“准平面”法——平面光弹点测法的新方法

本文分析了三维效应对平面光弹技术测量精度的影响,并以阿朋(Aben)的偏振光在光弹性体中传播的三维理论为基础,提出了平面光弹的“准平面”特征以及平面光弹的“准平面”点测法。此方法消除了三维效应所导致的测量误差,提高了测量精度。实验证明新方法是可行的。     

提高太阳电池光电转换效率的途径

本文是根据半导体物理知识,清楚地论述了太阳电池在太阳光的照射下其体内载流子的产生、迁移,最后形成光生电动势的全过程,同时分析了影响电池转换效率的因素,提出了提高太阳电池转换效率主要措施。     

光催化材料

正半导体光催化是指光照射到半导体材料表面产生光生电子和空穴,光生电子具有强的还原能力,可以还原水制备氢气,还原CO2制备有机太阳燃料;光生空穴具有强的氧化能力,可以杀菌、消毒、降解污染物,自清洁材料表面等。半导体光催化材料已被国际公认为是一种最具潜力和重要的环境净化与太阳能转化材料,在环境、能源、化工、建材等领域应用前景十分广阔,是当前国际材料、化学、环境和能源等领域的研究前沿和热     

半导体中光电流的涨落

本文目的是讨论半导体层内光电子扩散运动时的涨落,求出扩散时间和半导层厚度的关系,(1)半导体的光电导和光生电动势现象中,都有光量子被半导体吸收后而产生光电子的过程。每秒内产生的光电子对(电子和空穴)的数目与吸收的光量子数成比例。因为透过半导体层的光强度随透过厚度而减衰,故半导体中各层内产生的光电子数目不同,也就是说,光电子浓度     

光幕靶靶面光能测试系统的设计

为了测试光幕靶靶面的光能分布。从而为设计高精度和大靶面光幕靶提供依据。介绍了光幕靶靶面光能测试系统的基本原理以及设计方法。系统基于单片机进行光能数据采集,在计算机上进行数据处理,并绘制光能分布曲线。经实验检验,取得了满意的结果。     

球状光纤耦合器的原理和参数设计

根据光线传输的基本原理,通过计算和推导,讨论了为使半导体激光器发出的全部光束能够投射到小球表面,其折射光线能全部进入光纤光芯,并在光芯内全反射传播,小球半径应满足的条件以及半导体激光器光源应安装的位置,并用解析式表达、讨论了在制作和设计球状光纤耦合器时应该注意的参数设计,为球状光纤耦合器的设计提供了理论计算依据。     

半导体光催化杀菌的机理和应用

综述了半导体光催化杀灭菌的两种机理，光生空穴和形式于半导体颗粒表面的活性氧类与细胞细胞或细胞内的组成成分进行生化反应，使细胞苗头单元失活而致细胞死亡。半导体杀菌应在光动力学疗法和水的深度处理方面有着广泛的应用前景。     

表面复合作用对半导体光电流的影响

表面状态对半导体中的光生载流子的分布状况有很大影响.本文首先求出一个含有P～N结的有限半导体在垂直于结平面的光照下,考虑到表面复合时的光生少数载流子的分布公式,然后给出有表面复合时光生伏特和光电流的解析式,并加以讨论.结果表明,表面复合会使光生伏特和光电流显著降低.在表面复合速度开始增大的阶段,这种降低尤为急剧.表面复合对光电流影响的大小还与样品厚度有关.     

量子限域纳米半导体上低碳烷烃的光助催化氧化

利用Sol-Gel及摸板技术定向合成了具有量子限域特征的ZnFe2O4纳米半导体催化剂（Q-ZnFe2O4）。分别采用XRD，DRS，FS，In situ EPR及光催化等手段对合成的纳米半导体的结构，表面化学物理特性，表面界面电荷转移特性及选择催化特性进行了深入研究。研究结果表明：采用定向合成技术可以在室温下合成具有尖晶石结构的Q-ZnFe2O4纳米晶半导体。DRS及FS结果证明样品呈现显著的量子限域效应及表面界面效应。原位辐射顺磁共振光谱结果表明：光生的电子和空穴可以分别在体相及表相Fe^3＋位置被同时俘获。临氧条件下，量子限域Q-ZnFe2O4纳米半导体受光激发后，光生电子可由表相Fe^3＋转移给四面体位置的Zn^2＋，即表相Fe^3＋可以作为光生载流子的生成中心；吸附的分子氧可以俘获迁移的电子形成高活性的羟基白由基。温和条件下，Q-ZnFe2O4纳米晶半导体可以高效活化分子氧实现低碳烷烃的光催化选择氧化，其中醇类羟基化舍物的选择性可接近60％。     

短光脉冲的谐波测量法

本文讨论了超短光脉冲测量的二次谐波法(SHG)、半导体表面反射频法和高次谐波法。用 SHG 法对调 Q 加模 Nd:YAG 激光器的光脉冲进行了测量。     

动生电动势的相对性

感应电动势分为动生电动势和感生电动势只具有相对的意义.由于运动的相对性以及电场和磁场的相对性,运动的导体棒,在一惯性参照系具有动生电动势,在另一惯性参照系,不仅有动生电动势还有感生电动势.     

动生电动势的相对性

感应电动势分为动生电动势和感生电动势只具有相对的意义。由于运动的相对性以及电场和磁场的相对性，运动的导体棒，在一惯性参照系具有动生电动势，在另一惯性参照系，不仅有动生电动势还有感生电动势。     

对动生电动势一例题的讨论

在动生电动势教学中,最常见的一道例题就是法拉弟圆盘发电机,由导体切割磁力线或洛仑兹力对电荷的作用,很容易算出一个在磁场中转动的导体圆盘(如图所示),其盘心与 盘边之间的电位差为: U=1/2BωR~2 我在教学中计算得到这个结果后,并没有到此结束,而是进一步提 出,在这道题中。通过导体圆盘的磁通并没有发生变化,那么能否说由法 拉弟电磁感应定律得到的结果是电动势等于零?为什么?这是学生中很容易产生的疑问,因此引起了学生的兴趣。通过进一步讨论,加深了对动生电动势和法拉弟电磁感应定律的理解,我认为这才是解这道题的真正目的。     

电磁学教学中几个问题的探讨

对大学物理教材中电位移矢量的定义提出了磋商建议;从动生电动势的产生过程进一步讨论了洛伦兹力的做功问题,对动生电动势的产生机理提出了新观点,洛伦兹力的分力提供了产生动生电动势的非静电力;对空心导体球外表面上的电荷分布做了简单的推导,其目的在于使学生容易理解。     

阶跃光激励下半导体的温度变化

建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化关系,并研究了少数载流子寿命对这种变化的影响.同时,利用阶跃光激励的光热光偏转实验研究了少数载流子寿命不同的半导体样品的光热光偏转信号.实验结果与理论结果符合较好,表明阶跃光激励的光热技术可用于对半导体材料参数进行表征.     

电磁感应与相对论

从相对论出发,讨论感生电动势、动生电动势以及动生电场的电动势的联系     

关于液接电势的粗略测定

目的液接电势是一个重要的概念,为使学生对液接电势的产生原因、以及液接电势对总电动势贡献等有更直观的认识和理解。方法使用有盐桥和无盐桥存在的两种测定数值之差计算扩散电势,对两种类型浓差电池的电动势进行了测定。结果实验值与液接电势的计算公式计算值基本上一致。结论液接电势的粗略测定虽然有误差存在,但并未影响到液接电势数值的正负,并未影响到对总电动势的贡献。     

卟啉及金属卟啉的瞬态表面光伏特性

通过对比研究卟啉单体、 二聚体及金属卟啉单体的瞬 态光电压性质, 发现其光生电子-空穴对完全分离的时间： 单体小于二聚体, 卟啉配体小于金属卟啉. 卟啉配体电荷载流子缓慢衰减, 而金属卟啉在短时间内, 电子在接近半导体表面空间电荷区域里实现了载流子的快速分离. Cu卟啉的光生电荷载流子瞬态光电压信号与卟啉配体有相似之处, 且与其他金属卟啉也有相似之处. 在金属离子Co²⁺,Ni²⁺,Cu²⁺,Zn²⁺的影响下, 电子-空穴对开始分离的时间大约在2×10^-7 s, 负信号是由接近半导体表面空间电荷区域内快速载流子分离所致, 金属卟啉中心离子d电子数不同, 光生电荷载流子快速分离时间也略有不同.     

电磁感应与相对论

从相对论出发，讨论感生电动势，动生电动势以及动生电场的电动势的联系。     

利用变限积分函数求导法讨论感应电动势问题

利用变限积分函数求导的方法,在磁场是无源场的基础上,推导了感应电动势是由感生电动势和动生电动势代数叠加的结果.与已有文献用其它方法推导出的结果一致.这进一步说明了感应电动势的两种产生途径,以及两种机制相互不影响的结论.将结论用于单边匀速运动的矩形线圈(大学物理教材中通用的简单模型),并运用于具体的授课过程,体现了内容的系统性,避开了繁琐的数学推导,拓展了学生的视野,不失为讲授该内容的较好方式.