SF_6气体中绝缘子沿面放电的发光特性

利用光电倍增管及高速摄影机 ,对SF6气体中绝缘子沿面预放电及放电通道形成过程中的发光进行了检测 ,得出快速振荡冲击 (FOI)比雷电冲击 (LI)更容易使绝缘子沿面的SF6气体产生电离与复合 ,从而造成快速振荡冲击电压下 ,极不均匀场中绝缘子沿面放电电压的降低 .试验结果还证实 ,雷电冲击下绝缘子沿面放电遵循先驱机理 ,而快速振荡冲击下放电遵循先驱与高频联合机理 .     

几种国产盘形悬式绝缘子链放电性能的比较

在本文中研究了我国三个主要电瓷厂所生产的五种绝缘子链的工频干闪电压,冲击放电电压 及冲击伏秒特性。绝缘链元件个数为６－７个。（由於设备参数限制只做４个元件的冲击伏秒特 性）。通过实验确定了五种绝缘子链的放电梯度,其中数ＸＱ－４．５型的电梯度最高,它的冲击 放电梯度达７．１仟伏／公分,工频湿闪梯度达１．３７仟伏／公分。П－４．５型绝缘子虽尺寸大但湿 闪梯度却不高,认为为了提高放电梯度在缩短п４．５型绝缘子结构高度的同时,应增长裙下漏 距离。 由伏秒特性看到增多棱数将使绝缘子正负冲击伏秒特性区别增大,且棱多时负特性在正特性 之上,反之负特性在正特性之下,不过二者十分接近。 在实验中发现各厂生产的绝缘子的放电电压值有出入,即使同厂家制造的同一型号的绝缘子 的放电电压值也有很大分散性,估计主要由於表面状态的影响。     

等离子体焦点中的毫微秒脉冲沿面放电

等离子体焦点装置的性能与在装置中绝缘子表面上发生的初始击穿有关。本工作用毫微秒矩形脉冲发生器结合普通照相的方法研究了焦点装置中套管型绝缘子的沿面放电 发展过程，得到了时间分辩率达（５—１０）×１０－９ｓ的放电发展过程相片。放电沿绝缘子表面发展，其平均发展速度随所加脉冲幅值、宽度、极性以及放电室内的气压而变。当气压在５—２００Ｔｏｒｒ，脉冲幅值在６—１５ＫＶ，脉冲宽度在５—８０ｎｓ的范围内，放电发展速度在１０７—２×１０９ｃｍ／ｓ之间。试验指出，放电的发光通道连通两极后，放电通道并 不立即转变为良好的等离子体低阻通道。     

负极性振荡雷电冲击电压下SF_6尖板模型局部放电特性

为了深入研究尖板模型振荡雷电冲击电压下局部放电特性,首先搭建了振荡冲击电压发生器,产生符合IEC 60060-3标准的振荡型雷电冲击电压,基于特高频法和脉冲电流法,建立了冲击电压下局部放电测量系统,进而构建了SF6尖板模型,对负极性振荡雷电冲击电压下局部放电进行了测量,对比了特高频法和脉冲电流法测量局部放电的灵敏度,分析了放电时延、放电幅值、放电数目和放电相位随外施电压的变化规律。结果表明:特高频法测量灵敏度更高,适合在气体绝缘组合电器(GIS)现场冲击耐压试验中使用;局部放电集中在外施电压各波峰附近;随着外施电压的升高,放电时延和放电起始相位急剧减小,放电结束相位则稍有增大;各周期放电幅值和数目随波峰电压的升高而线性增加。进一步分析表明,在负极性振荡雷电冲击电压下,局部放电的产生和发展可用金属电极表面发射、负离子场致碰撞脱附和电晕稳定化作用进行很好的阐释。研究成果有助于GIS现场冲击耐压试验中局部放电的检测与分析。     

三元混合气体SF_6／CCl_2F_2／N_2击穿特性研究

研究了不同电场分布中三元混合气体ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２／Ｎ２的工频电压击穿特性和冲击电压击穿特性．气压范围为１００ｋｐａ～３００ｋｐａ．结果表明，适当配比的ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２／Ｎ２混合气体具有相当于甚至优于纯ＳＦ６的击穿强度．     

污秽覆冰绝缘子动态闪络特性分析

为研究在污秽与覆冰共存条件下的绝缘子动态闪络特性,基于FXBW4-10/100悬式复合绝缘子,通过覆冰水电导率方法模拟了覆冰绝缘子污秽,记录了局部电弧起弧位置和局部电弧形成至发展为沿面闪络的过程,得到了不同污秽程度下覆冰绝缘子的闪络电压变化规律。并建立了覆冰绝缘子动态闪络模型。结果表明:随着覆冰水电导率的增大,绝缘子闪络电压先下降后趋于稳定;闪络过程中,绝缘子上下钢脚处最先起弧;无冰区的存在严重畸变了绝缘子沿面电位分布,无冰区长度越短,畸变越明显。     

几种SF6混合气体的耐电强度及分析

在Ｅ／Ｐ值为１５．０～９４．０ｋｖ（ｍｍ．ＭＰａ）范围内采用稳态汤逊法（ＳＳＴ）测量了ＳＦ６／Ｎ２，ＳＦ６／ＳＯ２，ＳＦ６／Ｈｅ，ＳＦ６／Ｎｅ，ＳＦ６／Ａｒ，ＳＦ６／Ｋｒ，ＳＦ６／Ｘｅ等混合气体的电子崩电流，确定了电离系数α吸附系数η和有效电离系数α，用最小二乘法求出了α／Ｐ与Ｅ／Ｐ值的关系，给出了在各混合比下这些混合气体的临界耐电强度值（Ｅ／Ｐ）ｌｉｍ并分析和比较了这些混合气体的绝缘特性。     

深振荡磁控溅射的脉冲放电特性

深振荡磁控溅射（Deep Oscillation Magnetron Sputtering, DOMS）通过一系列调制的电压微脉冲振荡波形,能够实现完全消除电弧放电和靶材近全离化,实现高密度、低离子能量和高束流密度的等离子体沉积．本文综述了DOMS的技术原理和深振荡脉冲放电特性对等离子体离子种类、离子能量的时空演化过程的影响,结果表明,DOMS脉冲参数对靶离化过程的影响遵循电压-时间演变规律,靶离化过程为随短脉冲电压振荡的阶段性离化．      

GIS盆式绝缘子耐压局部放电试验设备的研究与应用

盆式绝缘子是六氟化硫封闭式组合电器（GIS）的重要部件，为保证其在产品中的可靠性，除了制造盆式绝缘子比较注意沿面放电距离的电气可靠性之外，更应当关心在工作电压长期作用下的绝缘可靠性。因此，应通过反复试验进行验证，研究并解决实验设备配置等问题，以达到其可靠性的要求。     

高氯酸铽,六氟磷酸铽与二苯基亚砜,苯丁基亚砜配合…

合成了Ｔｂ（ＤＰＳＯ）６·（ＣｌＯ４）３、Ｔｂ（ＤＰＳＯ）７·（ＰＦ）及Ｔｂ（ＰＢＳＯ）６·（ＣｌＯ４）３配合物（ＤＰＳＯ为二苯基亚砜ＰＢＳＯ为苯丁基亚砜）。在室温下测定了它们的固体粉末荧光激发和发射光谱，结果表明Ｔｂ（ＤＰＳＯ）６·（ＣｌＯ４）３配合物中Ｔｂ＾３＋的发光强度最高，其中＾５Ｄ４→＾７Ｆ５跃迁谱带强度高达８０６．２ｃｄ，Ｔｂ（ＤＰＳＯ）７（ＰＦ６）３配合物中Ｔｂ＾３＋发光强度次之，Ｔ