锑在硼砂溶液中阳极成极膜规律的研究（Ⅱ）

本文利用线性电位扫描，ｘ射线衍射和恒电位阳极极化电流与时间的关系研究了锑在０．０５ｍｏｌ·ｄｍ－３Ｎａ２Ｂ４Ｏ７＋０．５ｍｏｌ·ｄｍ（－３）Ｎａ２ＳＯ＿４溶液中（ＰＨ＝９．１，３０℃）于１．２Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）阳极成膜３ｈ，阳极形成膜相组成及其生长规律。实验结果表明，本工作中的阳极膜主要组成是Ｓｂ＿２Ｏ＿３和ＳｂＯＨＳＯ＿４·Ｈ＿２Ｏ，膜生长规律大致包括金属的溶解→氧化物膜的形成与增厚→膜的钝化。     

锑在硼砂溶液中阳极极化膜半导体性质的研究（续）

本工作利用白光电流和交流阻抗法研究了锑在０．０５ｎ１Ｏｌ·ｄｍ￣（－３）Ｎａ＿２Ｂ＿４Ｏ＿７＋、０．５ｍｏｌ·ｄｍ“Ｎａ２Ｓｏ４溶液中（ＰＨ一９．ｌ，３０Ｃ）于１．２ｖ（ｖＳ。ＳＣＥ）阳极形成膜的半导体性质。实验结果表明，该阳极膜是一种ｎ型半导体，其平带电位为一０．３６Ｖ，施主密度为２．８×ｌ０￣１８ｃｍ￣（－３）。讨论了锑增加对在硫酚溶液中形成的阳极ｐｂ（Ⅱ）氧化物膜生长的影响。     

离子敏感微电极的制作及参数测试

本文制作了Ｋ＋，Ｎａ＋液态膜离子敏感微电极（Ｋ＋，Ｎａ＋—ＩＳＭＥ），并稳定了其制作条件，经测试，Ｋ＋—ＩＳＭＥ线性范围为１—１０－４ｍｏｌ／Ｌ，检测下限为３．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ。对Ｎａ＋选择系数为２．６８×１０－４。电位飘移为±０．１ｍＶ／ｈ。Ｎａ＋—ＩＳＭＥ线性范围为１—２．０×１０－ｍｏｌ／Ｌ，检测下限为５．０×１．０－４ｍｏｌ／Ｌ。对Ｋ＋的选择系数为１．８５×１０－２，对Ｃａ２＋的选择系数为１．４６。上述参数均满足生理实验要求，离子敏感微电极技术可做为生理学研究的重要手段。     

锑－槲皮素络合物极谱吸附波的研究

在１×１０~（－２）ｍｏｌ／Ｌ。Ｈ＿２ＳＯ＿４，１×１０~（－５）ｍｏｌ／Ｌ。槲皮素，５％乙醇底液中得到了锑－槲皮素络合物还原峰，这是一个明显的络合物吸附极谱波。用其导数波可测定纯Ａｓ＿２Ｏ＿３中微量Ｓｂ。     

石英谐振式NH_3敏元件

以在ＡＴ切型，Ａｕ做电极的石英振子上涂覆适当厚度的Ｌ（＋）抗坏血酸为敏感膜，制作气敏元件．实验表明，该元件对微量ＮＨ３（＜３．３×１０－６ｍｏｌ／Ｌ）具有很高的频率响应和灵敏度；对８．２×１０－５ｍｏｌ／Ｌ的Ｈ２，ＣＯ，ＣＨ４，Ｃ４Ｈ１０及８．２×１０－７ｍｏｌ／ＬＨ２Ｓ感度很低，有良好的选择性．     

掺锑α－Fe_2O_3超微粉材料的晶粒生长、微结构与气敏特性

用化学共沉淀法制得掺有一定量锑离子的α－Ｆｅ２Ｏ３，超微粉料．ＴＧ－ＤＴＡ、ＸＲＤ及ＳＥＭ等分析表明，掺锑量（Ｓｂ／Ｆｅ原子比）小于０．２时，材料仍保持α－Ｆｅ２Ｏ３的晶体结构，但其晶化温度随Ｓｂ含量的增加向高温区移动；在低温段纯α－Ｆｅ２Ｏ３的晶粒生长活化能（Ｑ＝１０．３ｋＪ／ｍｏｌ）远小于Ｓｂ／Ｆｅ＝０．１（Ｑ＝３５．３ｋＪ／ｍｏｌ）粉料的活化能；Ｓｂ５＋取代α－Ｆｅ２Ｏ３晶粒中Ｆｅ３＋格位与在４５０℃下长期工作粉料颗粒不易长大，是造成掺锑α－Ｆｅ２Ｏ３元件电阻降低一个多数量级及气敏性能显著改善的主要原因．     

BaTiO_3与PVDF热释电复合膜的研究

采用在成膜过程中加直流电场和不加电场两种方法制备了ＢａＴｉＯ３＋ＰＶＤＦＩ合薄膜，在１０ｋＶ／ｃｍ电场下制备的复合膜热探测优值ｐ／ε达到１．５×１０－７Ｃ／ｍ２·Ｋ，而无电场制备的复合膜只有１．２×１０－８Ｃ／ｍ２·Ｋ．实验表明在成膜过程中施加强直流电场，可以使铁电颗粒的ｃ轴转向，平行子电场的方向．ＢａＴｉＯ３颗粒的择优取向使复合膜易于极化，从而提高了复合膜的热释电性，并改善了老化性能．     

半胱氨酸电氧化循环伏安研究

循环伏安法研究表明．半胱氨酸在玻璃碳电极上的氧化机理为ＲＳＨ→ＲＳ·十Ｈ＋＋ｅＲＳ·＋ＲＳ·→ＲＳＳＲＲＳ·＋２Ｈ２Ｏ→ＲＳＯ２Ｈ＋３Ｈ＋＋３ｅ测得第一步电子传递过程的βｎａ＝０．２４，ｋａ＝１．０３×１０－５ｃｍ·ｓ－１，第二步电子传递过程的βｎａ＝０．４１，ｋａ＝２．１０×１０－９ｃｍ·ｓ－１．     

锑(Ⅲ)-7-碘-8-羟基喹啉-5-磺酸络合物吸附波的研究

在ｐＨ７．３０的ＫＨ２ＰＯ４－Ｎａ２Ｂ４Ｏ７·１０Ｈ２Ｏ缓冲介质中,锑（Ⅲ）与７－碘－８－羟基喹啉－５－磺酸（Ｆｅｒｒｏｎ）生成络合物,在线性单扫描示波极谱仪上出现一尖锐、灵敏的极谐波,二阶导数峰电位Ｅｐ＝－０．８３Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）,峰电流与锑（Ⅲ）浓度在３．０ｘ１０－８－４．９ｘ１０－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好线性关系,检出限为１．２ｘ１０－８ｍｏｌ／Ｌ。采用多种电化学方法研究了极谱波的性质及电极反应机理,证明了该极谱波为络合物吸附波,络合物组成为Ｓｂ（Ⅲ）：Ｆｅｒｒｏｎ＝１：２,峰电流由络合物中心离子Ｓｂ（Ⅲ）还原产生。试验了多种离子对峰电流的影响,周巯基棉分离干扰离子,采用本法对标样进行测定,结果满意。     

吸附溶出伏安法测定水中痕量钴

介绍测定痕量钴的一种方法。在０．０１ｍｏｌ／Ｌ ＮＨ３·Ｈ２Ｏ－ＮＨ４Ｃｌ和１．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ酸性铬兰Ｋ（ＡＣＢＫ）溶液中，Ｃｏ（Ⅱ）产生很灵敏的还原波，其峰电位是－０．５２Ｖ（ｖｓ、ＳＣＥ）．Ｃｏ（Ⅱ）的浓度在２．０×１０＾－８￣５．０×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ的范围内与峰电流成直线关系，检测限是５．０×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ。这一方法用于测定水中痕量钴，结果令人满意。     

中草药化学成分研究中几种不同浓缩方法效率的比较

通过实验，对三种不同浓缩方法的效率进行了比较，结果表明，真空薄膜浓缩法与其它两法相比，具有仪器容量大，浓缩速度快，受热时间短，操作简单，使用方便，工作效率高等优点。     

锌对在PH不同的溶液中锑阳极成膜规律的影响

利用恒电位阳极极化电流与极化时间的关系、线性电位扫描法研究了锑锌合金在PH值不同的电解质溶液中于1.2V(30±0.1℃,vs.SCE)阳极成膜规律及膜相组成。讨论了锌掺入对在PH不同的溶液中锑阳极成膜规律的影响原因。     

吸收膜椭偏测量中的入射角选择

本文以差商代替偏导数,利用计算机近似地模拟计算了两种环境一吸收膜一基板系统椭偏角φ、△与反射率R对于膜系参量n_0、k_0、n_1、k_1、d_1、n_2、k_2的偏导数,以及这些偏导数对于入射角φ_0的依赖关系,并以此为基础,讨论吸收膜椭偏测量中的最佳入射角选择问题。     

直流偏磁场对第二类哑玲畴长度的影响

本文通过研究直流偏磁场Ｈｂ对标称成份为（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ１２石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴（ＩＤ）长度的影响，观察到：１）ＩＤ的长度随Ｈｂ的升高而缩短；２）经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降，ＩＤ长度与Ｈｂ的关系曲线基本重合；３）随着Ｈｂ的升高，直至ＩＩＤ缩灭的过程中，较长ＩＤ与较短ＩＤ的长度比变化不大．这些实验现象暗示，在Ｈｂ的准静态变化过程中ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）数目保持不变     

用阳极溶出伏安法测定超氧化物歧化酶中的铜

本文介绍用阳极溶出伏安法测定超氧化物歧化酶中铜的方法,试样(0.3～0.4mg)经灰化后,用硝酸溶解并蒸干,残留物溶于0.1MNH_4OAc中。取部分该试液放入电解池中用悬汞电极在-1.0V进行预电解,并以线性变位二次导数极谱法测定铜的溶出电流。     

腔式静压轴承工况的数学模型的研究

本文应用润滑理论建立了腔式静压轴承工况的数学模型，编制了计算机仿真程序，仿真结果与实验结果基本吻合，证明本文所建立的数学模型是正确的．此项研究为进一步计算机辅助分析和设计腔式静压轴承提供了理论基础．     

硫酸介质中铅阳极膜阴极还原过程的研究

采用光电化学技术和实时交流阻抗测量等现场方法研究铅阳极膜的阴极还原过程，发现ＰｂＯ电位区阳极氧化形成的阳极膜在阴极还原时有两种ＰｂＯ的还原，即ｏ－ＰｂＯ和ｔ－ＰｂＯ二种氧化物的还原，还原过程中的电极阻抗变化情况表明ＰｂＯ层是均匀还原的，且是ｔ－ＰｂＯ先还原，ｏ－ＰｂＯ后还原．还分析了铅阳极膜在阴极还原过程中所表现出来的阴极光响应．     

亚微米级多孔绝热膜的纵向热导率的测试

提出了采用调制热源，热沉边界条件下的超低频薄膜纵向热导率测试方法，结构金属薄膜的弱温度探测，使薄膜厚度方向的热导率测试进入到了亚微米量级。室温下热导率采用了线性拟合外推法求得。实测的多孔ＳｉＯ２薄膜热导率比致密的块休材料低了３个量级，为０．００１Ｗ／ｍ．Ｋ。     

气液相际传质的理论研究

提出了气液相际传质的三膜模型．该模型认为,气液相际传质有三个阻力膜层：气膜、液膜和界面阻力膜．本文对模型中的参数进行了分析,并且进行了实验验证．结果表明,三膜模型能较好地反映两相间传质的规律．