多通道电离过程中光电子角分布的干涉分析

基于光电子成像光谱技术原理,研究了双光子共振三光子电离方法获得的光电子成像图谱.着重分析了多通道电离过程中光电子的干涉作用对成像光谱的影响.结果表明,多通道电离过程中产生的光电子角分布与激发态的能态特点有关.     

光电子成像方法研究N2多光子电离过程

利用速度映像成像技术实验探测了N2在70 fs,410 nm,场强(1-3)×1014W/cm2范围内的光电子成像,获得了光电子的动能分布和角分布.研究表明分子强场电离有一些和原子相似的性质.电子产生于两步过程,中间态有真实布居.在低场强非共振布居转移起主要作用,在较高场强共振布居转移起主要作用.光电子角分布体现中间态的角量子数特征.     

基于光电子成像技术的碘甲烷多光子电离行为

利用飞秒光电子成像技术研究了碘甲烷在超短激光脉冲场中的多光子电离解离行为.实验获得了碘甲烷分子在400 nm飞秒激光作用下的飞行时间质谱以及电离产生的光电子影像.实验结果表明,在超短脉冲激光场中,分子的电离通常是非共振电离,电离产物主要为母体离子和极少量的碎片离子.从光电子成像中获得的光电子平动能分布可以得到电离产生的电子p_1(2. 03 eV)和p_2(2. 67 eV)分别来源于母体离子的基态和激发态.从光电子成像中获得的角度分布可以推测出,光电子峰p_1和p_2可以分别近似看做单光子电离和双光子电离过程,且光电子散射角度趋于各向同性分布.     

高频强激光场中氢原子基态电离特性研究

本文采用相空间平均法详细研究了氢原子H的基态(1s)在外加高频强激光脉冲作用下的电离率及光电子角分布情况.侧重探讨了激光频率、偏振、脉冲长度和位相对原子电离的影响.研究发现,对超短脉冲,电离对激光场的位相非常敏感.根据激光脉冲上升沿和下降沿陡峭程度,提出了"位相模糊区"的概念,对基态氢原子电离特性的位相依赖给予了很好的区分和解释.     

原子在强激光场中的超阈值电离

在中心场理论的基础上，利用改进的KRF方法，考虑到残留离子势对末态光电子的影响，推导出了原子在强激光场中超阈值电离微分跃迁几率的解析表达式。利用该公式，对末态光电子的角分布进行了定性讨论。     

阈值光电子-光离子符合速度成像技术的初步应用

基于同步辐射的闲值光电子-光离子符合速度成像技术采用双速度聚焦电场同时控制电子和离子的飞行轨迹,提高了收集效率和能量分辨率.应用该技术开展了一些原子和分子的实验研究,分别测量了相应的阈值光电子谱、阈值光电子-光离子符合质谱、阈值光电子-光离子符合光谱和阈值光电子-光离子符合速度成像,展现了该技术在离子结构分析、混合物成分辨别和具有态选择的离子解离动力学等方面的初步应用.     

调频场作用下双光子电离光电子谱特性

应用微扰理论和数值计算方法,研究了调频光场作用下激发与电离模型中双光子电离光电子谱的相干特性.分析了调频光场的调制振幅、调制频率以及初相位对双光子电离光电子谱的影响.结果表明,调制振幅、调制频率以及初相位对双光子电离光电子谱有调制作用.选取合适的参量,可以实现对双光子电离光电子谱的量子控制.这一相干量子控制的机理是强场作用下激发态的粒子在两个缀饰态之间的选择性布局所致.     

原子在强激光场中的超阈值电离

在中心场理论的基础上,利用改进的KFR方法,考虑到残留离子势对末态光电子的影响,推导出了原子在强激光场中超阈值电离微分跃迁几率的解析表达式.利用该公式,对末态光电子的角分布进行了定性讨论.     

染料增感的碘溴化银照相材料的光电子特性

利用微波介电检测技术检测了在420～680 nm范围内曝光的由2种不同染料光谱增感的AgBrI样品的光电子行为.结果表明光电子强度与染料的反射吸收光谱符合得很好,微波介电检测技术可快速检测光谱增感过程中的光电子,从而可用于研究光谱增感中染料的特性.     

基于类共振增强的分子结构成像

阈上电离是强激光场与原子分子相互作用的基本现象之一。由于电离光电子携带了分子的信息,因此可以利用阈上电离对分子结构成像。类共振增强现象是一种新奇的高阶阈上电离现象,其对分子结构十分敏感,文章提出了一种利用类共振增强现象来提取分子结构信息的方法。基本思路是:首先得到类共振增强对应光强下,固定取向的分子以及对应的伴随原子的光电子能谱;其次将分子与原子能谱进行对比从而得到类共振增强区域的干涉结构,进而提取出分子的结构信息。利用S矩阵方法对上述方案进行了理论验证。计算了不同分子取向下N2以及其伴随原子Ar的高阶阈上电离能谱。分子与其伴随原子间的电离率比值在类共振增强区域会出现周期性的干涉结构,从而能够提取到分子的结构信息。     

卤化银中光电子衰减动力学计算机模拟

卤化银的感光过程是一个光电子衰减动力学过程,对卤化银感光材料的光作用衰减动力学进行研究,能从根本上探索感光过程的微观机理.实验上采用微波技术只能测得自由光电子的衰减信号,无法区分卤化银中的各种俘获中心对光电子衰减的作用.而这种计算机模拟方法不仅可以得到自由光电子的衰减曲线,还可同时获得各种俘获中心中载流子的行为曲线.因此可弥补实验的不足,实现对卤化银感光过程微观机理的深入研究.本文详细地介绍了光电子衰减动力学的模拟过程.     

菁染料吸附对卤化银晶体中光电子特性的影响

利用微波吸收非接触测量技术检测了尺寸为微米量级卤化银晶体的光电子衰减特性,通过分析自由光电子衰减谱的变化,发现掺入有机染料可实现AgBrI-T颗粒和AgCl立方体微晶中所积累的自由光电子加速衰减;染料在不同晶体界面的吸附聚集程度是影响光电子衰减的重要原因.     

杨氏双缝干涉实验中光的相干叠加与非相干叠加问题

从纯经典理论角度分析了杨氏双缝干涉花样的成因，分析得出：花样的分布是由光的相干因素决定的，而花样的光强度则是由光的非相干因素决定的。     

基于波长颜色映射关系的白光干涉及衍射图样仿真

依据建立的可见光波长与MATLAB色谱矩阵参数的映射关系,把按照真实实验参数计算获得的杨氏干涉实验干涉图样的强度分布,变成了用于干涉图样显示的色谱矩阵,从而实现了单色光杨氏干涉实验的计算机写真;以同样的方式获得了单色光圆孔夫琅和费衍射实验的计算机写真。以此为铺垫,根据颜色匹配理论和计算机颜色显示的叠加原理,用波长分别为700 nm(红)、546.1 nm(绿)和435.8 nm(蓝)的光谱色为三原色匹配等能白光,实现白光杨氏干涉和圆孔夫琅和费衍射图样的计算机仿真。这种方法可广泛用于与可见光有关的色散、激光传播规律、空间滤波等物理现象讨论与分析。     

发光二极管辐射模型的快速建立与验证

基于Source Property Generator软件,根据配光曲线图快速获得相应的光源数据,提出运用非线性回归分析阻尼最小二乘(L-M)法,由模拟公式得到的光源数据与由配光曲线(或测量)获得的光源数据之间的误差,以寻求模拟公式参数的变化步长;然后,由误差均方根与归一化互相关两个判断标准来重建辐射模型的精确性.结果显示:误差均方根低于1%,归一化互相关接近100%.该方法只需提供光源的配光曲线图即可以获得相应的光强分布函数和辐射模型,如果前面的函数设置没有出现错误,一般只要一次就能通过验证;而且只要改变某些要求参数,即可便捷地设计出一系列同类型透镜的辐射模型函数.     

中厚板角轧过程的形状预测模型研究

大单重或小展宽比的中厚钢板,可以采用角轧技术进行生产,以解决因设备限制无法生产或由于多次转钢导致生产效率低的问题.基于体积不变原理和三角函数关系,推导了中厚板角轧过程的轧件形状尺寸变化公式,获得角轧实现矩形化的转角和压下量关系,建立了角轧过程转角、压下量与宽展之间的预测模型.设计了中厚板角轧过程形状预测计算程序流程,简化角轧过程的宽展计算,进行角轧形状预测程序的开发.利用角轧实验对形状预测模型进行验证,模型计算尺寸数据与实际轧制尺寸数据的最大误差为6.22%,表明角轧形状预测模型具有较高精度.     

被动雷达导引头对抗有源诱偏干扰技术

对反辐射导弹在有源诱偏下的失误距离进行了分析,讨论了减小失误距离的途径;针对反辐射导弹抗诱偏对导引头分辨角的需求,建立了基于均匀圆阵的二维DOA估计模型,讨论了角分辨算法在导引头中的具体应用;通过对不同信噪比和快拍数下导引头分辨概率的仿真,表明该算法能够满足分辨角的要求。     

涡旋光束的轨道角动量双缝干涉实验研究

利用计算机全息振幅二元光栅对基模高斯光束进行衍射,实验产生不同阶次拉盖尔-高斯（Laguerre-Gaussian,LG）涡旋光束,用得到的不同阶的LG光束进行双缝干涉实验,根据采集到的干涉条纹扭曲方向及条纹扭曲程度实现涡旋光束轨道角动量的测量,通过调整实验光学系统,分析了LG光束轨道角动量的测量精度.结果表明,基模高斯光束束宽与全息光栅尺寸的合理选择会影响到生成的涡旋光束质量.在确定基模高斯光束束宽的情况下,双缝间距与光束束宽的比例为1：1.5时,双缝对生成的LG光束干涉条纹扭曲效果明显,LG光束轨道角动量测量误差最小.     

基于MATLAB的杨氏双缝干涉实验模拟

根据光的双缝干涉实验理论,利用MATLAB编写程序对双缝干涉实验进行模拟,绘制出双缝干涉的图样和光强分布曲线,并且同步计算出相应的条纹间距和对比度,直观地展现了单色光的双缝干涉这一物理现象,实验结果与实际计算结果一致,为双缝干涉的理论与实验提供了有效的支持.