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熊欣 《辽宁大学学报(自然科学版)》1995,22(2):31-34
本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法。利用C-V测量技术,估计了晶格失配和其它集中电容对n-PbTe/P-Si异质结内建电势的影响。在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后,所得内建电势差修正值接近理想HJ的计算值。基于此修正值,计算的带偏移△Ev和△Ec十分接近国外文献所报导的结果。 相似文献
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本文介绍了有关半导体异质结的技术及其研究进展,首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程,其次以典型的GaAlAs双异质结LED中的异质结结构为例,介绍了异质结的主要物理性质,最终以异质结新技术为出发点,展望异质结技术发展的新方向。 相似文献
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讨论了Cds/CdTe异质结的电流电压特性,研究了Cds/CdTe太阳电池在AMl.5太阳光谱辐射下的转换效率,给出了不计所有损失的理想极限情况下,其电池转换效率可达27%。同时讨论了考虑部分材料参数影响的条件下,实际CdS/CdTe太阳电池的转换效率,在所选定的参数下为23%,从近期实际制备的CdS/CdTe太阳电池的进展,以及较为合理的理论推论和分析来看,此效率将有可能达到。 相似文献
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应用磁控溅射法在SrTiO3(STO)单晶基片上原位制备了Pb(Zr,Ti)O3/YBaCu3O7(PZT/YB-CO)异质结,X射线衍射、透射电镜和选区电子衍射结果表明PZT/YBCO为外延生长,磁化率的测量结果表明YBCO的超导转变温度接近90 K,外延铁电体/超导体异质结的制备为进一步研究铁电性、超导性以及铁电体/超导体复合器件奠定了基础. 相似文献
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ThebandgapofSi-baseSi1-xGexalloycanchangealongwithcontentxandstrain ,thepeakwavelengthofphotodetectorsfabricatedbyusingthismaterialscanbemodulatedaccord inglyfrom 0 .8μmto 1 .6 μm .Si-baseSiGeinfrareddetectorsarecompatiblewiththeSiverylarge -scaleintegrated (VLS… 相似文献
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用平均键能方法,研究了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的价带偏移.着重尝试了能带中含浅d态的情况下,用平均键能方法计算异质结的△Ev值.由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果,为检验平均键能方法计算的可靠性,又采用能同时计入各种影响△Ev因素的较严格的超原胞(AlN)n(GaN)n(001),(n=1.3,5)界面自洽计算方法,验证超晶格中平均键能Em的“对齐”程度和价带偏移△Ev的计算结果. 相似文献
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本文于国内首次报导,利用简化的热壁外延(HWE)装置在BaF2(111)衬底上生长了Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶外延层,制备了PbTe/PbSnTe异质结和具有20个周期的超晶格。测试结果表明,所制备的外延层的晶体结构完美,异质结具有良好的整流特性。通过X-光衍射求出了超晶格的周期。超晶格样品(222)衍射峰的卫生峰不对称,说明样品内有应变。 相似文献
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苏钧 《华中科技大学学报(自然科学版)》1992,(2)
为了对磁性石榴石薄膜液相外延过程中熔质成分作定量的评估,本文根据扩散-反应方程,建立了熔质浓度分布模型,研究了液相外延生长中熔质R_2O_3(R代表稀土元素)和Fe_2O_3的浓度在PbO/B_2O_3作为助熔剂的熔体中的变化状况,以及薄膜线性生长速率与生长温度的关系. 相似文献
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程玉梅 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》2014,(5):497-500
论文研究了InAs量子点的生长条件,通过实验得到了生长温度、沉积厚度不同下的量子点生长情况。引入Sb表面活化剂进行实验,优化了制备尺寸不同、密度相近的两种量子点的生长条件。 相似文献
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围绕InAs(InGaAs)/GaA叠层量子点电池的制作,本文通过文献研究和对近邻面生长实验研究认为,InAs/GaAs量子点生长形貌和特性受生长环境条件和生长条件影响。其中,客观、不可改变的外延层与衬底晶格常数、生长台面、超晶格结构等环境条件对量子点生长最为重要。这些环境条件通过生长应力,决定了量子点生长中的有序成核、生长、合并,直至出现缺陷的多晶体生长,其作用贯穿整个量子点生长过程。 相似文献
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计算了Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs与GaAs晶格匹配时的等能隙曲线以及液相外延生长AlGaInPAs/GaAs所用母液中Al的分凝系数。实验证明,由于Al的分凝,使过冷度对AlGaInPAs外延层的固相组分有显著影响,但对外延层的其他性质没有影响。 相似文献
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液相烧结SiC陶瓷的微观结构 总被引:3,自引:0,他引:3
采用Al2O3、Y2O3为助烧剂,液相烧结获得了致密的α-SiC和β-SiC陶瓷,并研究了SiC了烧结体的物相组成和微观结构。实验结果表明,Al2O3,Y2O3原位形成了YAG,材料以液相烧结机制致密化,α-SiC通过溶解和再析出机制,促进晶体生长,并形成“Core/Shell”结构,物相分析表明,β-SiC陶瓷粉末在烧结过程中发生β→a的相变,微观结构观察显示,β-SiC陶瓷中生成了长柱状晶粒。 相似文献
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Geng Wang Lu Wang Hong Chen Wenxin Wang Zhenwu Shi Yulong Chen Miao He Pingyuan Lu Weining Qian 《科学通报(英文版)》2014,59(20):2383-2386
Two kinds of short-period type II superlattices(SLs)InAs(6 monolayers(MLs))/GaSb(3 MLs)and InAs(8 MLs)/GaSb(8 MLs)which can serve for mid-infrared(MIR)detection have been grown by molecular beam epitaxy(MBE)on p-type GaSb(100)substrates.The cutoff wavelength for the two superlattices(SLs)was found to be around 4.8 lm at 300 K.The high resolution X-ray diffraction(HRXRD)measurements indicated that the InAs(8 MLs)/GaSb(8 MLs)SLs have better crystalline quality than that of the InAs(6 MLs)/GaSb(3 MLs)SLs.However,compared with infrared absorption in the 2.5–4.3 lm range,the optical absorption of InAs(6 MLs)/GaSb(3MLs)SLs was more excellent.This can be attributed to increase probability of the electron and hole wave function overlap in the thinner period thickness. 相似文献
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Hg1—xCdxTe液相外延薄膜的貌相分析 总被引:2,自引:0,他引:2
用扫描电子显微镜、能量散射X-射线分析及金相显微镜等方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系,以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明,衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差;生长前衬底表面覆盖可以减轻其表面沾污,用适当的回熔LPE工艺,可以改进外延层表面形貌及质量 相似文献
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高含Cu量Mo-Cu合金的液相烧结 总被引:7,自引:0,他引:7
采用液相烧结Mo、Cu混合粉压坯的方法制取合金,分析了合金的力学性能及组织。借助TEM,SEM组织观察以及电子探针成分(EDXA)分析表明:Mo-Cu合金的烧结由于Mo的溶解-析出,Mo晶粒表面有Mo、Cu不同比例含量的过渡层,该层中组织均匀细小。在润湿角为0°附近温度烧结合金性能最佳。 相似文献