烷基取代的聚噻吩——结构与性质关系

ＤＳＣ数据表明，烷基取代的聚噻吩的吸热转化温度随取代烷基中碳原子数的增加而降低，聚（３－烷基噻吩）（Ｐ１ＡＴＳ）及其与乙烯－醋酸乙烯酯共聚物的共混物的ＵＶ吸收与烷基侧链长度，浓度及温度有关。层奖结构的形成脑矣合物主链的棒－线转化是产生“热色显示”及“溶剂化显色”原因。     

聚噻吩及聚3-辛基噻吩结构与导电性能研究

采用化学氧化法在不同温度下制备聚噻吩和聚3 辛基噻吩,通过红外光谱（FTIR）, X衍射分析（XRD）,核磁共振谱图（NMR）,X光电子能谱（XPS）和紫外可见光谱（UV Vis）等手段对聚合物进行了研究.结果表明,聚噻吩侧链基团和制备温度会影响聚合物的构型结构,引起聚合物结晶度的变化.聚3-辛基噻吩结晶度最低,低温制备的聚噻吩结晶度最高.导电性能研究表明,聚噻吩的构型结构和结晶度直接影响其电导率.     

聚噻吩(PT)、聚-3-甲基-噻吩(PMT)和聚-3,4-亚乙二氧基-噻吩(PEDT)作为超电容器电极材料的研究

通过线性扫描伏安法分别测试了电解质0．2MEt4NBF4的碳酸丙稀酯溶液在铂电极和玻璃碳电极上的电化学稳定窗口，结果表明，试电解质在玻璃碳电极上更稳定。通过电化学聚合在玻璃碳电极上分别合成了聚噻吩、聚-3-甲基-噻吩和聚-3，4-亚乙二氧基-噻吩，并通过循环伏安对三种导电高分子的掺杂特性进行了表征，分析比较三种导电高分子在电化学掺杂／去掺杂过程中的掺杂电位、可传递电荷、掺杂度和电荷捕获度可知，对于其掺杂电位，PT〉PMT〉PEDT；而对于去掺杂电荷和掺杂度，PEDT〉PMT〉PT，这表明PEDT是更有应用前景的超电客器电极材料。     

掺杂聚合物对有机电致发光二极管的影响

利用甩胶方法在导电玻璃上分别制得单一的聚烷基噻吩并在其中掺杂不同量的聚乙烯咔唑的有机发光层，再用真空蒸发方法将铝沉积在这些有机层上作为发光二极管的负极。选择合适的掺杂比，电致发光二极管在电压为５Ｖ、电流密度为３０ｍＡ／ｃｍ＾２时就有光输出。这一结果表明，掺杂具有空穴特性的聚乙烯咔唑对增强短烷基侧链的聚烷基噻吩电致发光强度是一种有效的方法。     

烷基取代聚噻吩（pat）类高聚物在常温下和液氮中的电致发不特性

本文报导了聚噻吩的两种烷基取代高聚物ｐａｔ６和ｐａｔ１２的光、电性能以及这些高分子材料作发光层试制的发光二极管在常温下和液Ｎ２（－２００℃）中的电致发光特性。     

聚噻吩对醌—氢醌的电催化作用

本文采用循环伏安法研究了在水溶液中电聚合的聚噻吩膜电极对水溶液中醌-氢醌氧化-还原反应的电催化作用。结果表明,一定厚度的聚噻吩膜在较强的酸性条件下对反应有良好的电催化作用。膜的厚度、电聚合成膜时溶液的温度、pH值的大小以及扫描速率的大小对电催化反应有明显的影响。初步研究了电催化反应的动力学过程。     

聚2，5-二甲氧基苯胺和聚噻吩膜电极对Sb3+和Fe(CN)4-6的电催化行为

通过循环伏安法和旋转圆盘电极技术研究了聚2,5－二甲氧基苯胺膜电极（PDMA／Pt)和聚吩膜电极（PTH／Pt)对Sb^3 和Fe(CN)^4- 6离子的电催化行为,在这两种导电聚合物膜电极上Sb^3 和Fe(CN)^4- 6离子的氧化还原电流比光铂电极大数倍至数十倍,氧化还原峰电位之差也比光铂电极明显地减少,这些结果表明PDMA／Pt和PTH/Pt膜电极对Sb3 和Fe(CN)^4- 6离子具有良好电催化活性,在电位扫速较低时膜电极上的电催化过程为扩散控制,在较高电位扫速下电极过程受催化反应速度控制,讨论了影响催化反应活性的因素。     

聚3-己基噻吩的合成与性能研究

以3-溴噻吩为起始原料,依次经烷基化反应、N-溴代丁二酰亚胺溴化反应、格氏反应和聚合反应合成了区域规整的聚3-己基噻吩．通过热重分析、凝胶色谱分析研究了标题化合物的性能．     

侧链含偶氮的聚噻吩甲烯的合成及其三阶非线性研究

为了提高聚噻吩甲烯的非线性光学性能,通过4-醛基-4'-二甲胺基偶氮苯和噻吩的缩聚反应,合成了聚噻吩对二甲氨基偶氮苯甲烷(PTDMAAB),再用PTDMAAB与四氯苯醌发生脱氢反应合成了侧链含偶氮的聚噻吩甲烯(PTDMAABQ).用红外光谱、核磁共振氢谱、紫外-可见吸收光谱对PTDMAABQ进行了结构表征.与PTDMAAB相比,PTDMAABQ的红外谱图在波数为1650cm-1附近出现肩峰,紫外-可见吸收光谱上π→π 吸收峰红移35nm,都说明了醌化反应的发生和共轭结构的形成.X衍射表明,PTDMAABQ主要呈非晶态,但存在有微小晶区;热重分析显示,PTDMAABQ的热分解温度在275℃以上;用Z scan系统研究表明,PT DMAABQ薄膜具有大的非线性折射率和三阶非线性系数,分别为4 926×10-6和3 644×10-9esu.     

聚3-辛基噻吩修饰纳米硫化锌的合成与性质研究

基于半导体硫化锌的光电转换性能改善,采用硫代乙酰胺沉淀法制备了粒径2.6 nm的纳米级硫化锌,并用聚3-辛基噻吩(P3OT)对其进行了表面修饰.通过红外光谱(IR)、粉末X-射线衍射(XRD)、热场发射环境扫描电子显微镜(SEM)、紫外吸收光谱(UV-Vis)等多种手段对表面有机修饰纳米硫化锌晶体进行了表征.