氧化锡薄膜的冷电子发射

氧化锡薄膜高阻区具有冷电子发射的特性.本文所给出的初步实验结果表明,氧化锡薄膜主要发射区表面的元素成分和配比均发生了变化,发射电子能量分布不同于场致发射的电子能量分布.气体的种类和压强都可以对它的电子发射性能产生不同的影响.     

非线性增益压缩对TOAD开关特性的影响

考虑半导体光放大器(SOA)的增益饱和与非线性增益压缩效应,详细研究了非线性增益压缩对太赫兹光非对称解复用器(TOAD)开关特性的影响,并首次提出了有效开关窗口宽度的概念.数值计算结果表明,非线性增益压缩对开关窗口形状影响显著.SOA非线性增益压缩越大,输出对SOA在环内的位置越敏感;若它较小,则控制脉冲能量对有效开关窗口宽度影响很大;只有当控制脉冲较窄时有效开关窗口宽度才会受非线性增益压缩的影响;当非线性增益压缩较小且SOA偏离环中点不大时,有效开关窗口宽度较小.     

怎样提高双光束零平衡红外的分辨率?

<正> 提高红外分光光度计分辩率可从以下几个方面着手: 一、改善使用条件首先可以提高仪器的增益,但增益提高,噪音增大,增益调到不致影响观察吸峰为好。其次可减慢扫描速度,它常常收时间常数的增大相配合,有些仪器的光与源强度可以改变,当探测器接收能量弱时,增加光源强度可以提高分辨率。还有些仪器的狭缝大小可以改变,当探测器接收能量强时减小狭缝以减小光谱带宽;当探测器接收能量太弱时增大狭缝以增加能     

2,3,4—三羟基—4‘—磺基—偶氮苯的电分析特性研究

本文采用多种电化学方法研究了ＴＳＡＢ的电分析特性，探讨了还原峰电位、峰电流与ＰＨ值的关系，求得了该化合物的电极反应的电子转移数及扩散系数，研究了其在滴汞电极上的吸附性质，扫描速度对峰电位峰电流的影响，提出了不同酸度下的电极反应机理。     

Nd:YAG介质的相位共轭反射率的实验研究

本文对闪光灯泵浦的饱和增益介质Nd∶YAG中采用偏振正交泵浦光的1.064μm的相位共轭特性进行了实验研究.实验主要分析了相位共轭反射率和相位共轭光能量与小信号增益长度积、泵浦光的能量比以及各光束的光通量密度等参量的关系.实验结果与理论计算吻合较好.而且实验中观测到在弱探测光的情况下超过100%的共轭反射率.最高的相位共轭光能量是0.7 mJ.     

Zigzag电极Armchair边缘石墨烯纳米带电子输运研究

利用基于密度泛函的非平衡格林函数方法,对Zigzag电极Armchair边缘的石墨烯纳米带的电子输运、态密度和V-I特性进行了理论计算,研究发现这一结构的纳米石墨烯带具有明显的半导体特征,其态密度与电子传输谱间具有较好的对应关系,电子传输谱与电子入射能量密切相关,并显现能级量子化和电子输运过程中的库仑阻塞特性.     

酞菁铂结构和性质研究:密度泛函理论计算

在密度泛函理论(DFT)和TD-DFT理论基础上研究了酞菁铂化合物的分子结构,原子电荷,分子轨道能量,紫外-可见吸收和红外光谱,并将酞菁铂的电子吸收光谱的主要吸收进行了归属,并对红外光谱中特征峰进行了指认.     

Si-nipi掺杂超晶格电子态的自洽计算

本文采用局域密度泛函近似自洽地计算了沿(100)方向调制的Si-nipi掺杂超晶格的电子态.得到了电子亚带能量和波函数随自由载流子浓度的变化规律.讨论了在较低的外界激发下,电子占据态和最近邻空态-(01)亚导带间的激发能.同时计算了Hartrəe势与自洽势下的电子密度分布曲线,发现自由载流子交换关联势V_xc(z)对亚带能量的影响较小.     

C76富勒烯分子的电子结构与传输特性研究

采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP基组对Td对称的C76富勒烯分子及其外接Au电极情况下的电子传输系统的能级、电子结构、电子传输特性等进行了研究.通过对其能量的计算得出了分子轨道的能级、HOMO与LUMO的能隙及其分子轨道电子云分布.经过对其态密度和传输谱的计算,得出模型的电子传输性质.最后在器件的二端加偏置电压的...     

短链聚丁二炔（polydiacetylene）分子中的光感应吸收

本文提出了一个描述短链聚丁二炔(polydiacetylene)(PDA)分子的模型Hamiltonian,利用这个模型可以解释如下的实验事实:在链长N<6时,PDA分子呈现丁三烯(butatriene)结构,在N≥7时,呈现丁二炔结构。利用这个模型对其光感应吸收作了详细的计算;把π_z 电子的激发当作二能级系统,把二能级系统的分裂能量ε_i和交换转移积分J_(ijk)都看成与键长有关, 按Taylor级数展开并取一级项,这样就使该模型包含了电子-声子作用,克服了其他的作者在处理光感应吸收时忽略电子-声子作用的缺点.所得到的光感应吸收系数的数值结果与过去的结果相比较,较好地解释了吸收峰的非对称特性,与实验结果也符合得更好。     

X光电子能谱仪的结合能定标及原子灵敏度因子的测定

用镍3d-价带的XPS讯号对谱仪的结合能零点位置进行了定标,并用全和铜的XPS峰校正了从84~932eV间结合能的标度,从而准确地测定了几种金属的能级结合能的值,观察到样品表面自然沾污碳的ls峰可以因化学状态不同而有leV的结合能移动.由测量有限几种金属的XPS强度可以定出谱仪的表观传输特性,从而求得该仪器对各种元素的相对灵敏度因子.对几种化合物的测定结果表明其准确度在10%~20%的范围内,比用理论计算的灵敏度因子所得结果为准,上述结合能定标和原子灵敏度因子测定是对ESCALAB5型能谱仪做的,这一方法同样适用于其他型号的XPS谱仪.     

Lagrange乘子集合的有界性

研究在Robinson条件下多目标规划问题的Lagrange乘子集合的有界性,以及局部一致有界性.     

N型LPE和VPE-GaAs电子辐照缺陷能级的研究

用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延(LPE)、汽相外延(VPE)GaAs层逐次引入的缺陷和400-500K温区等时退火行为.讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后缺陷浓度N_T的变化,以及根据L²/D对N_T^-1作图来判别电照引入的"E"缺陷能级中对少子寿命起主要控制作用的复合中心能级.     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

一种高线性度的电流调节式CMOS中频可变增益放大器

基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25 μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处ⅡP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.     

计算机网络的发展

本文首先分析了计算机网络的发展，对不同发展阶段的特点进行了阐述，之后，着重介绍了目前积极发展的１００Ｂａｓｅ－Ｔ网络和ＡＴＭ网络技术。     

用UPS测量GaAs表面的能带弯曲和电子亲和势

根据Kraut等用XPS精确测定的GaAs中Ga3d芯能级到价带顶的能量差,在UPS实验中,由测定的Ga3d结合能数据,得出了清洁GaAs(111)的费米能级在表面处的位置,也即求得了表面的能带弯曲.再由UPS的二次电子阈值测定了功函数,从而求得GaAs的电子亲和势.对于用氩离子刻蚀并退火所获得的清洁GaAs(111)(2×2)富Ga表面,费米能级钉扎即已发生,其钉扎位置是在价带顶以上0.75eV附近,与Spicer等在GaAs(110)面上所观察到的受主型钉扎能级相符合.     

地质灾害评估图形图像处理

围绕铁路、公路的地质灾害评估工作中的特点,对评估范围呈长条带状、弯道多、经过的评估区域的地形图资料年代不同等问题,使用不同软件进行图形图像处理,并将铁路工作中常用的条带状的折图方法用于地质灾害评估图的处理,较好地解决了此问题,使得成果图清晰美观、容易翻阅.     

二维极化子有效质量与温度的关系

该文计及晶格的原子结构,讨论了极化晶体中二维极化子的性质.用二次量子化方法处理晶格振动及其与电子的相互作用,导出了二维极化子的自陷能和有效质量,给出了二维极化子有效质量与温度的关系.     

静高压下熔态淬火Al_4Mn合金形成准晶的探讨

本文利用静高压熔态淬火的方法,对Al_4Mn合金形成准晶的压力条件及热稳性进行了研究,在0.95GPa～4.45GPa的压力范围以10~2K/s冷却速率淬火Al_4Mn合金,在不同的压力范围得到了不同结构的准晶;并利用非晶态动力学理论就压力在准晶形成中的作用进行了初步的探讨.