中国大陆NO_x1°×1°网格排放估计

为评估中国大陆地区ＮＯｘ排放对全球温室效应与臭氧二维模式分布的影响,依据国家有关部委公布数据及国家、省市统计年鉴公布的排放源数据,以国内测定的排放因子,依１°×１°网格精度,估计了１９９１年、１９９２年中国大陆ＮＯｘ排放分布数据（约２×１０４个数据）,并在此基础上划分为６个排放等级,绘制出中国大陆ＮＯｘ１°×１°网格排放分布图。     

14 MeV医用电子直线加速器上270°偏转磁铁系统

２７０°偏转磁铁系统是 １４ ＭｅＶ医用电子驻波直线加速器上的关键部件。通过用 ＴＲＡＮＳＰＯＲＴ—ＥＭ／ＰＣ程序和ＰＯＩＳＳＯＮ程序计算，完成了偏转磁铁样机设计方案。２７０°偏转 磁铁样机与加速管联合进行了出束试验，测试结果表明，具有 ６～１４ ＭｅＶ能量范围、不同的初 始发射度的电子束流，通过２７０°偏转磁铁系统受到消色散和聚焦作用，传输到靶点在能量１５．１ ＭｅＶ时，束流强度为３．５ｍＡ，束流斑点直径约为２ｍｍ。上述结果证明２７０°偏转磁铁系统性能完 全满足 １４ ＭｅＶ医用直线加速器放射治疗条件要求。     

ZnCl2与POM的合成和结构

ＺｎＣｌ２与ＰＯＭ生成１：２加成物「Ｚｎ（ＰＯＭ）２Ｃｌ２」，Ｃ１２Ｈ１２Ｃｌ２Ｎ４Ｏ６Ｚｎ，晶体必三科晶系，空间群为Ｐ１，晶胞系数为ａ＝１１．７５５（１１）×１０＾－１０ｍ，ｂ＝１２．３５７４（７）×１０＾－１０ｍ，ｃ＝６．５９２（４）×１０＾－１０ｍ，ａ＝１０２。７３２（５）°，β＝９２．０７４（６）°，γ＝１１０．１２４（６０°，Ｖ＝８７６．２×１０＾－３０ｍ，ＭＲ＝４４４．５３，ｚ＝２，ｄ     

两种系列极性玻璃陶瓷的低温介电和热释电性

在１０Ｋ～３００Ｋ温度范围内研究了Ｂａ２ＴｉＳｉ２Ｏ８和Ｓｒ２ＴｉＳｉ２Ｏ８极性玻璃陶瓷的个电和热释电性．Ｂａ２ＴｉＳｉ２Ｏ８玻璃瓷的室温热释电系数达到－７．０×１０－６Ｃ／ｍ２、Ｋ，具有良好的低温热释电性．含ＳｒＴｉＯ８结晶的Ｓｒ２ＴｉＳｉ２Ｏ８极性玻璃陶瓷的室温热释电系数仅为－１．８×１０－７Ｃ／ｍ２·Ｋ，而且其绝对值在１００Ｋ以下较快地变小，并在４０Ｋ以下出现正值，它可能是由于ＳｒＴｉＯ８结晶发生结构相交的结果．     

半胱氨酸电氧化循环伏安研究

循环伏安法研究表明．半胱氨酸在玻璃碳电极上的氧化机理为ＲＳＨ→ＲＳ·十Ｈ＋＋ｅＲＳ·＋ＲＳ·→ＲＳＳＲＲＳ·＋２Ｈ２Ｏ→ＲＳＯ２Ｈ＋３Ｈ＋＋３ｅ测得第一步电子传递过程的βｎａ＝０．２４，ｋａ＝１．０３×１０－５ｃｍ·ｓ－１，第二步电子传递过程的βｎａ＝０．４１，ｋａ＝２．１０×１０－９ｃｍ·ｓ－１．     

中国人为源颗粒物排放模型及2001年排放清单估算

颗粒物是影响我国城市空气质量的主要污染物, 且细颗粒物对区域和全球环境系统具有重要影响.了解颗粒物的源排放量及排放特征, 对开展颗粒物研究具有重要意义.文中按经济部门、燃料类型和技术类型对颗粒物排放源进行分类, 建立了一个基于技术的、自下而上的排放模型, 并利用该模型计算出2001年全国主要人为源共向大气排放TSP （总悬浮颗粒物） 2.651×10⁷t, PM₁₀（可吸入颗粒物） 1.712×10⁷t, PM_2.5（细颗粒物）1.210×10⁷t.水泥生产、生物质燃料和燃煤源是最主要的PM2.5排放源, 分别占PM2.5排放总量的35%，26%和20%.颗粒物排放的地区分布极不平衡, 主要集中在东部地区.排放量最大的5个省份为山东、河北、江苏、河南和广东.进一步将排放分配到0.5°×0.5°的网格, 从而为区域大气污染模拟研究提供基础数据.     

锑在弱碱溶液中阳极成膜规律的研究

利用恒电位阳极极化电流与极化时间的关系、线性电位扫描及Ｘ射线衍射研究了锑在２．５×１０－５ｍｏｌ／ｍ３ＮａＨＣＯ３＋２．５×１０－５ｍｏｌ／ｍ３Ｎａ２ＣＯ３＋５．０×１０－４ｍｏｌ／ｍ３Ｎａ２ＳＯ４溶液中（ｐＨ＝９．１，３０℃）于１．２Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）阳极成膜３ｈ，阳极成膜规律及膜相组成与结构。实验结果表明，本工作中的阳极膜主要由Ｓｂ２Ｏ３（斜方）晶体构成，成膜规律为锑的溶解与锑氧离子ＳｂＯ＋的生成→锑氧化物膜的形成与增厚→氧化物膜的钝化。     

溶胶—凝胶技术制备ZrO2陶瓷膜研究

以ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为起始原料，通过溶胶－凝胶技术制备了ＺｒＯ２陶瓷膜。使用ＤＴＡ、ＸＲＤ以及ＳＥＭ等测试手段对其结构进行了分析，同时研究了ＳｉＯ２对ＺｒＯ２陶瓷膜烧结行为的影响。结果表明：ＺｒＯ２陶瓷膜具有高度的择优取向特征；膜烧结过程存在ＺｒＯ２晶相转变，４３０°Ｃ左右ＺｒＯ２四方相开始析晶形成，５５０～７５０°Ｃ温度区域逐渐转变为单斜相；引入ＳｉＯ２后ＺｒＯ２四方相一直到１３５０°Ｃ才转变为单斜相，表现为引入ＳｉＯ２抑制了ＺｒＯ２晶相转变，提高了ＺｒＯ２陶瓷膜的结构完整性。     

锑－槲皮素络合物极谱吸附波的研究

在１×１０~（－２）ｍｏｌ／Ｌ。Ｈ＿２ＳＯ＿４，１×１０~（－５）ｍｏｌ／Ｌ。槲皮素，５％乙醇底液中得到了锑－槲皮素络合物还原峰，这是一个明显的络合物吸附极谱波。用其导数波可测定纯Ａｓ＿２Ｏ＿３中微量Ｓｂ。     

EINino和LaNina期间及前期赤道太平洋洋面温,压,风场的…

利用赤道太平洋洋面（１１°Ｓ－１１°Ｎ，１２０°Ｅ－８０°Ｗ）１９５０－１９８７年２°×２°格点资料，计算和分析了ＥＩＮｉｏｎ和ＬａＮｉｎａ期间及前期１－６个月温，压、风的距平值，结果发现ＥＩＮｉｎｏ和ＬａＮｉｎａ前３个月赤道太平洋洋面温，压，风场有明显变化的征兆，证实了ＥＩＮｉｎｏ和ＬａＮｉｎａ形成过程中赤道太平洋洋面气压，风和温度存在一种正反馈机制。ＥＩＮｉｎｏ前３个月到ＥＩＮｉｎｏ期间，赤道     

速冻蔬菜的最适烫漂时间与其过氧化物酶活性测定研究

本试验以各种蔬菜：菠菜、芹菜、花菜、芦笋、土豆、大头菜、蒜苗中的过氧化物酶活性为研究对象：在不同温度下进行烫漂处理后其ＰＯＤ活力具有再生现象，于是确定在９５°Ｃ下烫漂得到不同蔬菜的最佳烫漂时间分别为菠菜１ｍｉｎ，蒜苗２．５ｍｉｎ，芹菜３ｍｉｎ，芦笋４ｍｉｎ，青菜１．５ｍｉｎ，大头菜１．５ｍｉｎ，花菜２．５ｍｉｎ，土豆３ｍｉｎ；还进一步比较研究了添加柠檬酸、Ｎａ＿２ＣＯ＿３、ＣｕＳＯ＿４等化学药品对蔬菜烫漂处理中ＰＯＤ活性的影响，结果用适宜浓度的Ｎａ＿２ＣＯ＿３（１０￣（－５）Ｍ）或ＣｕＳＯ＿４（４．０×１０￣（－４）Ｍ）溶液烫漂处理具有护色和杀酶的协同效果。     

试析自由体操直体后空翻转体1440°

创新是体操的生命线,本文从个案跟踪、录像分析、技术特点分析,以自由体操创新项目直体后空翻转体1440°的高难度动作为依据,试述了该动作创新的基本轨迹.旨在为进一步提高安徽省自由体操项目的训练提供可借鉴的参考依据.     

射频磁控溅射沉积SiO2膜的研究

研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．     

Pd（Ⅱ）与DOSO饱和萃合物的结构及某些性能的研究

饱和萃合物是由一份０．１ｍｏｌ·Ｌ－１ＤＯＳＯ（１，２－二氯乙烷溶液）连续草取ｐＨ＝１的ＰｄＣｌ２盐酸水溶液得到。元素分析结果表明草合物是Ｐｄ（ＤＯＳＯ）２Ｃｌ２。在ＤＭＦ中测得Ｐｄ（ＤＯＳＯ）２Ｃｌ２摩尔电导为２６．１Ω（－１）ｃｍ２ｍｏｌ（－１），属非电解质类型。Ｘ－射线分析证明Ｐｄ（ＤＯＳＯ）２Ｃｌ２是不同于ＰｄＣｌ２，ＤＯＳＯ以及它们的简单加合物的新物质。磁矩实验（μ（ｅｆｆ）＝０）在明Ｐｄ（ＤＯＳＯ）２Ｃｌ２是平面正方形结构．中远红外光谱实验表明Ｐｄ（Ⅱ）是与ＤＯＳＯ中的Ｓ发生了配位，并且是反式配合物。此外。还对萃合物进行了热重（ＴＧＡ），差示扫描热分析（ＤＳＣ），熔点测定，不同溶剂中的溶解性能及稳定性的实验。     

关于C°局部平凡函数

定义于０×［ａ，ｂ］∈Ｒ＾ｎ×Ｒ的一个领域内的Ｃ＾ｒ函数Ｆ（ｘ，λ）叫沿区间［ａ，ｂ］是Ｃ＾０局部平凡的，如果存在局部同胚ｈ：Ｖ→Ｖ＾１，Ｖ和Ｖ＾１是０∈Ｒｎ的邻域，使得Ｆ（ｘ，ａ）＝Ｆ（ｈ（ｘ），ｂ）。本文给出函数Ｆ（ｘ，λ）沿［ａ，ｂ］Ｃ＾０局部平凡的条件：存在向量场Ｗ（ｘ，λ）满足下面条件：１）〈Ｗ，ｇｒａｄＦ〉＝０，２）〈Ｗ，ｅ〉〈０，３）Ｗ（ｘ，λ）满足Ｌｉｐｓｃｈｉｔｚ条件。这一结论推     

Na_2S_2O_3·5H_2O用作储热材料的研究

本文对Ｎａ２Ｓ２Ｏ３·５Ｈ２Ｏ用作储热材料作了较详细的研究．提出了解决Ｎａ２Ｓ２Ｏ３·５Ｈ２Ｏ在储热时存在的相分离及过冷两大问题的方法，并通过实验证明加入添加剂后的Ｎａ２Ｓ２Ｏ３·５Ｈ２Ｏ是一种较好的储热材料     

准分子激光诱导CVD淀积低电阻率SnO_2薄膜

采用准分子激光诱导ＣＶＤ淀积ＳｎＯ＿２透明导电薄膜，并在其生长过程中进行掺杂Ｓｂ的实验，研究了薄膜生长速率及薄膜电阻率与激光能量密度的关系，得到了电阻率为１．４９×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的高质量的ＳｎＯ＿２薄膜。     

SnO2薄膜的激光化学雾状沉积

把ＣＯ２激光聚焦在玻璃基底上的小区域内，热解ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ来实现ＳｎＯ２薄膜的沉积。用Ｘ－Ｙ扫描获得了选择性薄膜图形。薄膜的电阻率约为１×１０（－２）Ω·ｍ，可见光谱区透射率为７５％～８０％．用Ｘ射线衍射对膜层进行了物相分析，判定ＳｎＯ２薄膜基本为多晶结构，其最优方向为（１１０）。此外，还用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌。     

PLT15薄膜热释电红外传感器的研制

用射频磁控溅射法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）结构衬底上沉积了高度Ｃ轴取向Ｌａ改性的ＰｂＴｉＯ３（ＰＬＴ１５）薄膜．研究了ＰＬＴ１５薄膜的电晕极化方法,用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化．利用ＰＬＴ１５薄膜制备了热释电红外传感器,薄膜厚度是２μｍ,真空蒸发的Ｎｉ－Ｃｒ电极面积为１．２ｍｍ×１．０ｍｍ,敏感元下的Ｓｉ（１００）基片用热ＫＯＨ和ＥＰＷ进行刻蚀．用所设计的热释电系数测试系统对ＰＬＴ１５薄膜样品进行了测试,研究了其热释电特性．测试结果表明,ＰＬＴ１５薄膜样品的热释电电流ｉｐ平均为２．１×１０－１１Ａ,而对应的热释电系数ｐ为２．５２×１０－８Ｃ·（ｃｍ２·Ｋ）－１．这类薄膜很适合制备红外传感器     

MgC1_2-KC1-H_2O体系相图的测定及其应用

本文测定了ＭｇＣ１＿２＿ＫＣ１＿Ｈ＿２Ｏ体系２８℃和３０℃时的相图，结合文献中该体系的溶解度曲线，提出从盐卤提取的复盐ＫＣ１·ＭｇＣ１＿２·６Ｈ＿２Ｏ中分离ＫＣ１的简便方法．