一种新的热释电晶体——ATGSAs的生长和性质

一、引言 硫酸甘氨酸[(NH_2CH_2COOH)_3·H_2SO_4,简称TGS]是一种优良的铁电晶体,它具有高的热释电系数和低的介电常数,而且易培育出高光学质量的大晶体,它是制造室温下应用的红外摄象管和红外探测器的良好材料。多年来,不少人对TGS晶体进行了广泛的研究,为了克服TGS晶体的缺点,人们通过氘化掺杂和离子取代研制出了ATGS,DTGS,TGFB等     

TGS晶体中取代基元的作用

硫酸三甘肽([NH_2CH_2COOH]_3·H_2SO_4)简称TGS,从TGS的过饱和溶液中可生长,出优质完整的TGS晶体。TGS晶体是一种较典型的铁电体,居里温度(T_c)为49℃左右,在室温下,它具有优良的热释电性能,但当温度高于T_c时,晶体的自发极化消失,变为无极性晶体。 TGS晶体结构沿c轴方向的投影,如图1所示。 TGS晶胞是由三种构型不同的甘氨酸     

TGSFB晶体生长及其热释电性能

TGS晶体是优良的红外热释电材料,化学组成为[(NH_2CH_2COOH)_2·H_2SO_4],属单斜晶系,空间群为P2_1,极化方向为二次轴方向。TGS晶体的居里温度T_C为49℃,49℃以下为铁电相,49℃以上为顺电相,只有铁电相时才有热释电性能。为了进一步提高居里温度,加宽器件的使用范围,同时进一步提高优值比(P/8),本文旨在得出用H_2BeF_4有规律的部分取代TGS晶体中的H_2SO_4,生长出的TGSFB晶体的热释电性能和应用前景。     

对顶铁电畴及其特性研究

一、引言 在氢键铁电体硫酸三甘氨酸[分子式(NH_2CH_2COOH)_3·H_2SO_4,简称TGS]及同类晶体中仅存在180°铁电畴,要么所有畴的自发极化强度P_5同向排列(单畴,见图1a),要么相     

具有高热释电品质因数的ADTGSP晶体

在前几篇文章中,我们介绍了新的热释电晶体ATGSP,即掺有L-丙氨酸和磷酸的硫酸三甘氨酸晶体,简称ATGSP。该晶体与TGS晶体相比,具有较高的热释电系数,低的介电常数和介质损耗,热释电品质因数较TGS晶体有明显的提高,现已利用该材料试制出了高质量的红外探测器和摄像管靶面。但是ATGSP晶体的居里温度仍为49℃,因其偏低而影响到器件的应用温度范围。为了提高ATGSP晶体的居里温度T_c,我们研究了氘化的ADTGSP     

一种有机新晶体——GO单晶的生长、结构及光学性质

NH_2CH_2COOH是一种较活泼的有机化合物。据报道,它可以与H_2SO_4,H_2BeF_4,AgNO_3,HNO_3,CaCl_3等化合物形成单晶。最近,我们首次发现NH_2CH_2COOH还可以与H_2C_2O_4化合形成一种新化合物——甘氨酸草酸盐(分子式为NH_2CH_2COOOH·H_2C_2O_4,简称GO)。GO单晶的培育及其性能在文献中均未见报道.本文简要报道了这种有机新晶体的生长、结构及其光学性质。     

DGO单晶的生长、结构和光学性质

一、引言 不久以前,我们曾发现NH_2CH_2COOH可与H_2C_2O_4结合形成NH_2CH_2COOH·H_2C_2O_4单晶,简称GO。在NH_2CH_2COOH—H_2C_2O_4—H_2O体系中,通过进一步研究,我们又发现了     

用电子扫描技术观察TGS的动态电畴结构

为了观察热释电晶体TGS的电畴结构,已有不少的研究者用不同方法进行过研究,其中广泛使用的有腐蚀法、粉纹图法、热释电探针技术。近来又采用液晶显示、扫描电子显微镜观察等。本文所用的方法类似于扫描电镜,但却在一个热释电摄象管中进行,用此种     

氰乙酸单晶γ线辐照电子自旋共振譜的研究

关于有机单晶γ辐照电子自旋共振的研究近年来已有不少的报导。多数的研究仅是二元酸及氨基酸等化合物。例如HOOCCH_2—X,X=COOH;(CH_2)_nCOOH,n=1,2,3,4;NH_2;NHCOOH;以及NHCO—NH_2等。經γ辐照后,打掉了α碳上     

硫酸三甘肽(TGS)晶体中电畴的观察

TGS晶体是一种铁电晶体,是现阶段制备热释电探测器件的一种较好的材料。 铁电体的一个重要特性,是在一定的温度范围内具有自发电极化强度。自发极化是被晶体中存在的电偶极矩所决定的,在晶体中有这样一些区域,其中电偶极矩的取向一致,具有相同的自发电极化方向,这些区域就称为电畴。我们观察电畴的目的,在于找出晶体的电畴结构和宏观性质之间的联系。     

LAP单晶的介电和热释电性能研究

一、引言 L-精氨酸磷酸盐[分子式为(NH_2)_2~+CNH(CH_2)_3CH(NH_3)~+COO~-(H_2PO_4)~-·H_2O,简称LAP]是一种新近发现的优秀有机非线性光学材料,它具有非线性光学系数大,抗光伤能力强,透明波段宽,物化性能稳定等优点,特别是三倍频和四倍频有很高的转换效率,因此在红外-紫外倍频与和频领域有较高的实用价值而引人注目。由于LAP晶体的对称点群为     

铁电晶体表面电导对热释电性能的影响

一、引言在温度恒定的条件下,铁电晶体的自发极化强度引起的面束缚电荷被晶体内部和外来的自由电荷所中和,因此觉察不出来,晶体内部自由电荷起中和作用的平均时间为τ=ε/σ,其中ε为晶体的体介电常数,σ为晶体的体电导率。多数铁电晶体的τ值在1秒到1000秒之间。铁电晶体的自发极化强度通常随温度的增加而减小,所以当晶体的温度变化率大于τ~(-1)     

压电材料的新星--弛豫型铁电晶体的结构、性能及应用前景展望

以Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3和Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PZN-PT)等为代表的弛豫型铁电晶体是近年来铁电领域物理领域的一个研究热点,在基础研究以及应用技术研究中都有重要意义.本文着重介绍了弛豫型铁电晶体PZN-PT的重要压电性能,对该系列晶体广阔的应用前景进行了探讨.     

环氧乙烷与胺基离子反应的过渡态的量化研究

我们用量子化学从头算MO法研究了环氧乙烷同胺基离子的反应:C_2H_4O NH_2~-→NH_2CH_2CH_2O~-。首先用Murtagh-Sargent提出的可变尺度法优化了该反应的反应物和产物的几何构型,这个优化方法使用了基于从头算STO-2G基组的能量梯度技术。依据有机化学的实验事实,假设进攻试剂NH_2~-从氧原子的背面逼近环氧乙烷的一个碳原子(反式进     

BaFBr∶Eu~(2+)的高温热释发光

在文献我们报道了BaFCl:Eu~(2+)晶体的高温热释发光,发现了3个新的高温热释峰.通过研究表明这3个高温热释峰是由晶体中F心的缔合中心,即F_2,F_3和F_4心产生的.同样我们也研究了BaFBr:Eu~(2+)晶体的高温热释发光,发现了3个新的热释峰.     

新型铁电复合材料ATGS-PVDF的制备与性能

近年来人们对以硫酸三甘肽(TGS)单晶粉末和聚偏氟乙烯(PVDF)复合膜作为热释电材料进行了较多的研究,发现了颗粒尺寸、组分配比、成膜工艺对材料的性能有较大的影响.通过优化条件可以得到性能优良、有应用价值的新型热释电薄膜,但该类薄膜同TGS单晶一样不能锁定极化,工作温度不能超过TGS单晶的居里点(49°C),这将大大限制了其应用.我们用掺L丙氨酸的TGS(ATGS)单晶粉末替代TGS粉末同PVDF进行复合.在成膜过程中施加     

TGS-PVDF复合材料的热释电性研究

复合材料是当前材料科学的一个重要发展方向.用于红外探测的热释电材料也向复合材料方向发展.这种材料是由单晶粉末和有机聚合物混合而形成的一种新型功能材料,它不仅具有良好的压电性和热释电性,而且柔性好、成本低,易制成大面积均匀薄膜,从而得到广泛研究.在压电方面已向实用化发展;在热释电应用方向也显示出良好的前景.本文将首次报道一种新型复合材料——硫酸三甘氨酸(简称TGS)单晶粉末与聚偏氟乙烯(简称PVDF)复合物的热释电性质。     

介电晶体光波导的制备及其应用

介电光学晶体种类繁多,具有丰富的功能属性,在科学研究、生产生活的各个领域有着广泛的应用.光波导是基本的光学微结构之一.基于介电光学晶体的光波导结构是组成集成光子学器件的重要元件.利用飞秒激光直写或者载能离子束辐照技术,可以有效调控晶体材料局部区域的折射率分布,形成低损耗的光波导结构.本文将介绍介电晶体光波导(包括单晶薄膜)的制备方法及相关的波导性能,综述介电晶体光波导在激光产生、非线性光学频率转换、信号调制以及量子信息中的应用,并对这一领域的未来研究进行展望.     

双掺(铜、铈)KNSBN晶体生长及高反射率自泵浦相位共轭的测量

钾钠铌酸锶钡(KNSBN)晶体是目前几种重要的光折变铁电晶体材料之一.KNSBN晶体不仅具有优异的光折变性能,而且与其它光折变晶体材料相比有许多优点,如:(1)易生长较大的单晶;(2)无孪晶,无90°畴,易极化、加工;(3)可以在较大固熔体范围内进行单晶生长,生长组分可调节;(4)易进行不同元素掺杂等.近些年来,人们对不同组分、不同元素掺杂     

1-乙烯基杂氮硅三环的晶体结构

1—乙烯基杂氮硅三环[CH_2CHSi(OCH_2CH_2)_3N]是含有五价键的有机硅化合物。这类化合物的晶体结构的研究已有报道。本文使用作者编制的X射线直接法(GC-79)程序系统测定了该化合物的分子和晶体的结构。全部计算工作是在国产TQ-16型计算机上进行的。