静止拟微分电位溶出分析法的研究

本文讨论了电位溶出分析的理论,提出了静止拟微分电位溶出的概念,并导出其理论方程式。该方程式描述了静止拟微分电位溶出的峰值,峰电位和其它参数的关系。另外还通过实验验证了理论方程式,并讨论了采样电位间隔AE的选择,汞浓度的影响,静止电位溶出中电容本底产生的原因及其扣除的方法等。     

静止拟微分电位溶出分析法的研究

本文讨论了电位溶出分析的理论,提出了静止拟微分电位溶出的概念,并导出其理论方程式。该方程式描述了静止拟微分电位溶出的峰值,峰电位和其它参数的关系。另外还通过实验验证了理论方程式,并讨论了采样电位间隔AE的选择,汞浓度的影响,静止电位溶出中电容本底产生的原因及其扣除的方法等。     

超塑性原理 基于热动力学原理的塑性理论近似

本书论述了塑性理论和热动力学之间的相互作用，并介绍了固体发生非线性和不可逆变形时的理论模型。塑性理论的近似方法严格基于热动力学，因此确保了所介绍的模型服从热力学定律的约束。本书着重强调了势函数的应用，以及基于两个标量势得到材料不可逆行为本构模型的推导过程。     

不可逆过程与时间无关的判别条件

以不可逆热力学为基础,推导出了判别不可逆过程是否与时间无关的热力学条件,并证明了在时间无关不可逆过程中求解内变量演化方程的公式．     

汽—液相变中成核的热力学理论

对现有汽－液相变过程有关文献中关于汽泡形成过程的分析提出了不同看法，并利用热力学理论从亚稳平衡态的特性出发对汽泡形成的热力学机制作出了分析，对系统从液态转变到汽－液共存状态的各阶段作出了说明。     

电位溶出速率常数物理意义的探讨

本文从理论和实验上证明,汞膜和金膜电极的电位溶出过程的速率,由溶液中的氧化剂在电极表面的极限流量所决定,与氧化剂本身的氧化—还原过程中的电子转移数无关,从而获得了完全的常规电位溶出的过渡时间方程式。     

汽－液相变中成核的热力学理论

对现有汽－液相变过程有关文献中关于汽泡形成过程的分析提出了不同看法，并利用热力学理论从亚稳平衡态的特性出发对汽泡形成的热力学机制作出了分析，对系统从液态转变到汽－液共存状态的各阶段作出了说明。     

关于热力学基本方程及其应用的讨论

热力学基本方程dU＜TdS—dA是从热力学第一定律和第二定律推导出来的。对于封闭、均匀的PVT系统，热力学基本方程写成dU＜TdS—PdV（1）可逆过程取等号，T、P是系统的温度和压强；不可逆过程取不等号，T代表热源的温度，P代表外界作用在系统上的压强。在实际应用中，常将热力学基本方程表述为dU＝TdSPdV（2）方程（2）适用于可逆过程是毫无异议的，是否也可用于讨论不可逆过程的热力学问题，如果不能用于不可逆过程，函授教材中为什么用它来研究不可逆过程的热力学问题（如求理想气体绝热自由膨胀和节流膨胀等过程的搞变），初学者…     

电位分析法在非水介质中的应用

评述电位分析法在非水介质中的应用，对测定中所用指示电极、参比电极、有机溶剂及出现的液接电位问题进行了讨论。     

含水泥质砂岩导电特性的机理研究

为研究含水泥质砂岩导电特性的机理，由单毛管双电层电位理论和阳离子交换量与Zeta电位的关系，得到了毛管径向电位分布和离子浓度分布。根据离子浓度分布与液体导电理论，结合串联毛管束模型，推导了含水泥质砂岩电导率的计算公式。利用此公式进行了理论计算，计算结果表明该理论与W—S模型有较好的一致性。并用该理论讨论了W—S模型的适用范围及阳离子交换量与渗透率对模型中B系数的影响。     

磁性隧道结电阻与电流驱动相关性分析

利用离子束高真空复合溅射装置置备具有Ta缓冲层和Ta/Te/Ta覆盖表面层的Fe/Al2O3/FeCo的磁性隧道结，在零磁场下观测隧道结电导和结电阻面积积（RA）与垂直射入隧道结平面的自旋极化发射电流的依赖关系，研究关系，研究发现，磁性隧道结的电导和RA的发射电流驱动效应取决于隧道结的物相成分，微结构和电流强度，在大驱动电流范围观测电到导特性不同的4个区域。     

半导体／液结费米能级钉着的理论分析

在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化还原对的电位,后者不随氧化还原对的电位和外加电位而变化,费米能级钉着在表面态。n-GaAs 电极的光电效应和电反射效应的实验结果证明理论分析的合理性。     

Numerical Simulation of Open-Channel Flow in 90-Degree Combining Junction

Combining flows often occur in open channel networks of drainage systems and river engineering. Open-channel junction flows were analyzed by solving the depth-averaged two-dimensional, elliptic Reynolds-averaged Navier-Stokes equations with the Hanjalic-Launder (H-L) modification to the κ-ε turbulence model without the free surface “rigid lid” approximation with an efficient finite-volume procedure. The model can also analyze flows with separation. The model was used to analyze the relative importance of various factors and was compared with laboratory measurements. The H-L modification produced much better simulations of the separation zone size with 20% better accuracy than the standard κ-ε model. The H-L modification was then used to study the characteristic of junction flows and the separation zones with different discharge ratios. The simulational results show that separation zone size decreases as the discharge ratio of the upstream main channel to the downstream channel increases.     

细胞间隙连接与肿瘤

介绍细胞间隙连接的结构、功能和调节，着重阐述间隙连接介导的细胞间通讯在肿瘤中的变化、影响因素以及在肿瘤治疗中的作用。     

等宽明渠交汇口壅水特性数值模拟

为研究不同交汇角度θ和流量比q对明渠交汇口壅水特性的影响规律,利用体积函数法(VOF)追踪自由表面,采用雷诺应力模型(RSM)封闭控制方程,建立明渠交汇水流三维数值仿真模型,对3种流量比和7种交汇角的21种组合工况进行模拟研究,对交汇口附近的三维壅水形态进行分析。结果表明:由于支流汇入的顶托作用,上游区域内水位壅高,交汇区域内出现水面跌落现象;同一流量比工况下,随着交汇角的增大,上游水位逐渐增大,下游水面跌落现象越来越剧烈;对所有工况的上下游最小水深比h^*_d和最大水深比h^*_m进行计算,发现在本文研究的流量比及交汇角变化范围内,上下游最小和最大水深比均随着交汇角的增大而增大,随着流量比的增加而减小。最后,对上下游水深比的变化范围进行分析,得出结论:同一流量比工况下,交汇角增大,交汇口附近水面变幅增大;同一交汇角度工况下,流量比增大,交汇口附近水面变幅减小。     

管网结点处两相流相分离流动可视化在线检测实验研究

采用在线式可视化图象技术，对管网中的特征结构元件－－等直径水平Ｔ形分叉管（Ｄ＝３５ｍｍ）的空气－水泡状流，弹状流，分层流的相分离现象进行了实验研究，发现并定义了“新型完全相分离现象”，即在特定工况下，入流的气相流体将完全从直管出口流出，另外通过可视化研究对“压力波反馈效应”及“分叉管中气相重组现象”进行了分析和探讨；将入口质量流量、入口干度及支管质量抽走率对两相分离率的影响作了比较和分析。     

少子MIS隧道结发射极晶体管场感应结模型

对少于ＭＩＳ隧道结发射极晶体管提出一种场感应结模型，以此模型为基础，导出该器件的ｈＥＥ与金属功函数及基区掺杂浓度的关系，所得结果与实验数据符合较好。     

MgF_2薄膜器件的结构、导电和发光

通过蒸镀ＭｇＦ２薄膜制作了一种可均匀发射可见光的新型金属一绝缘体一金属结型发光器件。论证了它的内层结构、导电机理及其发光的物理图象：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子在Ａｕ－真空界面激发表面等离极化激元（ＳＰＰ）；Ａｕ－真空界面的ＳＰＰ通过表面粗糙度与外光子耦合。这一图象与该器件的电流－电压（Ｉ－Ｖ）、电流－温度（Ｉ－Ｔ）关系及其发射光谱的主要特征一致。     

终端带单一场环的P＋N结击电压分析

利用了平面结击穿电压的归一化表达式,研究了终端带单一场环的P＋N结击穿电压特性,通过解峰值电场方程,给出了确定主结与单浮环最佳间距的简便方法,得到了在未穿通情况下,具有单场保护环平面终端端优化设计的理论公式。