古斯-汉欣(Goos-Hnchen)位移的研究

该文解释了由古斯-汉欣位移引出的违反相对论的因果律佯谬问题;导出了共振激发下古斯-汉欣位移增强必须满足的条件;在此基础上,用波长为860 nm的半导体激光在实验上获得了迄今为止最大的0.9 mm的正向位移和0.2 mm的负向位移;同时,利用双面金属包覆波导中超高阶导模的特殊性质和增强的古斯-汉欣位移实现了高灵敏的位移和溶液浓度的传感以及观察空间色散的超棱镜效应.     

狄拉克半金属中电调谐古斯-汉欣位移(英文)

古斯-汉欣位移在光束反射中有重要意义.理论分析并数值验证了线偏振光入射到狄拉克半金属上的古斯-汉欣位移.通过辨别介电函数的实部,确定狄拉克半金属的高损耗和低损耗电介质响应和金属响应.仅在金属响应区,大的相位跃变引起大的古斯-汉欣位移,可用作红外滤波.并且在金属响应区,TE偏振的古斯-汉欣位移永为正且接近零,但随着费米能增加TM偏振的古斯-汉欣位移总是为负且有最小值.通过电调谐狄拉克半金属的费米能,可以调控介电函数和古斯-汉欣位移,反之古斯-汉欣位移能够用来测量费米能.     

古斯-汉欣（Goos—Hanchen）位移的研究

该文解释了由古斯-汉欣位移引出的违反相对论的因果律佯谬问题;导出了共振激发下古斯-汉欣位移增强必须满足的条件;在此基础上,用波长为860mm的半导体激光在实验上获得了迄今为止最大的0.9mm的正向位移和0.2哪的负向位移;同时,利用双面金属包覆波导中超高阶导模的特殊性质和增强的古斯-汉欣位移实现了高灵敏的位移和溶液浓度的传感以及观察空间色散的超棱镜效应.     

Coherent manipulation of the Goos-H(a)nchen shift in four-level atomic medium

通过外加控制场调控腔中N型四能级介质的吸收-色散关系,从而调控反射光和透射光的古斯-汉欣位移.研究表明,在没有外加弱信号控制场的电磁感应透明状态,反射光和透射光的古斯-汉欣位移完全重合；当加上弱信号控制场时,反射光的古斯-汉欣位移对信号场强度、失谐量的变化比较灵敏,可以通过外加控制场使介质在弱吸收的情况下调控古斯-汉欣位移,实现大的、负向古斯-汉欣位移.     

N型四能级原子介质中古斯-汉欣位移的相干控制

通过外加控制场调控腔中N型四能级介质的吸收-色散关系,从而调控反射光和透射光的古斯-汉欣位移.研究表明,在没有外加弱信号控制场的电磁感应透明状态,反射光和透射光的古斯-汉欣位移完全重合;当加上弱信号控制场时,反射光的古斯-汉欣位移对信号场强度、失谐量的变化比较灵敏,可以通过外加控制场使介质在弱吸收的情况下调控古斯-汉欣位移,实现大的、负向古斯-汉欣位移.     

Logistic曲线拟合与预测在我国旅游市场中的应用

讨论了外加驱动场和原子介质自发辐射量子相干来调控固定腔中四能级原子介质的古斯-汉欣位移.研究表明,原子介质的自发辐射量子相干对古斯-汉欣位移的影响较大,在具有一定强度的自发辐射量子相干时,外加驱动场的强度和失谐对透射光和反射光的古斯-汉欣位移调控最为明显,可以实现大的古斯-汉欣位移.     

古斯—汉欣位移的自发辐射量子相干调控

讨论了外加驱动场和原子介质自发辐射量子相干来调控固定腔中四能级原子介质的古斯-汉欣位移. 研究表明,原子介质的自发辐射量子相干对古斯-汉欣位移的影响较大,在具有一定强度的自发辐射量子相干时,外加驱动场的强度和失谐对透射光和反射光的古斯－汉欣位移调控最为明显,可以实现大的古斯-汉欣位移.     

Control of the Goos-H(a)nchen shifts via quantum spontaneously generated coherence

讨论了外加驱动场和原子介质自发辐射量子相干来调控同定腔中四能级原子介质的古斯-汉欣位移.研究表明,原子介质的自发辐射量子相干对古斯-汉欣位移的影响较大,在具有一定强度的自发辐射量子相干时,外加驱动场的强度和失谐对透射光和反射光的古斯-汉欣位移调控最为明显,可以实现大的古斯-汉欣位移.     

基于古斯-汉欣位移差分信号的波长锁定

利用双面金属包覆波导对古斯-汉欣(GH)位移具有极大的增强效应和GH位移对入射光波长极其灵敏这两特性,本文基于GH位移差分信号提出了一种稳定度高的波长锁定方法.在实验中,测量信号是反射光束位置的移动,不受激光光强涨落的影响,可有效避免因激光光强波动所带来的误差,波长锁定的稳定度能进一步提高.该方法能实现皮米量级的激光波长锁定,且其制作工艺简单.     

关于内反射光谱方法测量液体浓度的研究

关于内反射光谱方法测量液体浓度的研究张季熊周佐平（华南理工大学应用物理系广州５１０６４１）从研究物质反常色散区域里的光吸收特性以及衰减全反射中的古斯－汉欣效应里吸收与波长、入射角等的关系出发，将光波导、光纤传感技术与双波长检测方法结合起来，使用了液芯...     

光束在一维光子晶体中的古-汉位移特性

根据传输矩阵法,研究光束在一维光子晶体中的古斯-汉森位移.结果表明,光子晶体结构的随机误差能够增强光子禁带中的古斯-汉森位移.该位移与光子晶体材料的折射率、光子晶体的周期数,以及光束的入射角有关.研究结果还表明,在掺杂的一维光子晶体中,结构的随机误差会降低缺陷态附近的古斯-汉森位移,同时在禁带的其他地方,位移得到增强.     

各向异性异质材料中的Goos-Hnchen位移研究

对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟,结果显示,在μz0的情况下,频率ω分布在4~6GHz之间时,各向异性材料为NI-QLHM.而磁导率分量|μz|越小,在NI-QLHM频率区域越容易实现全反射;随着频率的增加,临界角减小,从而发生全反射的入射角的范围增加,同时也将导致准左手化材料的有效折射率减小.结果还显示,对于同一个入射角,随着频率ω的增加,古斯-汉森位移减小,即随着折射率n的减小,古斯-汉森位移减小.而穿透深度dz与古斯-汉森位移d相对应,穿透深度越大,古斯-汉森位移也越大.     

三维狄拉克半金属红外波段的古斯—汉欣效应研究

从理论上研究了三维狄拉克半金属(3D DSM) 与石墨烯结合的红外波段的古斯—汉欣(GH) 效应， 并与石英玻璃的GH效应进行了对比．结果表明: 覆盖石墨烯加剧了反射光相位的变化， 明显增强了GH位移， 改变了GH位移的正负．p偏振的光以布儒斯特角入射时，覆盖有石墨烯的 3D DSM 的GH位移出现正向峰．3D DSM 的GH位移对于平板厚度比石英玻璃敏感，随平板厚度变化时出现震荡峰．在金属区域和高损耗电介质区域， GH位移接近零; 在无损耗电介质区域，GH位移随波长变化呈现震荡特性．     

近零介电常数区超导界面的古斯-汉欣位移

对相同的结构,构造材料的光学特性不同,古斯-汉欣(Goos-H?nchen,GH)位移也会不同。在近零介电常数区,对介质-超导界面上反射光的GH位移进行了理论研究。结果表明,GH位移与超导材料介电常数为零时的波长(定义为阈值波长)相关。当入射光波长小于阈值波长时,不同偏振态的入射光的GH位移随入射角和介质折射率的变化规律基本相同。当入射光波长大于阈值波长,对s波,GH位移为正值,而对p波,GH位移为负值。当以阈值波长入射,除了在以接近0°的小角度入射时,GH位移基本保持为某一常数,不随入射角的改变而变化。零折射率材料在光子学领域具有广泛的应用,计算结果为基于超导材料的新型光子学器件研究开发提供了参考。     

圆波导元件和方—圆过渡器驻波比的测量

本文对测量圆截面波导元件驻波比的传统方法所引入的误差进行了理论分析。根据网络级联原理提出了采用圆波导套筒式移相器测量圆截面波导元件驻波比的新方法,这种方法还可以同时测出测量系统中的圆波导过渡器的驻波比。理论和实验表明,圆波导套筒式移相器的固有反射不会影响测量结果。     

半模基片集成波导和微带转换的分析

为实现基片集成波导结构的小型化,沿场分布对称面将其截成两半,利用等效磁壁限制场型变化,提出了半模基片集成波导结构.在此基础上,研究了半模基片集成波导与微带线的转换问题,并设计Ku波段的半模基片基层波导-微带线转换结构.仿真结果表明,在所设计的频段内,插损优于0.5 dB,反射损耗小于-15 dB,实测结果与仿真结果基本吻合.实验表明,半模基片集成波导能够保持基片集成波导的传播特性.     

消逝波和棱镜薄膜耦合器

文章讨论了平面波从光密介质向光疏介质传播时,当入射角θ_i>θ_c(临界角)时,出现全反射现象,推导了场的表达式,从而证明消逝场的存在。通过波分析,即在均匀介质中,任一波可表达成Aexp[-i(K·γ)]的平面波的线性叠加。由此得到的全反射场的表达式和从几何光学原理得到的场相比较,可以证明当光束受到全反射后,光束位置发生一个位移,这就是古斯——汉欣位移。在平板波导中,考虑了古斯——汉欣位移和相应时间的延滞,波分析和几何光学分析得到相同的本征模分析。棱镜薄膜耦合器是利用上述原理把激光束能量耦合到波导中,并讨论了棱镜薄膜耦合器的同步条件和耦合效率,讨论了我们研制此种耦合器的实验结果。     

四极子形量子级联微腔激光器

不同的波导和谐振腔形式,对应的量子级联微腔激光器的特性有显著的不同.四极子量子级联微腔激光器带来的光的方向性激射,解决了对称型微腔激光器光的方向性激射的困难.本文简单介绍了四极子量子级联微腔激光器的由来和其相关的几种激光器.     

基于对称金属包覆波导的高精度微位移测量

利用对称金属包覆波导中超高阶导模对入射角度高度灵敏的特性,提出了一种新型的实时高精度微位移测量方法.与将压电材料置于导波层中不同,该方法是在压电材料上粘合一平面镜,并放置于一凸透镜的焦平面处.当对压电材料加载电压而产生微位移时,经凸透镜返回的2条边缘光线会产生微小的入射角度变化,从而引起反射光强的急剧改变.该方法的微位移测量精度和测量范围分别为0.5和170nm,且具有结构简单、实时测量等优点,可应用于微机电系统和精密控制领域.     

关于古斯-汉申位移的探讨

上世纪四十年代,古斯(Goos)和汉申(Hanchen)两位物理学家发现,光速在两种界面上发生全反射时,反射点在相对于入射点在相位上有一突变,而反射光线相对于入射光线在空间上有一段距离。这一现象被称为:古斯-汉申位移(Goos-Hanchen shift)。另外,光束在两种界面上发生全反射时,入射波的能量不是在界面处立即反射的,而是穿透到另一介质一定深度后逐渐反射的,而且在此深度内能量流还沿界面切向传播了一个波长数量级的距离。人们把这样一种波称为隐失波。再次,掠入射时,光从光疏介质到光密介质时反射光有半波损失,而从光密介质到光疏介质时反射光无半波损失,在任何情况下透射光都没有半波损失。以上各种现象表明对于光量子仍有一些性质不为我们所掌握。