正在到来的微型机时代

微小的机械装置——阀门、加速器、压力传感器等,会在硅片上成批地腐蚀,进而被切断为集成电路碎片。这些装置,如果依照微电子电路完善地按规定尺寸进行制造,就能理想地监测污染,辅佐医学研究,给机器人以触觉感,等等。     

评《压电电子学与压电光电子学》

随着集成电路的集成度越来越高, 晶体管的尺寸越来越小, 特别是当器件中最小线宽趋于10 nm时, 将会出现一系列由量子效应引起的新的效应. 另外从工艺上讲, 器件线宽越小, 大规模工业化市场的成本将大幅增加. 因此终究有一天摩尔定律会遇到瓶颈甚至失效. 人们已经在探讨摩尔定律以后的电子学将向什么方向发展, 并把希望寄托在纳米电子学上, 认为由纳米科学发现的一些新材料, 如碳纳米管、石墨烯、半导体量子点、量子线等是最有可能的下一代微电子学的基础材料. 由它们制成的微电子器件工作原理已经不再是经典的输运理论, 而是需要考虑量子力学效应, 以及由此而产生的介观输运理论, 甚至量子波导理论. 目前由这些材料制成的单个晶体管已经显示出优越的性能, 但关键的障碍在于集成, 还找不到一种能与目前大规模集成电路相比拟的方法来集成纳米晶体管.     

集成工艺新进展 微细加工与束技术

大规模与超大规模集成电路在现代科学技术中占有人所共知的重要地位,利用束技木来制造集成电路是集成工艺中值得注意的发展方向,本期柳襄怀同志一文对此作了比较全面的介绍。     

大规模集成电路芯片的显微照片

在大规模集成电路研制中,逆过程设计方法是一项重要手段,这就需要判读和识别芯片上的电路结构。由于集成电路芯片是由多层电路重叠在一起组成,所以必须把每层电路都识别出来。我们把显微镜下得到     

催化法制取超纯气体

新技术革命的浪潮推动着大规模集成电路和超大规模集成电路以及传感器技术的飞速发展,要把一二十万个乃至百万个电子元件或电路集成于一个仅有米粒大小的器件上,谈何容易,因此需要半导体器件和集成电路制备工艺来一个飞跃,而相应的生产过程又离不开各种超纯气体,如超纯氢气(H_2)、氧气(O_2)、氮     

织物上的集成电路

正剑桥大学与来自意大利和中国的研究人员一起,成功地将可清洗、可拉伸、透气的电子电路嵌入织物中,为智能纺织品和可穿戴电子产品开辟了新的可能性。研究人员将石墨烯(一种二维形式的碳)直接以集成电路的形式印刷到了织物上。这种衣料不仅柔软舒适,还能在普通的洗衣机中坚持20次循环。这一科研成果发表在近日的《自然通讯》杂志上。     

电子计算机的热障

现代电子技术的最大困难之一是热障。有人曾预言,大规模集成电路出现以后将不存在热障问题,但事实证明在大规模集成电路中的热障问题更为严重。《电子计算机的热障》一文阐述了这个问题,并提出了解决热障问题的方法。     

梁式引线技术

梁式引线技术是一种有价值的工艺,它被特殊地用于大规模集成电路和混合(薄膜)集成电路中,以使系统的设计更为紧凑、灵活和可靠。目前可采用的大规模集成技术基本上有两类,如表1所示。     

打破“功耗墙”——记梁晓峣的低功耗处理器研制

后摩尔时代的"功耗墙" 自从集成电路发明以来,芯片已成为了电子电路集成的基本形式.而集成度增加的速度,一直是按照著名的摩尔定律——"芯片的集成度每18个月至2年提高一倍,即加工线宽缩小一半"——稳步前进的. 然而,芯片制造的实践表明,由于有不可逾越的物理限制,制造尺寸的缩小会遇到各种技术挑战.硅材料的加工极限一般认为是10纳米线宽.受物理原理的制约,小于10纳米后不太可能生产出性能稳定的产品.提出摩尔定律的摩尔本人也曾公开表示,摩尔定律将很难一直有效.     

柴达木北缘榴辉岩中的柯石英及其意义

柯石英是超高压变质作用的直接标志. 柴北缘副片麻岩的锆石中已报道有柯石英包体的存在, 但在榴辉岩中还没有发现柯石英保存. 通过详细的岩相学观察和拉曼光谱的测定, 在柴北缘阿尔茨托山(都兰超高压变质单元南带)的榴辉岩中发现柯石英, 这些柯石英在石榴子石中呈包体分布, 部分被具有栅状结构的石英替代. 这是柴北缘地区首次在榴辉岩中发现柯石英, 也与榴辉岩670 ~ 730℃和2.7~3.25 GPa的温压估算相符合. 除柴北缘都兰超高压单元之外, 柴北缘其他单元的榴辉岩及相关岩石中还没有发现柯石英及其假象, 是否柴北缘普遍经历过超高压变质作用还需进一步研究.     

微电子:三十年观察——战略、决策和反思

从技术角度说,微电子技术是以大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)为核心内容的技术.按照技术社会学家和工业史家的观点,微电子技术是专指半导体技术.按照前一种观点,微电子技术和微电子工业的历史才有二十年,因为1967年标志大规模集成电路时代的到来.而按照后一种观点,     

智能弹药--弹药技术的新革命

随着信息技术的飞速发展,特别是大规模集成电路、超高速集成电路以及计算机控制系统的广泛应用,弹药也正在悄悄地孕育着一场革命,一批机理独特、威力强大、颇具灵性的智能化弹药将横空出世。     

新型纳米压印光刻技术的研究和应用

纳米压印（nanoimprint）这个词汇从1995年发明到现在，目前还并未被大多数学者和人们所认识。让我们来解读一下纳米压印。纳米，已经越来越走进我们的生活，随着纳米技术的大量应用，纳米领域向我们敞开了一个神奇、美妙的世界。拜电视宣传所赐，越来越多人知道我们使用的电脑里Intel双核CPU采用的芯片是“45纳米技术”．这个技术就是目前大规模集成电路生产技术。     

美国正在开发肉眼看不见的“微小机器”

美国正在利用制造半导体技术,开发肉眼看不见的"微小机器"技术.这种微小机器采用以微米为单位的精密度加工的大规模集成电路等技术,以硅为原料,制造出肉眼看不见的齿轮、曲轴和机器上的微小结构.它是由加里福尼亚大学发起,由许多研究机关、大     

集成电路的超净化生产

<正>1947年,美国贝尔实验室的约翰·巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管,铸就了微电子技术发展史中第一个里程碑。如今,微小型化、低功耗、智能化和高可靠性的集成电路已成为许多制造工业的基础。集成电路是当今世界最精细的工业产品之一。制造集成电路需要极其精密的设备和加工,比如制造超大规模集成电路,就要在一块比手指头还小的硅片上,制作几十万个晶体管等元件,以及比头发丝还细几十倍的电子线路。这已是尽人皆知的常识。集成电路生产除了要求精密外,还要求干净——不是一般的干净,而是超乎     

混沌电路

自从70年代兴起了与相对论、量子力学相提并论的混沌理论的研究以来,人们这才发现混沌现象几乎无处不在。设计用来产生周期性振荡等稳态响应的电子电路自然不例外。于是,如何设计一个电路来产生预定的混沌现象,如何避免在电路中产生不受欢迎的混沌现象,就成为电子电路理论研究中的新“热点”。     

后摩尔时代晶体管：新兴材料与尺寸极限

在后摩尔时代,大规模半导体集成电路对功耗和集成密度的要求使得晶体管器件的开发需要在"材料、制程、结构"三个维度同步推进。文章详细梳理了近年来涌现的新兴低维半导体材料及异质结构,包括碳纳米管、过渡族金属硫属化合物、黑磷、碲烯和一维/二维范德华异质结等,并对其电学物理特性进行了深入的讨论,同时总结了这些材料在14nm工艺节点以下超短沟道晶体管和新结构晶体管器件方面的最新进展,最后从材料角度对半导体逻辑器件的进一步发展指出方向。     

生物计算机

生物计算机１９４６年第一代计算机（电子管）诞生以来；１９５６年第二代计算机（晶体管）即产生，１９６５年第三代计算机（中小规模集成电路）试验成功，１９７０年第四代计算机（大规模集成电路）宣告投产。８０年代以来，有关国家在研制第五代计算机（超大规模集成电...     

后摩尔时代晶体管：新兴材料与尺寸极限

在后摩尔时代，大规模半导体集成电路对功耗和集成密度的要求使得晶体管器件的开发需要在“材料、制程、结构”三个维度同步推进。文章详细梳理了近年来涌现的新兴低维半导体材料及异质结构，包括碳纳米管、过渡族金属硫属化合物、黑磷、碲烯和一维/二维范德华异质结等，并对其电学物理特性进行了深入的讨论，同时总结了这些材料在14 nm工艺节点以下超短沟道晶体管和新结构晶体管器件方面的最新进展，最后从材料角度对半导体逻辑器件的进一步发展指出方向。     

参数空间周期区域的2~n分岔行为

一、引言大量的理论分析和计算机计算揭示了2~n周期分岔到混沌的非常丰富现象;大量实验,特别是电子电路实验得到了不少很有意义的结果,促进了理论工作的进一步开展。我们设计的具有非线性电感单回路电子电路实验不仅得到了与其它实验装置产生的相似实验结果,还发现往参数空间具有周期区域的2~n分岔行为。