首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
介绍了硫化锌薄膜的应用和研究现状,阐述了硫化锌薄膜的生长过程理论及其结构。对于硫化锌常用的制备技术也作了较详细的介绍。针对TYZ76.00(YL)型真空镀膜机进行了不同实验设计,尝试探索出在实验室条件下真空蒸发硫化制备硫化锌薄膜的可行方法。通过XRD检测薄膜的结构和物相,金相显微镜观察薄膜的微结构,四探针法测量其电阻。  相似文献   

2.
我们利用椭偏法对硫化锌薄膜的光学厚度和折射率进行了实时的监控,并利用电子显微镜和X射线光电子能谱仪对硫化锌薄膜的结构和化学成份进行了观察、测量和分析,讨论了硫化锌薄膜的折射率与化学成份、薄膜结构的关系。  相似文献   

3.
薄膜ZnS:Er^3+的近红外发光   总被引:7,自引:2,他引:5  
报道了用分舟热蒸发法研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光特性,用X射线衍射技术对薄膜的微观结构进行研究,指出了掺铒薄膜发光与薄膜微结构的关系.  相似文献   

4.
硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制   总被引:4,自引:1,他引:4  
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜.用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术.研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异,掺入的稀土元素铒呈三价.电致发光谱为Er^3 的发光谱线.硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容.  相似文献   

5.
观察硫化锌发光薄膜中铒离子各激发态发射光谱的瞬态特性,测量时间常数随外加电压的变化规律,分析硫化锌薄膜中铒发光中心的能量状态。  相似文献   

6.
利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌薄膜,用X射线衍射和X射线光电子能谱技术,研究薄膜微结构,发现薄膜中多晶沉积有择优取向趋势,掺杂的铒有表面集聚现象,这将对薄膜的激发态产生影响.  相似文献   

7.
溅射法制备ZnS:Er^3+薄膜的微结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用射溅射控溅射法制备掺铒硫化锌薄膜,用X射线衍射和X射线光电子能谱技术。研究薄膜微结构,发现薄膜中多晶沉积有择优取向趋势,掺杂的铒有表面集聚现象,这将对薄膜的发态产生影响。  相似文献   

8.
对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用直流对向靶磁控溅射方法制备低价态纳米氧化钒薄膜,研究热氧化处理温度和时间对氧化钒薄膜的组分、结构和电阻温度特性的影响采用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对氧化钒薄膜的组分、结晶结构和微观形貌进行分析,利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量.结果表明,经300~360℃热处理后,氧化钒薄膜的组分逐渐由V2O3和VO向VO2转变,薄膜由非晶态变为单斜金红石结构,具有金属半导体相变性能;增加热处理温度后,颗粒尺寸由20nm增大为100nm,薄膜表面变得致密,阻碍氧与低价态氧化钒的进一步反应,薄膜内VO2组分舍量的改变量不大;增加热处理时间后,薄膜内VO2组分的含量明显增加,相变幅度超过2个数量级.  相似文献   

9.
采用磁控溅射法在STO(001)基片上沉积钙钛矿结构LCMO薄膜,研究了退火温度对LCMO薄膜微结构及电输运特性的影响.研究结果表明,随退火温度的升高,薄膜中氧含量及Mn^4+/Mn^3+比逐渐升高,LCMO薄膜中的Mn^4+/Mn^3+比与薄膜中的氧含量有关,当氧含量增大时,Mn^4+/Mn^3+比相应增大.LCMO薄膜的电阻率随退火温度升高而逐渐减小,而LCMO薄膜的金属-绝缘相变温度随退火温度升高而逐渐升高,经850℃退火处理的LCMO薄膜的金属.绝缘相变温度可达257K.  相似文献   

10.
以蓝宝石片(Al2O3)为基底,使用溅射氧化耦合法,通过氧化V/Mo/V结构的金属薄膜夹层制备了不同Mo掺杂量的VO_2薄膜,使用原子力电子显微镜、光电子能谱和四探针测试仪对薄膜的形貌、成分和相变特性进行了分析.结果表明:Mo元素成功掺杂进入VO_2的晶格,且VO_2薄膜相变温度从65.03℃降低至51.36℃,同时伴随着回滞宽度和相变数量级一定程度的减少.此试验成功改变了VO_2薄膜的相变温度,对于智能窗等方向的应用具有重要意义.  相似文献   

11.
氧化钒薄膜的掺锆实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
以V2O5和Zr(NO3)4.5H2O为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备了掺Zr^4+的VOx(2≤X≤2.5)相变薄膜。通过对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试,结果发现:所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2,所掺入的Zr与VOx完全互溶,但其中Zr的价态未发生改变。掺杂薄膜随Zr含量的增加其电阻突变温度下降.同时其电阻突变量级也随之降低。  相似文献   

12.
探讨了低剂量离子注入技术对VO2薄膜的结构和红外发射性能的影响,发现1×1015 cm?2注量的W离子注入掺杂时,会对VO2薄膜的晶体结构产生一定的损伤;经400 ℃退火处理后部分恢复了薄膜的单斜相晶体结构,且退火处理后,在掺杂W离子、结构缺陷和氧空位的共同作用下,掺杂量0.12%即可使VO2薄膜的相变温度降低8.9 ℃;掺杂原子数量每增加1%,其相变温度相应变化74.2 ℃;W离子注入并经退火处理后,VO2薄膜的红外发射率为0.35~0.46,其在低温区间的红外发射率相比未注入薄膜降低了0.14,这大幅度提高了VO2薄膜在低温区的红外隐身性能.   相似文献   

13.
利用射频磁控溅射法在n型Si(100)衬底上沉积六方氮化硼薄膜(h-BN),采用AFM、Raman、XPS、FTIR等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、结构、表面粗糙度、薄膜取向、相变等特性的影响。结果表明,当负偏压为0V时,沉积所得h-BN薄膜表面粗糙度较低、结晶性良好、c轴垂直于衬底且以层状模式生长;随着负偏压的增加,薄膜由层状模式生长转变为岛状模式生长,表面粗糙度增加,且h-BN经亚稳相E-BN和wBN向c-BN转变,使得BN薄膜相系统更加混乱,不利于高质量层状h-BN薄膜的获取。  相似文献   

14.
超薄膜润滑的分子动力学模拟   总被引:3,自引:0,他引:3  
超薄膜(膜厚趋于分子量级)的摩擦特性与宏观流体膜有很大的不同,与超薄膜的微观结构有密切的关系。本文应用可以同时模拟超薄膜宏观和微观特性的分子动力学模拟(MDS)方法,研究了超薄膜的微观结构与摩擦学特性间的关系,发现了平行于壁面的层状类固态结构;固液作用强度及膜厚大小对类固态结构有着明显的影响;超薄膜的极限膜厚由类固态与液相的比例决定。这种微观结构的相变改变了超薄膜的摩擦学特性。模拟中还发现了剪切诱导的微观构型。  相似文献   

15.
提出了一种制备相变特性VO_2薄膜的简易方法.将制备好的金属钒薄膜置于440℃空气下氧化处理,获得相变温度为60℃的单斜VO_2薄膜,薄膜方块电阻值在60~85℃范围内变化量达2.2个数量级.X射线衍射分析(XRD)表明薄膜的主要成分为单斜相VO_2.探索了此工艺的一般性规律,分析高价态钒对薄膜相变的影响.  相似文献   

16.
采用水基热分解法在SiO2/Si基底上制备了钛酸铅和掺镧钛酸铅铁电薄膜。详细研究了以水为溶剂,将铅盐和钛醇盐等直接加入到溶剂中制成先体溶液,测量溶液的DTA-TGA曲线和透光率曲线;对薄膜作XRD和SEM分析,并对其结果进行了简要讨论了测量了室温下薄膜介电性能和铁电性能。  相似文献   

17.
二氧化锡薄膜的PECVD制备和特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
用PECVD方法制备出二氧化锡薄膜,利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布,并分析了它对薄膜电阻的影响.透射电镜分析表明随沉积温度升高,二氧化锡薄膜从非晶态转变为多晶态,其电阻率随之减小.掺锑的二氧化锡薄膜对石油液化气和酒精具有良好的气敏效应  相似文献   

18.
实验观察发现:多晶钛酸铅铁电薄膜的表面层与体内层有不同的结晶和相变特性。根据实验结果,可假设多晶铁电薄膜具有与铁电微粉类似的特征,将表面层描述为小晶粒低应变层;体内层描述为大晶粒高应变层;所有晶粒均被一薄的非铁电层覆盖。  相似文献   

19.
基于横场伊辛模型的平均场近似理论讨论了铁电薄膜(中间具有不同材料插入层)二级相变性质.运用该理论,首次推导得到了一个可用于研究任意层数铁电薄膜(中间具有不同插入材料层)的相变性质的递归公式.并运用该公式研究了体材料(A)和插层材料(B)的交换相互作用参量和横场参量对相图的影响.计算结果表明,由于插层材料B参数值的变化,整个铁电薄膜相变性质,不同铁电薄膜层的极化,横场参量过渡值均敏感的发生变化.  相似文献   

20.
采用脉冲激光沉积方法 ,在钇稳定氧化锆 (YSZ)衬底上制备了YBa2 Cu3 O7-y高温超导薄膜和NdB2 Cu3 O7-x/YBa2 Cu3 O7-y双层高温超导薄膜。X射线衍射分析结果表明 ,NdB2 Cu3 O7-x/YBa2 Cu3 O7-y双层膜在结晶度、表面光滑平整度和稳定性方面优于YBa2 Cu3 O7-y薄膜 ;电阻温度曲线测量结果表明 ,NdB2 Cu3 O7-x/YBa2 Cu3 O7-y双层膜的转变温度为 87.6 6K ,转变宽度为 0 .34K ;YBa2 Cu3 O7-y薄膜的则分别为 86 .6 4K和 0 .95K。与YBa2 Cu3 O7-y薄膜相比 ,NdB2 Cu3 O7-x/YBa2 Cu3 O7-y双层膜稳定性更高 ,在超导电子器件领域更具有应用潜力。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号