镜面抛光硅衬底上金刚石薄膜的生长

在镜面抛光硅衬底上加负偏压,利用微波等离子体化学气相沉积方法生长金刚石薄膜。通过改变偏压成核阶段的不同条件制备出一系列样品,与直接在镜面抛光硅衬底上不加偏压直接生长的金刚石膜相比,成核密度明显提高,可达４×１０＾９ｃｍ＾－２。     

衬底偏压对磁溅射生长氮化碳薄膜的影响

采用非平衡磁溅射方法，在不同衬底偏压条件下，在Ｓｉ（００１）衬底上制备出氮化碳薄膜，实验发现，氮化碳薄膜的沉积率取决于衬底偏压。通过对红外、电子能量损失谱的测试分析发现，衬底偏压对氮化碳薄膜中原子间的键合情况也有一定影响。     

大面积HFCVD系统衬底温度场建模与分析

以大面积HFCVD系统为研究对象,应用传热学理论建立了衬底温度场模型.根据金刚石成膜过程中对衬底温度大小及均匀性的工艺要求,对影响衬底温度场的参数进行了优化设计.最后,应用灵敏度法综合分析了各参数对衬底温度场的影响程度.     

ZnO纳米棒的低温制备及其光学性能表征

在低温条件下,利用化学溶液沉积法（CBD）成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒.本文不仅研究了生长条件,如Zn^2＋摩尔浓度和生长时间对纳米棒结构和形貌的影响,还利用不同衬底（Si衬底、ITO导电玻璃和玻璃）进行实验,从而研究了同一生长条件下,衬底对样品形貌和光学性能的影响.结果表明,随着Zn^2＋摩尔浓度的增大,纳米棒的尺寸也随着增大;当Zn^2＋摩尔浓度为0.1M时,纳米棒的纵横比随着生长时间的增加而减小;衬底对样品的形貌和光学特性有一定影响.PL测试表明硅衬底上生长的纳米棒有较好的光学性能.     

衬底温度对激光脉冲沉积氧化锌薄膜结构及发光性能的影响

在单晶硅衬底上用激光脉冲沉积方法制备了氧化锌薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和发光性能的影响．     

浅埋隧道施工中围岩应力分析

以某隧道为背景,对浅埋偏压公路隧道在CRD法开挖条件下进行施工力学数值模拟和现场监测监控.分析开挖过程中围岩应力的变化情况,并将模拟结果与现场监测结果进行比较.结果表明:浅埋偏压隧道开挖后,围岩应力场并不对称,深埋侧的变化程度大于浅埋侧;在每一个开挖步骤前后,围岩应力变化较大;钢弦式传感器能够记录围岩应力释放的情况.     

AlGaN p-i-n型日盲紫外探测器

基于在双面抛光的蓝宝石衬底上采用等离子体增强的分子束外延方法生长了AlGaN基p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.35Ga0.65N/n-Al0.45Ga0.55N结构材料,p型欧姆接触采用电子束蒸发Ni/Au(5 nm/5nm)薄层叉指结构电极,制作了p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器.器件的峰值响应波长为273 nm.器件在零偏压下的暗电流很小,为nA量级,峰值响应度为8.5mA/W.器件在-5 V偏压下,峰值响应率32.5 mA/W,对应的外量子效率达到15%.     

C类放大器的偏压和动特性

C类放大器广泛应用于VHF/UHF频段的调频发射机中,对其偏压的确定和动特性的分析是有关理论课中的重要内容.笔者根据长期教学和实践经验,就C类放大器的偏压和动特性作了完整、严密的阐述,这对初学者熟练掌握并灵活应用这一实用性很强但又不易理解的基本知识,无疑是十分有益的.     

G＿aP－LPE过程中掺N浓度的测定及N浓度对发光效率的影响

本文叙述了Ｇ＿ａＰ单晶衬底在液相外延过程中掺Ｎ浓度的测定方法；并研究了在１０４０℃起始外延温度下，不同的掺Ｎ浓度对材料发光效率的影响。     

A1GaNp-i-n型日盲紫外探测器

基于在双面抛光的蓝宝石衬底上采用等离子体增强的分子束外延方法生长了A1GaN基p-A10.45sGaomN／i—A10.35Gao．065N／n—A100.45GaossN结构材料,p型欧姆接触采用电子束蒸发Ni／Au（5nm／5nm）薄层叉指结构电极,制作Tp-i-n型A1GaN日盲紫外探测器．器件的峰值响应波长为273nm．器件在零偏压下的暗电流很小,为nA量级,峰值响应度为8．5mA/W．器件在-5V偏压下,峰值响应率32．5mAW,对应的外量子效率达到15％．     

药芯焊丝焊缝中的夹杂物对针状铁素体形成的影响规律

系统研究了药芯焊丝焊缝金属中非金属夹杂物尺寸大小和分布规律,用透射电镜和能谱仪分析了焊缝金属中非金属夹杂物的非状和化学成分。结果表明：药芯焊丝焊缝金属中促进针状铁素体形核长大的非金属夹杂物是Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕ形成的氧硫复合物。焊缝金属中Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ的含量和焊接线能量对非金属夹杂物的尺寸大小及化学成分影响很小。药芯焊丝焊缝金属中针状素体的形核长大是由于非金属夹杂物有高能惰性界面,以及非     

ZnO纳米线的自催化生长、微结构和荧光特性

采用高温碳还原ZnO粉末获得了大量直径约为40 nm的ZnO纳米线.通过X射线衍射、光电子能谱、扫描电镜、透射电镜对其微结构特征进行了深入的研究.结果表明ZnO纳米线的生长机理不同于传统的气-固(Vapor-Solid,VS)生长模式,是典型的自催化气-液-固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长模式,且反应过程中最初形成的液态纳米颗粒在ZnO纳米线的生长过程中起催化剂作用.荧光光谱表明ZnO纳米线中氧空位缺陷密度大,因而具有强可见光发射.     

Cellular Automata法模拟材料微观组织结构

用CA(Cellular Automata,CA)法模拟材料微观组织结构的形成过程.模拟过程中考虑了形核过程的随机性与晶粒生长的确定性.采用连续形核模型来描述液相中的自发形核.基于简化的晶粒形状,建立了模拟晶粒生长的二维数学物理模型,开发了模拟程序并进行了二维模拟计算.     

高温合金蠕变位错攀移控制的空洞形核时间

对高温合金的稳态蠕变，利用位错扩散攀移理论解释了空位凝聚和空洞形成核的过程，得出０空位凝聚并形成空位集团主要是由于位错攀移所发射（湮没）空位，引起局部空位浓度异常所致。利用Ｒ．Ｌａｇｎｅｂｏｒｇ的稳态蠕空控制方程导出稳态蠕变空洞形核的临界时间ｔｃ的表达式。     

锆在氟化物熔盐体系中的电结晶机理

在氟化物熔体中,详细地探讨了锆的电结晶长大机理.稳态极化结果表明锆在该熔体中的电结晶过程与电极材料的性质密切相关,在玻态碳电极上表现出电成核步骤对沉积过程的影响.计时电流实验发现锆的电结晶步骤为瞬间成核长大过程.电沉积实验表明锆结晶层按"螺位错"晶体生长方式长大,XRD分析证实其优越生长方向为Zr<110>.不同的电积工艺条件对应不同的电沉积过程,而且能得到具有不同织构方向的沉积层.     

酞菁铜纳米线的模板合成与表征

采用物理方法将酞菁铜引入到氧化铝模板中,成功制备了酞菁铜纳米线.表征结果表明,酞菁铜纳米线直径约为75 nm,呈现β晶形结构.纳米线的形成经历了成核到纳米粒子,由纳米粒子高温晶化组装成纳米线的过程.     

Ag纳米线过热的热力学模型

对Ag纳米线的熔化和过热作了研究,提出了一种经典热力学模型对Ag纳米线的过热机制作了阐述;当考虑到低能Ag/Ni界面的作用时,推导了过热的定量表达式,说明了过热与纳米线的半径和界面能有密切关系.     

Si衬底上金刚石薄膜的成核和生长机理

以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象.     

非晶态材料分相机理的理论探讨

从经典的形核生长动力学和Ｃａｈｎ的调幅分解线性动力学理论出发，经数学推导得到如下结论：在分相的扩散阶段初期，按调幅分解机理进行的分相过程，其不均区域尺寸与时间的关系没有一定的规律。     

夹杂物诱导晶内铁素体形核物理模拟研究

用物理模拟法研究了夹杂物MnS、Al₂O₃和Al₂O₃·Mns在晶内铁素体形核过程中的作用;用数字式金相显微镜观察了夹杂物界面附近区域的金相显微组织变化;用电子探针分析仪对夹杂物界面附近微区的化学成分进行了分析.研究结果表明:MnS、Al₂O₃和Al₂O₃·MnS不能使夹杂物与金属界面附近微区的化学成分发生变化,但MnS与Al₂O₃·MnS具有诱导晶内铁素体形核的能力,Al₂O₃不具有诱导晶内铁素体形核的能力;在氧、硫复合物Al₂O₃·MnS中,夹杂物表面的物质Mns在晶内铁素体形核过程中起着重要作用.