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相似文献
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1.
采用真空反应蒸发技术,在聚酯薄膜基片上制备出高质量的ITO透明导电薄膜,对薄膜的结构和光电特性及制备条件薄膜性能的影响进行了研究。  相似文献   

2.
采用真空反应蒸发技术,在聚酯薄膜基片上制备出高质量的ITO透明导电薄膜,对薄膜的结构和光电特性及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究  相似文献   

3.
用真空蒸发方法在玻璃衬底上沉积SnO2薄膜.在氮气、氧气气氛下对薄膜进行不同温度条件的热处理.实验表明,热处理后薄膜的结构和光学性能均有了很大的改善.  相似文献   

4.
电化学合成聚苯胺薄膜光电性能的研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
采用电化学方法,以高氯酸为掺杂剂,在导电玻璃(ITO)上合成了聚苯胺薄膜.探讨了电化学聚合的反应条件对聚苯胺薄膜光吸收和表面电导率的影响,并对薄膜的吸收系数、光学带隙、最小金属化电导和电导活化能进行了计算.  相似文献   

5.
光电器件用铟锡氧化物ITO薄膜的制备及特性研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文采用真空瞬时蒸镀加氧化热处理方法在玻璃和硅衬底上生长出ITO)铟锡氧化物薄膜。电阻率~10 ̄(-2)Ωcm,可见光区几乎透明,透射率达94%(6328A单色光源)。采用X光衍射和SEM技术分析了氧化热处理前后薄膜中组份及微结构的变化。ITO/p-Si异质结在日照下(AM1.5,100mw/cm ̄2)开路电压达180mv,该方法制各的ITO膜可作为光电接收电极层有效地应用在各类光电器件上。  相似文献   

6.
用真空蒸方法在玻璃衬底上沉积SnO2薄膜。在氮气,氧气气氛下对薄膜进行不同温度条件热处理,实验表明,热处理后薄膜的结构和光学性能均有了很大的改善。  相似文献   

7.
减压法制备TiO2薄膜及影响因素的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
主要研究了用化学气相沉积法在减压状态下制备TiO2薄膜,不温度和压力改变时,会影响薄膜的沉积率,晶型及表面形貌。并且根据阿龙尼乌斯公式算是在玻璃片镀膜基表反应的平均活化能为57.086kJ/mol。  相似文献   

8.
研究了磁等离子体化学气相沉积的不同工艺条件对SnO2薄膜导电性的影响.实验结果表明,外加适当位形、大小的纵向磁镜场,可使等离子体化学气相沉积技术中制备SnO2薄膜所需的氧气流量降低,沉积时间缩短,且制得的薄膜电阻大大降低,轴向分布均匀性明显增强.对以上结果进行了分析和讨论.  相似文献   

9.
在真空度为133.3μPa时,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积SnO2薄膜。通过XRD,SEM等测试分析,研究了杂质掺杂及热处理前后的SnO2薄膜的结构,晶粒尺寸,电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,掺Bi有效地抑制了晶粒生长,提高了薄膜的稳定性。掺Bi后,薄膜的电学特性增强,而掺In,Cd则影响不大。  相似文献   

10.
采用直流气放电活化反应蒸发法,沉积成SnO2超微粒子薄膜。以不同能量的离子束轰击薄膜表面,用扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪等,分析了离子束作用对SnO2UPF表面形貌和化学组成的影响,同时研究了离子束作用前后,SnO2UPF对乙醇的气敏性质的变化。  相似文献   

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