复合体系AgδLa0.60Sr0.40-xAgx-δMnO3的磁电阻效应

采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了名义组分为AgδLa0.60Sr0.40-xAgx-δMnO3的多晶样品.研究发现,用Ag+替代Sr2+后,样品的居里温度降至室温附近,并且室温磁电阻比替代前明显增大.在1.8T的磁场下,x=0.30的样品在289K时,Rm=17.0%,因此提高了室温时样品的磁电阻.     

Ag与La_(0.6)Dy_(0.1)Sr_(0.3)MnO_3复合体系中的低场磁电阻增强

文章采用固相反应法制备La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3/Agx(x=0,0.04)样品,通过XRD、磁化强度、电阻率与温度的关系,研究样品的磁性质、输运行为、输运机制及磁电阻效应。结果表明,少量掺杂时有Ag相出现,Ag主要以金属态分散到母体颗粒的界面处,使体系形成两相复合体。掺Ag样品在296 K、0.2 T磁场下,峰值磁电阻明显增强,达9.1%,比La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3的2.2%增加了4倍多。这与颗粒母体界面结构的改善有关,也与材料电阻率的降低有关。掺Ag样品在45~130 K温区磁电阻均在20%以上,实现了增宽磁电阻温区的目的。     

La2/3Sr1/3MnO3/NiFe2O4复合多晶材料的磁电阻效应

用化学共沉淀法制备了NiFe2O4粉体样品,采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了La2/3Sr1/3MnO3的多晶样品.用无压烧结制备了名义组分为(La2/3 Sr1/3MnO3)1-x(NiFe2O4)x(x=0,0.05,0.10,0.20)的多晶样品.在1.8×107A/m磁场作用下,当x=0时,样品的磁电阻随温度几乎成线性变化;当x=0.10时,样品在335 K时出现峰值,磁电阻值达35%.     

La0.55Eu0.1Sr0.15Na0.2MnO3的制备及其磁性

采用溶胶-凝胶方法制备钙钛矿型稀土锰氧化物La0.55Eu0.1Sr0.15Na0.2MnO3, 利用X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和磁性测量系统(MPMS)对样品的结构、居里温度、磁卡效应和磁电阻效应进行研究. 结果表明, 样品具有单相六角钙钛矿结构, 居里温度为310 K, 磁电阻变化率为11.18%, 最大磁熵变为1.45 J/(kg·K).     

La_(0.5)Eu_(0.2)Sr_(0.3)MnO_3钙钛矿型锰氧化物的~(151)Eu穆斯堡尔效应

利用穆斯堡尔效应研究了A位La被Eu替代的锰氧化物La0.5Eu0.2Sr0.3MnO3和La0.4Eu0.3Sr0.3MnO3的磁性、导电性、磁电阻效应.一定比例的Eu掺杂能够使La0.7Sr0.3MnO3样品出现M-I转变.穆斯堡尔参数表明在250 K附近存在一种磁结构转变;高温区T＞260 K时,θD=120 K,低温区T＜360 K时,θD=260 K.     

La2/3Sr1/3MnO3的室温磁电阻效应

采用溶胶-凝胶法制备了La2／3Sr1／3MnO3多晶样品．X射线衍射测试结果表明样品具有钙钛矿结构．利用振动样品磁强计测量了粉体样品在室温下的磁性能,样品表现为铁磁性．对不同烧结温度下形成的块体样品的导电性以及磁电阻的研究表明,随着烧结温度的提高材料的金属-绝缘体转变温度有所增加,说明材料的烧结温度对其电导性有很大的影响．     

La0.75Sr0.25-xCuxMnO3块体材料的室温磁电阻效应

采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了名义组分为La0.75Sr0.25-xCuxMnO3(x=0,0.03,0.05,0.07)的块体样品.采用DMAX-RB(12kW)旋转阳极X射线衍射仪对材料进行了晶体结构的研究.结果显示,样品呈单相菱面体钙钛矿结构.通过研究样品的磁特性及庞磁电阻性质发现,在掺入适量Cu离子后,样品的居里温度TC随Cu含量增加逐渐降低,而样品的庞磁电阻效应有了明显的改善.     

(Lal-xSmx)2/3Sr1/3MnO3材料的巨磁致伸缩及磁电阻效应

采用溶胶凝胶法制备了一系列的多晶(La1-xSmx)2/3Sr1/3MnO3样品,X射线衍射研究表明,随Sm含量的增加,样品出现从菱面相向正交相结构的转变,在低温下观察到一定Sm含量的样品具有约-180×10-6大小的磁致伸缩和320%的磁电阻效应,在室温下,样品的磁致伸缩和磁电阻随Sm含量的变化有类似的关系.     

La0．5Eu0．2Sr0．3MnO3钙钛矿型锰氧化物的坞^151Eu穆斯堡尔效应

利用穆斯堡尔效应研究了A位La被Eu替代的锰氧化物La0．5Eu0．2Sr0．3MnO3和La0.4Eu0.3Sr0.3MnO3的磁性、导电性、磁电阻效应。一定比例的Eu掺杂能够使La0．7Sr0.3MnO3样品出现M-I转变。穆斯堡尔参数表明在250K附近存在一种磁结构转变；高温区T〉260K时，θD=120K，低温区T〈360K时，θD=260K。     

La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/MgO颗粒系统的电输运和磁电阻

用溶胶凝胶法制备La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)粉末,并引入第二相MgO在不同的烧结温度下制备了(1-x)LSMO/xMgO铁磁颗粒系统,对样品的结构、电输运性质和磁电阻进行了系统的研究.结果表明:随MgO含量的增加,样品的电阻率增加、绝缘体金属转变向低温移动、低温电阻极小值现象变得更加明显以及样品的磁电阻增强,但当MgO含量增加到0.07以后,样品的绝缘体金属转变温度又重新增加,其磁电阻也几乎不变,运用颗粒之间的磁耦合关系和自旋极化隧穿机理,对实验结果进行了讨论.     

关于单K3-群L3(3)和U3(3)

设G为有限群,o1(G)表示G中最高阶元素的阶.用极少的数量刻画有限单群是单群刻画领域中一个有趣的课题.本文只用群的阶及最高阶元素的阶刻画了单K3-群L3(3)和U3(3),即证明了:设G为有限群,M为单K3-群L3(3)和U3(3),则G≌M当且仅当|G|=|M|,且o1(G) =o1 (M).     

对不定方程x3+y3+z3=3的研究

不定方程x^3＋y^3＋z^3=3的整数解问题是一个较古老且未得到完全解决的问题,在已找到的整数解中可发现,均有两个未知数的解相等.对于在两个未知数相等的情况下有无整数解进行一定的研究和推进,并且证明了x^3＋y^3＋z^3=3的解存在的形式.     

3-氯-3-甲基丁炔的合成

探讨了以3-羟基-3-甲基丁炔为原料合成3-氯-3-甲基丁炔的工艺,并考察了反应条件对3-氯-3-甲基丁炔收率的影响.通过正交实验确定了最佳工艺条件:3-羟基-3-甲基丁炔23.5 g,浓盐酸28 mL,浓硫酸18 mL,反应温度30 ℃,催化剂ZnCl2 2 g,该合成工艺收率可达83%以上.     

CH3NH3PbI3薄膜的光致发光增强效应

采用光谱测量技术分析了CH₃NH₃PbI₃薄膜的光致发光增强效应及其对载流子复合动力学的影响.实验结果表明,增加光浴功率密度有助于提高薄膜的光致发光增强速率,O₂环境有利于薄膜的光致发光增强.CH₃NH₃PbI₃薄膜光浴处理引入的光致发光增强效应源于薄膜内缺陷态浓度降低.同时利用微波吸收介电谱技术,表征了CH₃NH₃PbI₃薄膜光浴前后,自由载流子和浅能级束缚载流子的复合动力学.发现光浴后,薄膜的自由载流子和浅能级束缚载流子浓度明显提高.     

3p^3阶群之构造

在有限群理论中,确定n阶群的构造是一个分类问题。本文试图确定3p~3(p是奇素数,且p≠3)阶群的构造,即证明下面的定理: 令p是一个素数,则3p~3(p≠3)阶群有 (1)7种类型,当p≠1(mod3)。 (2)19种类型,当p=1(mod3)。     

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根据唯象自旋哈密顿和微观相互作用之间的近似等效性,本文导出了3d     

关于丢番图方程x3+y3+z3-3xyz=n解的判定

主要讨论了方程nxyzzyx=- 3333的性质,并给出了几种特殊形式的解。     

关于单K3-群L3(3)和U3(3)

设G为有限群,o1(G)表示G中最高阶元素的阶。用极少的数量刻画有限单群是单群刻画领域中一个有趣的课题。本文只用群的阶及最高阶元素的阶刻画了单K3-群L3(3)和U3(3),即证明了： 设G为有限群, M 为单K3-群L3(3)和U3(3),则GM当且仅当|G|=|M|,且o1(G)=o1(M)。