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相似文献
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1.
掺杂型Zn(BTZ)2白色有机电致发光器件   总被引:4,自引:1,他引:3  
合成出近白色电致发光材料——2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ)2), 以该配合物作为具有电子传输性能的发光层主体, 并在其中掺入不同含量的橙红色荧光染料Rubrene, 制备出具有单一发光层白色OLED器件ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2:Rubrene/Al. 由其电致发光(EL)光谱图及相应色坐标值, 确定了Rubrene在Zn(BTZ)2中的最佳掺杂浓度比为0.05%. 按此掺杂比制备的器件, 色度随外加驱动电压在很大范围内(10~22.5 V)变化很小, 其色坐标均非常接近于白色等能点. 当电流密度为0.1 A/cm2, 驱动电压约为20 V, 器件外量子效率最高值为0.63%, 相应发光效率为4.05 cd/A, 此时器件的色坐标为(x = 0.341, y = 0.334), 亮度为4048 cd/m2, 器件综合性能达最优. 文中还对上述掺杂型白光器件的发光和电学性能及发光机理进行了深入的研究和探讨.  相似文献   

2.
郝金刚  邓振波 《科学通报》2006,51(17):2094-2096
将3 nm的2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(BCP)插入到聚乙烯咔唑掺杂4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(PVK:DCJTB)的发光层和电子传输层八羟基喹啉铝(Alq3)之间, 器件结构为ITO/PVK:DCJTB/BCP(3 nm)/Alq3(8 nm)/Al, 其中BCP既能利用空穴阻挡的作用将更多的激子限制在掺杂发光层中, 又能利用BCP层的不完全隔离调节在PVK, Alq3和DCJTB之间Forster能量传递的程度, 实现蓝、绿、红三种颜色发光. 当DCJTB掺杂浓度为0.25%(质量分数)时器件的色坐标为(0.32, 0.32), 而且色坐标几乎不随电压变化. 在18 V下器件达到最大亮度为270 cd/m2, 电流效率为0.166 cd/A.  相似文献   

3.
雷钢铁  王立铎  段炼  邱勇 《科学通报》2004,49(19):1954-1957
以N, N′-二苯基-N, N′-二(1,1′-联苯)-4,4′-二胺(NPB) 为空穴传输材料, 4,7-二苯基-1,10-邻菲罗林(BPhen)为电子传输材料, 以2-叔丁基-9,10-二-(2-萘基)蒽(TADN)为主体材料, 掺杂红光染料4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB), 制备了单发光层有机电致发光白光器件, 器件的最高亮度和效率分别为11400 cd/m2和5.6 cd/A (4.1 lm/W). 在此基础上, 研究了白光器件通过彩色滤色膜的分光特性.  相似文献   

4.
王栋东  吴朝新  张新稳  焦博  王大威  侯洵 《科学通报》2009,54(24):3906-3912
运用原子力显微镜研究了MADN (2-methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene)和NPB (N. N’-Bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-benzidine)的混合溶液在不同比率下旋涂所成膜的形貌特征, 发现所有比率下旋涂所成膜的表面无针孔是均一、平整的. 用旋涂成膜的方法制备了以MADN和NPB为混合主体的白光有机电致发光器件并研究了不同混合比率对器件性能的影响, 器件的发光层由混合主体和掺杂的蓝光发射染料4, 4’-bis[2-(4-(N,N-diphenyl amino)phenyl)vinyl]biphenyl以及黄光染料 5, 6, 11, 12- tetraphenylnaphacene构成, 通过旋涂的方法成膜. 实验结果显示器件的亮度和电流效率依赖着混合主体的比率, NPB:MADN的比率为60:40时器件性能最优, 该比率下器件的最高亮度可达到24671 cd/m2, 在1000 cd/m2的亮度下电流效率可达到5.8 cd/A, 并且器件的发光颜色几乎不随工作电压而变化. 为低成本的制备基于小分子材料的白光器件提供了一种思路, 并避免共蒸镀制备掺杂器件时工艺复杂、掺杂浓度难以精确控制、器件重复性差的问题.  相似文献   

5.
李妍  侯延冰  靳辉  师全民  王琰  冯志慧 《科学通报》2008,53(9):1017-1021
对基于[2-甲氧基-5-(2′-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)/纳米TiO2混合材料制备的光电二极管的光伏特性进行了研究. 研究发现, 加入TiO2纳米管制备的器件具有高的开路电压和短路电流. 通过进一步优化MEH-PPV:TiO2纳米管器件的材料混合比例, 在500 nm, 16.7 mW/cm2的入射光照射下, 器件的短路电流达到了9.27 mA/cm2, 开路电压达到了1.1 V, 功率转换效率相应地达到了0.017%, 其中功率转换效率比没有掺杂的MEH-PPV器件提高了10倍.  相似文献   

6.
聚合物近红外发光二极管   总被引:2,自引:2,他引:0  
章勇  杨坚  侯琼  莫越奇  彭俊彪  曹镛 《科学通报》2005,50(3):204-207
设计双层器件结构(ITO/PEDOT/P-PPV/PFHDNT/Ba/Al)制备高效率近红外发光二极管, 其中P-PPV为发绿光的苯基取代的PPV衍生物, PFHDNT为近红外发光的9,9-二辛基芴(DOF)与4,7-二(3-己基噻吩)-2,1,3-萘并噻二唑(HDNT)的共聚物(PFHDNT10). 经优化PFHDNT10和P-PPV薄膜厚度, 得到器件的外量子效率高达2.1%(激发电流35 mA/cm2), 流明效率0.3 cd/A, 较单层结构器件的发光效率(0.9%)提高了两倍以上, 发光光谱峰值为750 nm, 色度坐标CIE1931为 (0.67, 0.30), 位于近红外区域. 研究表明, 增强的发光效率主要原因是P-PPV层具有电子阻挡作用及向PFHNDT10共聚物进行了有效能量转移.  相似文献   

7.
由于优越的光电特性和溶液加工特性,有机-无机杂化钙钛矿材料在发光显示领域展示出极大的应用前景.近两年,有机-无机杂化钙钛矿电致发光器件(Pe LED)得到了快速发展,电致发光效率已经达到了传统有机电致发光器件(OLED)的水平.由于白光是显示和照明领域的最主要光源,因此开发白光Pe LED具有重要的科学和商业价值.本文报道了以有机小分子1,3-bis(9-carbazolyl)benzene(m CP)和有机-无机杂化钙钛矿CH3NH3Pb Br3混合膜作为发光层的一种新型白光Pe LED.首先,通过一步旋涂工艺得到了均匀致密、覆盖度较高的m CP:CH3NH3Pb Br3晶体薄膜.然后以m CP:CH3NH3Pb Br3膜作为发光层的白光Pe LED(器件结构为ITO/PEDOT:PSS/m CP:CH3NH3Pb Br3/tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl(TPBI)/Li F/Al),器件的启亮电压为~3.2 V,最大亮度为~170 cd/m2,电致发光效率为~0.15 cd/A.当偏压为7 V时,Pe LED的CIE色坐标达到了(0.32,0.31),得到了理想的白光.该白光Pe LED基本达到了工业化的要求,同时也为进一步开发更高效、更稳定的白光Pe LED提供了参考思路.  相似文献   

8.
田仁玉  莫越奇  彭俊彪 《科学通报》2006,51(13):1613-1616
以苯撑与硅芴共聚物(PSiF6-PPP)同聚硅芴(PSiFC6C6)的共混物做发光层, 制备了高效的蓝紫光聚合物发光二极管, 研究了共混比例对器件性能的影响. 发现当PSiF6-PPP与PSiFC6C6的质量比为1︰3时器件性能最优, 在发光亮度为105 cd/m2时, 器件的外量子效率可以达到1.96%, 电致发光光谱的峰值位于397 nm, 半高宽为67 nm. 分析表明, PSiFC6C6向PSiF6-PPP的能量转移以及共混后电子和空穴注入的均衡, 是使器件性能明显提升的主要原因.  相似文献   

9.
通过改良的水热方法, 成功合成了形貌规则的半导体硫化银(Ag2S)纳米结构, 并对样品的形貌、化学成分和微观结构进行了详细的表征. 结果发现, 样品为表面光滑的球状结构. X-射线衍射仪/光电子谱仪(XRD/XPS)证明, 产物具有单斜结构且纯度很高. 通过紫外可见吸收光谱发现, 与传统粉体材料相比, 纳米球吸收峰有明显的蓝移(约20 nm). 运用表面光电压(surface photovoltage, SPV)技术系统地研究了Ag2S 纳米球及传统粉体材料对乙醇气体的室温敏感特性, 在同样条件下, 纳米球的检测限可达<10 mL/m3, 而后者仅为50 mL/m3. 这为Ag2S气敏纳米器件的潜在应用进行了一些探索.  相似文献   

10.
芴与二噻基苯并噻二唑共聚物的电致发光和光致发光研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
彭俊彪  许怡赦  侯琼  牛于华  阮文英  曹镛 《科学通报》2002,47(16):1233-1236
使用自己实验室合成的9,9-二辛基芴与4,7-二噻基苯并噻二唑系列共聚物(1% DBT,5%,DBT,10%,DBT,15%DBT,25%DBT),采用双层结构制备了高效率和红色聚合物发光二极管(PLEDs),器件的外量子效率接近1.4%(15%DBT共聚物),流明效率超过1.0cd/A,最大发光亮度达到3700cd/m^2,电致发光发射光谱峰值位于675nm  相似文献   

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