晶形控制剂对六硝基六氮杂异伍兹烷晶形的影响研究

选择不同种类、不同浓度的聚乙烯吡咯烷酮K90和司班80作为晶形控制剂,采用溶剂-非溶剂法制备CL-20。分析了晶形控制剂对六硝基六氮杂异伍兹烷(CL-20)晶体的影响机理,用偏光显微镜和粒度分析仪表征CL-20的粒度、形貌及团聚现象;最后用X射线衍射仪对其晶型进行了表征。结果表明:不同种类、不同浓度的晶形控制剂对晶体形貌的影响有很大差别,聚乙烯吡咯烷酮K90效果最好,在其质量浓度为0.015%时得到粒度在1~10μm之间、分布均匀、表面光滑的ε-CL-20晶体。     

晶形控制剂对苦味酸铵的影响及性能研究

用苦味酸和氨水制备不敏感单质炸药苦味酸铵。在此基础上研究不同晶形控制剂对结晶因素的分析,通过正交实验设计确定了优化晶形控制工艺条件,得到四种不同晶形的样品。采用显微镜、XRD对其进行表征,并对撞击感度和真空安定性进行测试。结果表明:晶形控制剂加入使所得晶体形貌规整、趋于棒状,X射线特征峰强度略有不同,添加3 m L 8%PVP制备晶体的撞击感度和真空安定性最优。     

溶剂热法合成Bi2Te3低维纳米结构及其表征

以NaBiO3·2H2O和Te粉为反应物,聚乙烯吡咯烷酮(PVP K130)为形状调控剂,通过溶剂热法合成具有不同形状的Bi2Te3纳米低维结构.系统研究了反应溶剂、反应温度和时间对Bi2Te3纳米低维结构的形状有显著影响.研究结果表明,反应溶剂、反应温度和时间对Bi2Te3纳米低维结构的形状有显著影响.用聚乙烯吡咯烷酮(PVP K130)作形状调控剂,在乙二酵(EG)中于200℃下反应45小时,成功合成了Bi2Te3纳米方块.用X射线粉末衍射和透射显微镜技术对所制备纳米晶的成分、晶相、形状和尺寸进行了表征分析.     

表面活性剂对HMX重结晶形貌的影响

以丙酮、乙酸乙酯、二甲亚砜(DMSO)、丁内酯和乙腈为溶剂,水为反溶剂,采用溶剂-反溶剂法研究不同溶液体系中表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵(1631)、山梨糖醇酐单油酸酯(斯潘80)及聚氧乙烯山梨醇酐单月桂酸酯(吐温20)对1,3,5,7-四硝基-1,3,5,7-四氮杂环辛烷(奥克托今,亦称HMX)结晶形貌的影响,并对影响机理进行讨论。实验结果表明,表面活性剂对HMX结晶形貌有显著影响,其中十六烷基三甲基氯化铵在大多数结晶体系中是一种更好的晶形控制剂。     

溶剂热法合成不同形貌的NH4Zr23微晶

在低温溶剂热条件下通过调节实验参数控制合成不同形貌的磷酸锆铵微晶.实验表明,向反应体系中添加氟化铵作为矿化剂可降低反应温度,调节反应体系中磷酸的用量可控制产物粒度.采用XRD和SEM对产物的物相、纯度及形貌进行了表征.对制备出的形貌为削角四面体和片层堆积四面体磷酸锆铵微晶的生长机理进行了探讨,晶体的生长趋向于降低表面能.     

六角形Bi_2Te_3纳米片的溶剂热合成及其形貌表征

采用溶剂热方法,通过在乙二醇溶剂中添加适量聚乙烯吡咯烷酮(PVPK-30),在碱性环境和200℃的条件下反应260 min后成功制备单相的Bi2Te3六角形纳米片.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光谱(PL)和紫外-可见吸收光谱(U-VAS)对样品的结构、形貌和光学性质进行表征.     

10-羟基喜树碱纳米微球的制备及表征

采用溶剂-反溶剂重结晶法进行了10-羟基喜树碱纳米化的研究。考察了以水为反溶剂，不同溶剂对10-羟基喜树碱纳米化的影响，以及不同溶剂反溶剂体积比和表面活性剂用量对其颗粒形貌和大小的影响。实验结果表明选择二甲基亚砜为溶剂，水为反溶剂的溶剂反溶剂效果最好，体系重结晶后形成的10-羟基喜树碱颗粒形貌为球形，粒径均一，约为95nm，添加聚乙烯吡咯烷酮增加了纳米化10-羟基喜树碱悬浮液的稳定性。XRD、FT-IR分析测试结果表明，纳米化颗粒为结晶型，结晶度比原料药低，但其化学结构和组分都与原料药相同；纳米化10-羟基喜树碱溶出速率远远大于原料药的溶出速率，在第30min时，纳米化10-羟基喜树碱的溶出累积量已近于100%，而原料药的溶出量仅为11.6%。     

晶体助长剂对α—Fe2O3晶形影响的初步研究

研究了晶体助长剂（ＨＥＤＰ、酒石酸、柠檬酸、ＮａＨ２ＰＯ４）及其浓度对１００℃陈化法制备的αＦｅ２Ｏ３晶形的影响，并采用ＴＥＭ、ＸＲＤ、ＩＲ光谱对产物进行了表征．     

激光粒度仪测定阿霉素纳米颗粒的粒径及粒径分布

以阿霉素为模型药物、N-乙烯基吡咯烷酮为单体,通过反相乳液聚合法制备了聚乙烯吡咯烷酮为载体的阿霉素抗癌纳米颗粒.用激光粒度仪测量了纳米颗粒的粒径大小和粒径分布,同时研究了乳化剂浓度、引发剂浓度、体系水量和反应温度对纳米颗粒尺寸的影响.     

以PVP为结构导向剂合成SrCO3纳米结构

以聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)为结构导向剂,并分别以乙二胺四乙酸二钠(EDTA)和柠檬酸(CA)为配体,合成了不同种形貌的SrCO3.用XRD,TEM和IR对产物进行了表征.结果表明,pH及PVP的质量和配体的类型等因素均对产物形貌有明显影响.     

晶场效应的奇次项

通常晶体电场的计算中只出现偶次项。这是只用到量子力学的一级微扰的缘故。本文通过二级微扰的计算,写出了晶场效应的奇次项。     

基于向列相液晶缺陷的一维光子晶体可调滤波特性的研究

用传输矩阵方法研究了基于向列相液晶缺陷的一维光子晶体的滤波特性,模拟了电压、液晶厚度和双折射对光子晶体透射谱的影响.结果表明,通过外加电压的变化,很容易改变光子晶体透射峰的位置和透射率,液晶层厚度和双折射对透射率有很大影响.据此可设计出一种具有较窄的3dB带宽和较高透射率的电压可调光子晶体滤波器.     

可用微机运行的晶体结构分析程序系统CSPS

本文介绍可用微机运行的晶体结构分析程序系统CSPS的编制原理和特点。该系统由6个主要部分组成:1)衍射数据的处理;2)付里叶合成及帕特逊合成;3)结构因子计算;4)最小二乘精化;5)键长和键角的计算;6)作图。该系统可用于解决X射线晶体结构分析中的几个基本计算。     

全数字晶体振荡器

提出了一种全数字晶体振荡器（ Ｄ Ｃ Ｘ Ｏ） ,讨论了控制方法及控制精度分析、温度补偿方法及保持性能分析,给出了 Ｅ１ 系统 Ｃ３ 时钟的具体参数和计算机辅助分析。     

光子晶体光纤的分析方法

光子晶体光纤在无源光器件及光电子学领域有着广泛的应用。从Helmholtz方程出发推导出电场在光子晶体光纤中传播的本征方程,用简明方法讨论了光子晶体光纤数值研究中的标量模型和全矢量模型,并进一步对光子晶体光纤的模式特征、数值孔径及双折射性质进行分析。     

单片机截获动态液晶数码显示器数据

通过对数字式位移测量仪的分析、测试和研究,总结出用单片机从动态液晶数码显示器上截获数据的一种较为通用的方法     

基于晶体位错理论的F-K模型方程的导出

以晶体的位错理论为基础,建立完全离散的晶体位错模型,仅考虑最近邻原子间相互作用,运用格林函数法,严格、定量导出F—K模型方程。     

草酸铵结晶紫染液中污染细菌的培养特性

介绍了检出和培养草酸铵结晶紫染液中污染菌的基本方法，污染菌的形态及其生物学特征。     

晶体生长温控仪的程控化改造

对提拉法晶体生长中所使用的温度控制仪器ＤＷＴ七０ 二精密温度自动控制仪进行程序化改造．改装后的程序化控制系统对本拉晶工艺适用,方便,降低了操作人员的劳动强度,改善了晶体的质量     

HoNiSb晶体结构的Rietveld修正

利用Rietveld修正方法 ,从X射线粉末衍射数据对HoNiSb的晶体结构进行了精修 ,该化合物属立方晶系 ,空间群为F 43m ,a =0 .6 2 86 5 (1)nm ,精修的可靠性因子Rp =0 .0 94,Rwp =0 .13,给出了修正后的原子间距