GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.     

正交函数法测定血中咖啡因含量的实验研究

应用Glenn正交发光光度法测定血中咖啡因的含量,正交多项式为φa(λ),波长点数为5,波长范围260nm～280nm,波长间隔Δλ=5nm,中心波长λm=272nm,不相关吸收被减小到可忽略不计,正交多项式(P2)与不同浓度的咖啡因之间的线性关系良好(r=0．9999)．方法的实验平均回收率为99．8％,变异系数0．39％．本方法适合于常规药物分析和法医中毒分析．     

亚纯函数的充满圆和公共Borel方向

设argz=θ0为λ级亚纯函数f(z)的λ级Borel方向(O<λ< ∞)．若argz=θo不是f′(z)的λ级Borel方向．则存在f(z)的一列λ级充满圆{DK}，K=1，…，使得，m(DK),f=0)=r(Dk，f=1)     

利用固定矩阵计算亏损矩阵的幂级数之和

通过方阵A的极小多项式φ（λ)=(λ-λ1)(λ-λ2）^n2…（λ-λ3)^ns的指数来定义可变系数向量V(m)，并构成A的固定矩阵D．利用固定矩阵D，将计算亏损矩阵的幂级数公式A^m=PJ^mP^-1改进为A^m=V(m)D^-1(E,A,…，A^w-1)^T，免去求若当链及P^-1的步骤．     

高维Neuberg-Pedoe不等式的再推广

用初等简洁的方法证明了一个比已有结果更加广泛的分析不等式：设k，n∈N，μ&gt;0，xi&gt;0，i=1，…，n，且∑^i=1^nxi=λ，则当k≤n-μ+1时有，Ek(λ/x1-μ，…，λ/xn-μ)≥(k^n)(n-μ)^k，等号成立当且仅当x1=…=xn=λ/n．     

向量值有理插值函数的递推算法

针对向量连分式序列Rn(x)=bo x-xo/b1 … x-xn-x/bn,n=0,1,2,…利用向量的Samelson逆，建立了类似于标量逐步有理插值算法的向量有理函数插值的逐步递推算法：Pλ=dλ,λPλ-1 ∑λ-1 i=1wi^λdλ-i,λPλ-i-1 (x-xλ-1)^2Pλ-2 ωλ^λBλ,Qλ=dλ,λQλ-1 ∑λ-1i=1wi^λdλ-i,λQλ-i-1 (x-xλ-1)^2Qλ-2,λ=2,3,…，n（＊） 其中{P0=b0,Q0=1;{P1=d1,1P0 ω1^1b1,Q1=d1,1Q0,Rλ(x)=Pλ(x)/Qλ(x)(λ=0,1,…，n)是满足插值条件Rλ（xi))=Rλ(xi)Qλ(xi)=Vi,i=0,1,…，λ 的向量有理函数，与向量与理函数插值的传统算法相比，上述算法的主要优点是具有承袭性；当需要增加一个插值条件Rn 1(xn-1)=Vn 1时，原来已经得到的向量有理插值函数序列P0／Q0，P1／Q1，…，Pn/Qn仍然保留，只要按（＊）式再计算一个Pn 1(x),Qn 1(x)即可。在此基础上，将上述算法推广到二元情形，数值实例验证了所给算法的有效性。     

两个完全图Kn和Km关于Kr-粘合的色等价类

设G的色多项式为P(G,λ)=λ^ko(λ-1)^k1…(λ—m 1)^km-1(λ-m)…(λ—n 1),其中,m≤n,且ki=1或2(i=0,1,…,m-1),且k0≤k1≤…≤km-1．本文给出了几类由上述形式色多项式决定的广义树,并证明了{{Kn,Km},{Kr}}是一个完全类当且仅当r=m-1或m．     

一种绿色磷光铱配合物的合成、表征及发光性质

为开发不同发光颜色的磷光材料,合成了一种新的磷光铱()配合物,通过紫外-可见吸收光谱、发射光谱、核磁共振氢谱及元素分析对其结构进行了表征.该配合物在溶液中表现为强的绿光发射(λem=529 nm),其薄膜则表现为橙红色发光(λem=618 nm).以其作为发光材料制备的电致发光(EL,Electroluminescent)器件的最大亮度为13 157 cd/m2,外量子效率为13.6%.     

用不等式刻画的线性函数

应用有限维实数组，即A1={[λ1]=(λ1，λ2，…，λn)，λi∈R，i=1，2，…，n}，n↑∑↑i=1λi=1和A↓xi∈R，i=1，2，…，n满足Jensen不等式的凸函数f：f(n↑∑↑i=1λixi)≤n↑∑↑i=1λif(xi)，刻画了线性函数与仿射函数。     

磁通涡旋线的临界磁场

将计算所得的涡旋磁通自由能F^[1]进行求导，得到a，b，x之间的关系式．由此，只要知道电荷数、粒子质量，利用图解法即可求出α，β的值．再利用1／h=λ(λ是穿透深度)，将λ进行代换，最终得出λ与h，ξ与η，x与κ间的关系．对于单位磁通线BV=BS=Φ=φ0则可计算出高κ近似下的第一临界磁场Hc1，并进一步求出hc1．