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相似文献
 共查询到16条相似文献,搜索用时 437 毫秒
1.
研究基于Sudoku设计构造的等水平均匀设计与其子设计,以及子设计离散偏差值之间的解析关系,给出混水平设计离散偏差的一个新的下界,并利用拟水平法讨论基于Sudoku设计构造在离散偏差下的混水平均匀设计.  相似文献   

2.
针对一类特殊的二、三混水平部分因子设计d=(D…),在适当的划分下分别给出了互补设计的广义离散偏差与子设计D) 的广义字长型及均匀性模式的解析关系,同时给出了互补设计的广义离散偏差的下界,最后通过例子来验证其结论.  相似文献   

3.
针对二、三混水平饱和正交设计d,在适当的划分下d=(D:),给出设计d的广义离散偏差与子设计D()的广义字长型及均匀性模式的解析关系.同时,给出这类因子设计的广义离散偏差的下界.最后,通过例子来验证其结论.  相似文献   

4.
讨论了二四混水平因子设计在Lee偏差下的均匀性,并给出了Lee偏差的一个下界,该下界可以作为搜索Lee偏差下二四混水平均匀设计的一个基准.  相似文献   

5.
效应别名是部分因析设计不可避免的问题.由于别名的因子效应会造成数据分析的困扰,因此如何有效的解除别名效应的模糊性是部分因析设计中的重要问题.折叠反转是解除因子别名效应的经典方法.在两种特殊的情形下分别得到了两水平部分因子设计的组合设计的离散偏差的下界,数值例子说明这些下界是紧的.因此,这些下界可以作为寻找饱和正交设计的最优折叠反转方案的标准,并给出了用基于离散偏差的均匀性准则来寻找最优折叠反转方案的理论依据.  相似文献   

6.
基于现有的均匀性测度公式,利用Langrange乘数法和Taylor公式得到二水平设计离散偏差和对称化L2偏差紧的下界,最后通过2个例子来验证其结论.  相似文献   

7.
基于对称化L2-偏差讨论了组合设计的均匀性,在两种特殊的情形下分别得到了两水平部分因子设计的组合设计的离散偏差的下界,数值例子说明这些下界是紧的,因此这些下界可以作为寻找最优折叠反转方案的基准。  相似文献   

8.
针对两类特殊的二、三混水平部分因子设计d=(D:-D),在适当的划分下分别给出了互补设计的Lee偏差与子设计D(-D)的广义字长型和均匀性模式的解析关系,同时给出了Lee偏差的下界,最后通过两个例子来验证其结论.  相似文献   

9.
针对两类特殊的二、三混水平部分因子设计d=(D:-D),在适当的划分下分别给出了互补设计的Lee偏差与子设计D(-D)的广义字长型和均匀性模式的解析关系,同时给出了Lee偏差的下界,最后通过两个例子来验证其结论.  相似文献   

10.
讨论了Double设计在对称化L2-偏差下的均匀性,给出了Double设计为均匀设计的充要条件,同时得到了Double设计的对称化L2-偏差的下界,来评价Double设计的均匀性,最后通过一个例子来验证理论结果。  相似文献   

11.
设A为严格对角占优的M-矩阵,首先仅利用矩阵A的元素给出A-1的元素新的上界估计式,其次利用这些估计式给出了■A-1■∞新的上界估计式,并由此给出了A的最小特征值q(A)下界的估计式。这些新的估计式改进了已有的结果。  相似文献   

12.
首先给出了双严格对角占优矩阵逆矩阵元素的界,其次利用这些界和矩阵特征值定位定理,得到了该矩阵最小特征值的下界.理论证明和数值算例都说明,新界提高了现有的结果.  相似文献   

13.
目的 设A为严格对角占优的M-矩阵,估计||A-1||∞的上界及最小特征值σ(A)的下界.方法 利用严格对角占优的-矩阵A的元素估计这类界.结果 给出了||A-1||∞的一个新的上界估计式和最小特征值σ(A)下界的一个估计式.结论 这些新的估计式改进了已有的结果.  相似文献   

14.
关于非奇异M-矩阵A与B的Fan积A*B,给出A*B的最小特征值τ(A*B)下界的新估计式,同时也给出非负矩阵A与B的Hadamard积A*B的谱半径ρ(A*B)上界的新估计式,这些估计式只与矩阵的元素有关,易于计算.数值算例也说明所得估计式改进了现有的结果.  相似文献   

15.
拉格朗日乘数法和许尔凸函数法都是从设计的行平衡角度来考虑下界的计算.如果利用许尔凸函数来计算2-水平U-型设计在对称化L2-偏差下的下界,能够证明用拉格朗日乘数法和许尔凸函数法这两种方法计算的三种偏差的下界是相等的.  相似文献   

16.
对于含有过程变量的三分量有下界约束的线性-倒数混料模型,本文研究了参数估计的D-最优正交区组设计,给出了这些D-最优正交区组设计与混料分量下界之间的关系式.  相似文献   

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