电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜,电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ,可见光范围内平均透过率高于９０％．     

锑在硼砂溶液中阳极成极膜规律的研究（Ⅱ）

本文利用线性电位扫描，ｘ射线衍射和恒电位阳极极化电流与时间的关系研究了锑在０．０５ｍｏｌ·ｄｍ－３Ｎａ２Ｂ４Ｏ７＋０．５ｍｏｌ·ｄｍ（－３）Ｎａ２ＳＯ＿４溶液中（ＰＨ＝９．１，３０℃）于１．２Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）阳极成膜３ｈ，阳极形成膜相组成及其生长规律。实验结果表明，本工作中的阳极膜主要组成是Ｓｂ＿２Ｏ＿３和ＳｂＯＨＳＯ＿４·Ｈ＿２Ｏ，膜生长规律大致包括金属的溶解→氧化物膜的形成与增厚→膜的钝化。     

钢铁表面常温黑化剂的研究

通过对钢铁表面的三种常温黑化剂配方的试验，研究了这三种黑化剂的工艺条件和膜层性能．结果表明：ＣｕＳＯ４·５Ｈ２Ｏ，ＮｉＣｌ２·６Ｈ２Ｏ均为２ｇ·Ｌ－１；Ｈ２ＳｅＯ３，Ｚｎ（Ｈ２ＰＯ４）２均为４ｇ·Ｌ－１；络合剂Ａ，Ｂ和Ｃ均为２ｇ·Ｌ－１；促进剂为５ｇ·Ｌ－１；ＰＨ为２．３～２．５的配方较佳．另外，发黑前工件表面必须彻底除油除锈，提高膜层与基体的结合力；发黑后的工件必须清洗干净后油封，增强膜层的耐蚀性     

三辛基氧化磷(TOPO)萃取钯机理的研究

本文报道了三辛基氧化磷（ＴＯＰＯ）从高氯酸体系中萃取钯的机理。结果表明：钯的萃取率随ｐＨ的增大而增大与高氯酸根离子浓度无关。采用斜率法测得萃合物组成为：Ｐｄ·Ｌ４。萃取反应方程式为： ４ＴＯＰＯ（ｏ）＋Ｐｄ（Ａ）２＋＋２ＣＩＯ４＝〔Ｐｄ·ＴＯＰＯ４〕（ＣＬＯ４）２（０）     

电致变色中电介质膜参数的研究

对电介型电致变色系统的基本原理进行了探讨，给出了电介型Ｇ／ＩＴＯ／ＷＯ３／Ｔａ２Ｏ５／ＩＴＯ系统用电子束蒸发的制备参数，分析了电介质中的吸附水对着色的重要意义，对影响该系统性能的因素如制备工艺参数、ＩＴＯ膜方块电阻和电场大小等进行了讨论，最后对电介质膜层提出了要求。     

射频磁控溅射沉积SiO2膜的研究

研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．     

磷渣硅酸盐水泥水化反应机理研究

通过Ｘ－ｒａｙ衍射分析和扫描电镜观察,结合不同龄期磷渣与矿渣反应量及结合水量的试验比较,分析了磷渣缓凝机理,Ｎａ２ＳＯ４的激发机理,提出了磷渣硅酸盐水泥的水化反应机理。由于Ｎａ２ＳＯ４加速了熟料矿物Ｃ３Ｓ和Ｃ３Ａ的水化,抵消了磷渣和ＣａＳＯ４·２Ｈ２Ｏ的缓凝作用,从而使磷渣硅酸盐水泥的水化反应加速。     

锑在弱碱溶液中阳极成膜规律的研究

利用恒电位阳极极化电流与极化时间的关系、线性电位扫描及Ｘ射线衍射研究了锑在２．５×１０－５ｍｏｌ／ｍ３ＮａＨＣＯ３＋２．５×１０－５ｍｏｌ／ｍ３Ｎａ２ＣＯ３＋５．０×１０－４ｍｏｌ／ｍ３Ｎａ２ＳＯ４溶液中（ｐＨ＝９．１，３０℃）于１．２Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）阳极成膜３ｈ，阳极成膜规律及膜相组成与结构。实验结果表明，本工作中的阳极膜主要由Ｓｂ２Ｏ３（斜方）晶体构成，成膜规律为锑的溶解与锑氧离子ＳｂＯ＋的生成→锑氧化物膜的形成与增厚→氧化物膜的钝化。     

BaB_2O_4－CaB_2O_4赝二元系相平衡的研究

用差热分析和Ｘ射线粉末衍射等方法研究了ＢａＢ２Ｏ４－ＣａＢ２Ｏ４赝二元系的相平衡关系．在该体系中发现了一个新的化合物２ＢａＢ２Ｏ４·ＣａＢ２Ｏ４，该化合物在１１１７±３℃同成分溶化．２ＢａＢ２Ｏ３·ＣａＢ２Ｏ４对ＢａＢ２Ｏ４和ＣａＢ２Ｏ４均为共晶体系，其共晶温度分别为１０７６±３℃和１０４６±３℃，共晶．点组成分别为１３．９ｍｏｌ％ＣａＢ２Ｏ４和６７．１８ｍｏｌ％ＣａＢ２Ｏ４．文中还对该化合物的结构进行了探索．     

导电高分子和无机氧化物为基灵巧窗口的探索

用电化学合成的方法在氧化铟锡导电玻璃上分别镀上了电致变色的三氧化钨和聚苯胺膜，并将这两种ＩＴＯ玻璃用高分子电解质粘结形成灵巧窗口。当外加电压在－１．４Ｖ－＋１．４Ｖ之间变化时，灵巧窗口在可见光区具有很显的透光率变化。