混沌半导体激光器研究进展

混沌激光具有宽频谱、类噪声的特点，已广泛应用于通信、传感和激光雷达等领域.半导体激光器因体积小、性能稳定、成本低等优势而成为产生混沌激光的主要光源.传统光反馈混沌半导体激光器信号带宽窄，存在时延特征，且大多为分立器件构成的系统.针对以上问题，综合介绍了近年来在混沌激光带宽增强、时延特征抑制和集成化混沌激光器方面的研究进展，并对混沌半导体激光器的发展趋势和应用前景进行展望.     

半导体激光器端面反射率的优化

本文从半导体激光器的速率方程组出发,分析了半导体激光器端面反射率的变化对其输出光功率的关系。数值计算表明,在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率。此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

强调制半导体激光超短光脉冲

从理论上讨论了强调制半导体激光器产生的超短光脉冲，解释了用微波强调制半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果。     

高特征温度半导体激光器材料选取与结构设计

大功率半导体激光器，有一个很重要的问题就是散热问题．为了制作出高质量的半导体激光器，我们必须做好激光器材料选取与结构设计。本文综合考虑半导体激光器材料与特征温度影响因素的关系，择优选取AlInGaAs四元系统作为有源区材料，从而设计出AlInGaAs／AlGaAs,／GaAs应变量子阱激光器，20～40℃时T0值可达到200K，最低阈值电流密度为126A／cm^2。     

激光光源的稳恒控制分析与设计

本文设计了一种激光光源系统，其能为半导体激光器提供高稳定度的驱动电流，恒温控制(ATC)和自动光功率控制(APC)，提高了半导体激光器的使用寿命和输出波长的单一性．并给出了驱动电流的稳定度实验测量。     

808nm大功率半导体激光器的低频电噪声

对８０８ｎｍ大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试,给出哭喊件电噪声与频率、注入电流之间关系,讨论噪声与电、光导数之间的关系。结果表明,８０８ｎｍ大功率半导体激光器的电器材怕在低频段主要１／ｆ噪工在阈值附近有最大值。     

基于半导体可饱和吸收镜的双波长环形腔连续波光纤激光器

提出并实验研究了一种基于半导体光放大器(SOA)和半导体可饱和吸收镜(SESAM)的双波长环形腔连续波光纤激光器.当半导体光放大器的输入电流为140m A时,通过仔细调整偏振控制器,可以获得1 560.91 nm和1 564.12 nm双波长激光,其信噪比大于30 dB,波长间隔为3.21 nm.实验结果表明,基于SOA和SESAM的双波长环形腔连续波光纤激光器的新概念及其技术可行性.     

AlInGaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究

本文采用波长都是808nm，有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器，针对其热特性做了对比实验．结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器．在20℃时，特征温度可达到200K，阈值电流380mA，而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器，最大寿命达4000h，这为改善半导体激光器热特性提供了有利依据，也拓宽了808nm激光材料的选择范围．     

一种半导体激光器的驱动电路源

根据半导体激光器对注入电流的稳定性要求高和对电冲击的承受能力差等特性,对其驱动电路进行了设计。针对具体的980 nm泵浦激光器,采用负电源模拟电路方案,研制了包含慢启动和功率稳定功能的驱动电路,其输出驱动电流稳定度达到2×10-4,应用于激光器后得到了小于4‰的光功率稳定度。     

半导体激光器结电压饱和特性及其与器件可靠性的关系

本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性，并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果。     

a-Si∶H薄膜的激光诱导结晶

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a-Si:H薄膜.使用KrF准分子脉冲激光对a-Si:H薄膜进行辐照,使a-Si:H晶化.拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a-Si:H层形成纳米硅颗粒.     

半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理。     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理.     

泵浦光参量变化对激光等离子体烧蚀压力的影响

采用非平衡的辐射流体力学模型系统地研究了长脉冲弱激光与平面碳靶相互作用的物理过程,包括激光在等离子体中的传播和吸收,等离子体的流体力学发展和热力学状态等.考虑的方程有:等离子体流体力学方程组,激光吸收方程,非局域热动平衡电离下电子占据概率的速率方程组,电子离子的能量守恒方程组和光子的能量输运方程(三温方程组),以及描述物质状态的方程等.对于流体力学方程组,采用Von Newman显式格式进行求解.对于三温方程的求解必须采用隐式格式,所以采用整体线性化迭代格式迭代求解.     

一种新的破坏模式：反冲塞

观察了到了长脉冲激束辐照到铜薄片上产珠 新的破坏模式。这种破坏可以分为三个阶段：鼓包；剪垣变形局部化及由冲塞所引起的贯穿，这种破坏模式的典型特征是鼓包和冲塞都是沿着入射激光相反的方向进行的，它同人们所塾知的激光引起材料破坏的分裂，烤化和汽化等不同，激发束的特殊空间分布造成了这种新的破坏模式。     

调制增益导引GaAs／GaAlAs锁相激光器阵列

首次利用液相外延标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。     

用激光光源测量凸透镜焦距实验探究

对测量凸透镜焦距的传统实验方法进行改进,采用激光为光源进行测量的一种新型简易方法,该方法操作简单,可直接读取焦距测量值.实验结果表明,测量结果与传统方法相比更准确.     

空间调制激光束测量超低速度

介绍了一种测量超低速度的激光多普勒测速仪.测量体中条纹的空间位置受到调制得到三组顺序出现的相位差分别为0°,90°,180°的条纹.经过信号处理可方便地去掉近频干扰噪声该仪器可以测量0.3mm/s到0.02μm/s的速度,精度优于2%,文中给出了一个电烙铁在加热过程中伸长量的变化的实测结果.     

拉曼激光器中多模工作探讨

本文对拉曼激光器多模工作的问题进行了一些探讨。并就一具体数例计算了几个高阶模的增益系数。从中看出在一般情况下可以将高阶模的影响忽略。     

氩离子辅助轰击对激光烧蚀法制备非晶碳膜的影响

离子辅助轰击能有效改善非晶碳 (a -C)膜的质量 .用脉冲激光 ( 5 32nm ,3.5× 10 8W cm2 )烧蚀石墨靶 ,同时用Ar+轰击膜面 ,在Si( 10 0 )衬底上沉积a -C膜 .用扫描电镜和喇曼光谱对膜结构作了分析 .结果表明 :在较低气压和较高的射频功率下制备的a -C膜质量较好 ,同时 ,激光重复频率对膜生长也有显著影响