的稳定性,是较理想的光电极材料及光电极修饰材料。     

不同原料制备的SO4^2—／TiO2对酯化反应的催化性能

按照通常ＳＯ４２－／ＴｉＯ２固体超强酸的制备方法，分别采用四氯化钛、四烷氧基钛和钛白粉为原料合成了ＳＯ４２－／ＴｉＯ２，测定了它们在乙酸丁酯合成中的催化作用。     

溶胶-凝胶法制备二氧化硅光学膜

探讨了在线温度和提拉速度对溶胶－凝胶法制备的ＳｉＯ２光学膜光学性质的影响，考察了热处理温度对ＳｉＯ２光学膜表面散射率的影响。结果表明：用溶胶－凝胶法制成的ＳｉＯ２光学膜随着在线温度的升高，膜的厚度呈线性减少，减少的速度为０．０９ｎｍ／℃；室温下ＳｉＯ２光学膜膜厚提拉速度呈指数增长，指数等于０．５４；ＳｉＯ２光学膜表面散射率随热处理温度的升高而增大，且在４００℃左右有一个增大的突变点。     

潮汐河口闸下淤积及减淤措施试验研究

结合盐灌船闸泥沙模型模型,研究闸下泥沙淤积规律,探讨减少闸下泥沙淤积的工程措施。试验研究表明：盐灌船闸修建后,下游引航道内的淤积是严重的;利用汛期部分水量由船闸集中放水冲沙,对清除下游引航道的泥沙淤积是有效的;在泄水冲沙同时采用机船拖耙等搅沙措施,能大幅度提高冲沙效率;改斜坡式断面为直立式断面,缩小下游引航道的过水面积,不仅能减少淤积量,而且有利于提高冲沙效率。     

等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅．本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释．     

快速生长金刚石薄膜的装置及其工作性能

本文设计了用直流电弧等离子体喷射法快速生长金刚石薄膜的装置,并对其工作性能进行了研究。     

离心机中粒子沉降运动分析

本文应用流体力学理论,分析了液体中的粒子在离心力作用下运动时的受力情况,建立相应的数学、物理模型。通过分析、计算得到粒子在离心管中的运动规律,并用Mathematica软件做出相应的函数图形。     

无氢化学气相沉积碳化钛

本文介绍了一种新的化学气相沉积碳化钛方法。用此法对几种常用的工具材料进行了沉积处理,并用金相观察、X射线结构分析、X射线光谱显微分析等手段测定了碳化钛沉积层的组织、结构和性能。应用此法于模具和某些易磨损机件上可较大地提高机件的使用寿命,且方法本身安全、经济,在一般的热处理设备条件下即能进行。     

电化学沉积制备一维ZnSe纳米材料

在草酸溶液中,采用二次阳极氧化法得到了多孔阳极氧化铝膜(AAO).以AAO为模板,在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积,在孔内组装ZnSe半导体纳米线,溶去模板后,获得粗细均匀,直径约为60 nm,长度约为0.5μm的纳米线,与模板的孔径一致.在制备过程中,无需对模板进行去除阻挡层,喷金或预镀金属等处理过程,是直接在纳米孔内电沉积,形成半导体纳米线阵列.此方法工艺简单,操作方便,容易获得半导体的一维纳米材料.SPM、TEM测试结果表明,纳米线为六方晶型结构.     

多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

采用ＨＦＣＶＤ生长法,以较低生长温度,在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。ＸＲＤ显示薄层具有明显的择优取向特征。ＶＡＳＥ测量出薄层的折射率为２．６８６,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。ＸＰＳ深度剖面曲线表明薄层中Ｓｉ／Ｃ原子比符合ＳｉＣ的理想化学计量比,其能谱证明Ｃ１ｓ与Ｓｉ２ｐ成键形成具有闪锌矿结构的３Ｃ－ＳｉＣ。     

凹凸棒石粘土沉降分散行为研究

采用重力沉降分析法研究了酸碱度、表面活性剂、溶剂等对凹凸棒石粘土沉降分散行为的影响，并进行了理论分析．研究表明，溶液的pH、表面活性剂浓度和分散介质类别均影响凹凸棒石粘土的沉降分散行为；凹凸棒石粘土表面及介质的极性变化是凹凸棒石粘土沉降分散行为改变的重要因素．凹凸棒石粘土的沉降分散行为具有规律性：即溶液的酸碱电解质浓度越大，凹凸棒石粘土分散稳定性越好．分散介质的极性越大，凹凸棒石粘土的分散状况越好．表面活性剂能明显促进凹凸棒石粘土在低介电常数有机介质中的分散状况，高浓度的表面活性剂促进凹凸棒石粘土分散及其稳定性的增强．凹凸棒石粘土表面及介质的极性增大会使凹凸棒石粘土粒子间斥力增强，促进粒子破碎，改善粒子的粒径分布，同时使粒子在电斥力作用下分散稳定性增高。     

CdTe的ICB淀积和成膜特性

应用一种新的薄膜淀积技术──ＩＣＢ方法，对ＣｄＴｅ薄膜的淀积进行了系统的研究。在单晶Ｓｉ及玻璃衬底上演积的ＣｄＴｅ膜具有定向生长的大晶粒结构，其晶粒尺寸、取向度与离化电流、加速电压等可控实验参数之间的关系在实验结果中得到了反映。通过考察入射原子团与表面的相互作用，研究了表面迁移能力以及电荷存在对成膜特性的影响。     

Sn在Pt电极上的欠电位沉积

采用循环伏安法和电位阶跃法对锡在铂电极上的欠电位沉积（ＵＰＤ）行为进行了研究,讨论了不同沉积时间锡在铂电极上的覆盖度与电位的关系以及锡的吸附沉积量及氧化溶解量与电位的关系,并用循环伏安法对锡原子层的溶出进行了测定。