毛细管电泳柱后化学发光检测器组装及应用

报道了一种改进的毛细管电泳柱后化学发光检测装置.将现行装置中的光电倍增管光电流检测器改成噪声和暗电流更小、灵敏度更高的光电倍增管光子计数器,反应毛细管末端出口处设置一引流装置,解决了由于柱后液滴形成而引起基线规律性波动的问题.利用改进后的装置,对铁(Ⅲ)的检出限可达1.0×10-10mol/L(2.0×10-18mol)比灵敏度最高的FIAICP-MS低10倍.方法快速简便,适合于痕量物质的检测.     

单光子计数器

我们观察了在很低的光强下,光电倍增管输出光电子信号的特征。测试了充电倍增管在弱光下的工作特性,特别是暗噪声脉冲及信号单电子脉冲的微分脉高谱。讨论了单光子计数器中所用光电倍增管、前置放大器、甄别器等各部分的主要要求,并在此基础上初步试制成功较高分辨率的光子计数器。本光子计数器的长期稳定性较好、动态范围宽、灵敏度高。采用挑选过的     

光电倍增管在物理实验中的应用研究

光电倍增管（Photo Multiplier Tube）简称PMT,是灵敏度极高,响应速度极快的光探测器,可广泛应用于光子计数、极微弱光探测、光栅光谱仪等仪器设备中。在我们的物理实验中就有如下几个实验应用了光电倍增管：如单色仪测玻璃的透射率、单光子计数、原子光谱和激光喇曼。     

准4π空间α探测器的研制

利用一种可带静电的塑料薄膜收集氡子体,然后测量其放射性活度浓度。为了提高测试精度首先设计了双光电倍增管或双金硅面垒对接结构,对取样塑料薄膜进行双面测试,而且光电倍增管面积相对塑料薄膜要足够大,距离尽可能的小,α粒子穿透率较高（实际穿透率达到89%）,从而可将呈球面辐射的α粒子转换为电脉冲,实现高精度α粒子计数测量。实验结果表明：基于该探测器的测氡仪器具有体积小,成本低,灵敏度高,操作简单,测试速度快等优点。     

超Ⅱ代像增强器光电阴极成分控制原理研究

研究用光电阴极反射率预测和确定多碱阴极的厚度与成分，并用反射率和光谱响应对其进行控制。如果用５２０ｎｍ单色光源来测量反射率和光谱响应，则“超Ⅱ代像增强器”的光电阴极的厚度应约在１２０ｎｍ，即峰值ＢＭ３出现后Ｊ／Ｓｍａｘ约为６０％时。根据（Ｒｍｌ，Ｒｍ）和（Ｒｍ，Ｒｍ２）确定ｎ、ｋ值及光电流在光谱响应峰值前的稳定上升和峰值后的近似线性下降规律，可通过调节锑、钾、钠源蒸发速率控制阴极成分。     

SiO2厚度对半导体器件的电子辐射效应的影响

研究了SiO2厚度对光电二极管的电子辐射效应的影响.制备了3种光电二极管,分别采用不同厚度热氧化SiO2作为光敏面钝化膜.以能量为0.8 MeV的电子束为辐射源,对3种光电二极管进行4个剂量的辐射.实验发现,辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段基本不衰减;暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加.另外,薄钝化的二极管光电流衰减最小,同时暗电流增加最显著.     

光电倍增管单光子探测器的噪声特性研究

在弱光测量中，暗电流或暗噪声计数是探测系统灵敏阈和测量精度的主要限制，根据光电倍增管的工作原理，光电倍增管中的噪声源主要来自光阴极和二次极的热发射．从本征半导体和掺杂半导体中热发射电流密度探讨了光电倍增管单光子探测器的噪声特性，提出了减小光电倍增管单光子探测器噪声的几种措施，即管子致冷法、磁散焦法、选用光电倍增管的管型、减小检测系统频带宽度．     

石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究

采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管, 并研究其光电响应特性。结果表明, 当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时, 可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应, 可以改变光电流的大小和方向。在背栅调控下, 光电流出现饱和现象, 石墨烯晶体管的光响应度最大达到46.5 μA /W,可用于构建基于石墨烯的新型光探测器。     

用于单光子计数系统的冷却器的研究

用单光子计数系统探测绝缘聚合物的电致发光来测试聚合物老化击穿性能,比传统的计算空间电荷畸变的方法准确度更高,而单光子计数系统的总灵敏度受光电倍增管噪声及量子效率影响很大.采用半导体制冷与水冷双重冷却的方法研制了单光子计数系统冷却器,经实验证明该系统大大降低了光电倍增管的噪声,提高了量子效率,从而提高了计数器的总灵敏度,为聚合物性能测试、新型绝缘材料的开发利用提供了更加准确可靠的新方法.     

用切伦科夫光测量网栅型光电倍增管的渡越时间分散

描述了一种利用伽马射线照射光阴板生成的切伦科夫光来测定光电倍增管渡越时间分散的实验方法,并利用这种方法测量了Hamamatsu R-5924光电倍增管的渡越时间分散.     

光纤摆式加速度计摆幅检测灵敏度的研究

在摆式光纤加速度计中,采用四象限探测器检测光纤摆的末端位移,其检测灵敏度是影响加速度计精度的重要因素。为了提高四象限探测器对光斑位移的灵敏度,先由光纤出射光强分布的特点,将光斑等效成两个平均分布光强光源的叠加。然后,结合探测器光电转换的规律,计算了在光纤摆动的情况下各象限光电二极管的输出电压。最后,对四象限探测器光电流信号的两种处理方案进行了比较计算,得到了四象限探测器检测灵敏度和光源及后续处理电路各种参数关系的计算公式。实验结果表明：当光纤摆与四象限探测器的距离为1mm时,检测灵敏度可达63mV/μm。全文详细分析了各种影响四象限探测器检测灵敏度的因素,通过合理的参数配置,可得到优化的灵敏度数值。     

莜麦(Avena nuda)、甜菜(Beta vulgaris)等幼苗的超弱光子辐射探测

采用SR400光子计数器及R2949光电倍增管,能在180～900nm光谱范围内探测生物样品的超弱光子辐射强度.光电倍增管冷却至-20℃,噪声降至2～6CPS.探测了莜麦、甜菜等幼苗的超弱光子辐射.     

文山地区锑、金矿矿带成矿规律分析

文山地处“滇、黔、桂金三角”地区,是重要的锑、金矿产地。锑一金属同一成矿系列,二者常相伴产出（Sb略晚）。文章结合文山地区锑、金矿矿带特点,阐述了锑、金矿的成矿规律,并指出远景找矿方向。     

低噪声、高灵敏、宽光谱光电探测器的改进与应用

本文简要地介绍了降低光电倍增管热噪声和提高光电子脉冲输出幅度的原理,并提出了改进措施和给出了测试结果。改进后的光电倍增管能在室温下满足低噪声、高灵敏、宽光谱的要求。最后介绍了实际应用情况。本文于1947年5月13日收到。     

西南天山锑矿床类型及典型矿床特征

西南天山的锑矿床可划分为碳酸盐岩型、碎屑岩型和浅变质岩型 3类 ,并以后 2类为主 ,锑矿床主要特点是锑汞、锑金、锑银共生。查汗萨拉锑银矿床容矿岩系为碎屑岩 ,成矿物质来源于矿源层 ,断裂活动是成矿的主导因素之一。萨瓦亚尔顿金锑矿床赋存于浅变质岩系 ,矿体受一组早期为韧性、中晚期为脆性的剪切带控制 ,成矿物质多来源 ,成矿具多期多阶段特点 ,剪切作用活动及演化是重要的控矿因素。     

高响应度的NMOS型栅体互连光电探测器

针对硅基光电探测响应度低的问题,设计了一款与标准CMOS工艺兼容的、可用于弱光探测的高响应度的NMOS型光电探测器(NMOS-PD).该探测器由栅体互连的NMOS管和T-well/N-well结光电二极管构成,利用光电二极管的光生伏特效应改变T阱电势,进而控制NMOS管的栅压和阈值电压,以此实现光信号的探测与倍增放大,故所设计光电探测器具有更高的光电流增益和更宽的动态范围.经理论模拟计算和优化设计,本文设计了总面积为20μm×20μm的NMOS-PD,选用整个T阱区作为光敏区域(16μm×16μm),以增加光的吸收量,所设计光电探测器经UMC 0.18μm CMOS工艺流片制备.测试结果表明,所设计探测器在400～700 nm波长范围内具有较好的响应度.采用630 nm LED作为光源,当输出光功率密度P_(opt)=5 mW/cm~2、漏源偏压V_(DS)=0.4 V时,NMOS-PD的响应度达到1 550 A/W,并实现了200 kHz的信号探测.尽管随着光强增大,光电探测器响应度逐渐降低,但整体上仍超过10~3A/W.与硅基CMOS工艺制备的传统光电探测器相比,所设计光电探测器结构不仅可在低压、低功耗下正常工作,且在弱光条件下具有极高的倍增放大能力,有望应用于弱光探测的图像传感领域.     

多晶体CdS光敏电阻

一、前言近年来,半导体光敏电阻在国防、科学、技术中特别是工业自动化方面获得日益广泛的应用。对半导体光电导现象的研究和各种不同性能的光敏电阻的制备已引起了科学技术界的重視。目前已有各种类型的产品投入生产,它們有不同的光电特性和应用范围。其中CdS是很重要的一种材料,它可制成单晶或多晶体的光敏电阻。这种光敏电阻不仅对可见光而且对X射綫、γ射綫以及(?)、β等粒子流都有极高的灵敏度。因此CdS材料可制成作为輻射測量及自动控制元件的光敏电阻[1,2]、X射綫剂量測量計[3,4]、γ射綫及其他高能輻射接收器[5]。     

光电耦合在线测霜技术的可行性试验研究

将光电子领域的光电耦合原理引入霜层厚度的在线监测技术中,并对其可行性进行了试验研究．试验结果显示,光电耦合器在线测霜技术的输出电压信号具有明显的“二值”、“线性”两大特性,可实现对霜层厚度的直接感应,满足空调、制冷设备除霜控制判据的要求．此技术的开发将为霜层厚度的测量提供新的方法,可解决空调、制冷设备存在的“误除霜”问题,具有较高的实用价值和开发潜力．     

光栅单色仪和光电倍增管的偏振效应

本文对44W光栅单色仪及光电倍增管,在4200(?)—7400(?)波长范围内给出了偏振效应随波长的变化情况。结果表明:在所研究的光谱范围内,光栅的偏振效应特别显著,随波长变化很明显。而光电倍增管的偏振效应随波长变化比较缓慢,且绝对值也较小。因此,在光谱测量中,特别是在偏光测量中,光栅的偏振效应的影响是不能忽略的。     

三氧化钨及矿样中微量锑的催化极谱测定

本文提出三氧化钨及矿样中微量锑的催化极谱测定方法。锑-氟隆络合物在0.04M硫酸-0.4％抗坏血酸-0.65M氯化钠底液中有波形好,灵敏度高且稳定的络合物吸附波,导数波峰电位在-0.3V(vs.S.C.E.),锑在0.004—0.5μg/ml范围峰电流与浓度呈线性关系。锑与干扰元素的分离采用锑氢化物气化法。用拟定的方法测定三氧化钨及矿样中微量锑,结果对照满意。