回火对应力退火Fe基薄带磁各向异性的影响

对应力退火的Fe基纳米晶薄带进行540℃回火处理,采用HP4294A型阻抗分析仪测量回火不同次数样品的纵向驱动巨磁阻抗(LDGMI)曲线.对系列LDGMI曲线特征与回火次数的关系进行分析,结果表明:回火释放了Fe基纳米晶薄带应力退火导致非晶基体滞弹性形变而引入的拉应力,使得样品的磁各向异性场减小.经过7次回火处理,应力退火感生的磁各向异性场从2 632.29 A/m减小到1 139.39 A/m.     

驱动方式对玻璃包裹铁基纳米晶丝巨磁阻抗(GMI)效应的影响

用HP4294A型阻抗分析仪测量了不同直径的玻璃包裹铁基纳米晶丝在2种驱动方式下的巨磁阻抗.结果发现,纵向和环向2种驱动方式下晶丝的最佳退火温度分别为580℃和560℃.2种驱动方式下,巨磁阻抗比值都随细丝直径的增大而增大;环向驱动方式下,巨磁阻抗频谱曲线峰值对应的驱动频率随细丝直径的增大而减小;纵向驱动方式下,不同直径晶丝的巨磁阻抗频谱曲线峰位频率没有明显的变化.     

FeCo基合金的一种环向磁化特性

测定了Fe36 Co36 Nb4 Si4.8 B19.2合金非晶管在环向磁化场作用下的纵向驱动巨磁阻抗效应,发现样品的阻抗比曲线在频率低于600 kHz时呈"双峰"现象,频率高于600 kHz时呈"单峰"现象,并对环向磁化场作用有良好的线性响应.用磁力显微(MFM)观察了样品的纵向和环向磁畴结构,分析认为是合金非晶管的分层磁畴结构分布导致了环向良好的线性磁特性.     

纵向驱动巨磁阻抗效应的解释

测定了Fe73 Cu1 Nb1 .5V2 Si1 3 .5B9纳米微晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的曲线 .从相频曲线的峰位可确定出样品趋肤效应的临界频率 .从临界频率随外磁场的变化 ,解释了纵向驱动巨磁阻抗效应与趋肤效应的关系 .从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律得出 ,低频纵向驱动巨磁阻抗效应是磁电感效应 ,与磁损耗相应的 μ″随外磁场的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因 .     

纵向驱动巨磁阻抗效应的相位特性

作者测定了９８ＭＰａ应力退火生成的Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｖ２Ｓｉ１３．５Ｂ９纳米微晶带纵向驱动微磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的规律。从相频曲线的峰位可确定样品的特征频率。从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律，说明了纵向驱动巨磁阻抗效应在小于特征频率时是磁电感效应，大于特征频率时是磁阻抗效应，且在高频时主要是与畴壁移动磁化的阻尼而引起的磁损耗密切有关。     

纵向驱动巨磁阻抗效应的研究进展

对纵向驱动巨磁阻抗(LDGMI)效应的特性、原理及应用技术的研究进行了综述,对学术界存在争议的LDGMI效应和巨磁阻抗(GMI)效应基本物理机制问题进行了评析.认为LDGMI效应和GMI效应的区别在于工作模式不同,而基本物理机制相同,在应用开发中两者各有优缺点,相互可以形成互补关系,而LDGMI效应相比GMI效应具有灵敏度更高、可靠性更高、适应性更灵活等优点,在新型磁敏传感器和新型磁性能测量仪器开发应用中LDGMI效应会发挥独特的优势.LDGMI效应前景光明,值得业界关注.     

驱动频率对FeCo基磁环巨磁阻抗效应的影响

利用 Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2(FeCo基)磁环样品,在不同电流驱动频率下进行了环向驱动巨磁阻抗效应(环向外磁场作用下)的研究.发现最佳巨磁阻抗比基本上在驱动频率为200 kHz附近出现,最大阻抗比峰值达到了286%.分析认为是样品材料磁结构的分层分布造成的.     

磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗效应影响的研究

研究了Fe基纳米晶粉芯线圈与电容并联成LC回路的共振频率，fr)随外加磁场变化的特性，讨论了磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗效应的影响，认为在纵向驱动巨磁阻抗效应中，磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗有十分灵敏的影响。     

纳米晶FeB合金的微波磁性

系统地研究了纳米晶FeB合金颗粒的微波磁性.样品由机械合金化方法制备,X射线衍射实验表明合金颗粒是由尺寸约为10 nm左右的纳米微晶组成的.对FeB合金系列样品进行直流及微波磁性测量,结果表明:(1) 纳米晶 FeB合金颗粒的饱和磁化强度σS随B含量增加而单调下降.(2) FeB合金颗粒的磁损耗μ",在B含量约为5at.%时达到最大值,其有效复数磁导率为μ=3.06-j3.44,相应的内禀磁导率达μi=5.67-j12.11,当B含量超过10at.%时,磁损耗μ"显著降低.(3) 磁损耗μ"的峰值频率随B含量的增加,基本呈下降趋势.通过上述研究,我们得出如下结论:(1) 合理地选择纳米晶 FeB合金颗粒的成分,可以有效地提高磁损耗μ".(2) 金属间化合物FeB相的出现,对材料的微波磁性将产生不利影响.     

LDGMI测试线圈等效电路模型研究

为便于理解纵向驱动巨磁阻抗(LDGMI)效应的物理机制,对HP4294A阻抗仪的驱动线圈进行了讨论,忽略线圈漏磁场(LMF)的影响,在低频信号下可将磁芯线圈等效为RL串联电路模型,在高频信号下可等效为RLC并联电路模型。     

Ni_(80)Fe_(20)镀层对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶条带磁阻抗效应的影响(英文)

采用磁控溅射镀膜工艺,在Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶条带的光滑面上溅射了130~650 nm厚的Ni_(80)Fe_(20)薄膜,制备了一系列Ni_(80)Fe_(20)/Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9复合结构样品.研究了镀层厚度对材料的镀层形貌、巨磁阻抗效应(Giant Magneto-Impedance,GMI)和磁滞回线的影响.结果发现,镀层厚度为260 nm厚时,样品的表面形貌最平整致密,最大磁阻抗比提高到33.0%.在玻璃基片上溅射了相同厚度的系列Ni_(80)Fe_(20)薄膜,其磁滞回线结果发现薄膜的各向异性方向随着厚度的增加由平行表面转变成垂直于表面.正是Ni_(80)Fe_(20)镀层各向异性的方向改变,影响了镀层与条带间的相互作用,进而影响复合结构样品的磁阻抗效应.     

预退火对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶合金巨磁阻抗效应的影响

用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度预退火后再540℃退火的Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9纳米晶合金薄带的巨磁阻抗,并结合XRD衍射图谱和AFM图谱,研究了预退火对纳米晶介观结构的影响.结果发现,200℃、300℃和400℃预退火处理40 m in对随后540℃退火的Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9薄带-αFe(S i)纳米晶介观结构产生了影响,颗粒团聚优势明显减弱,横向各向异性场减小,巨磁阻抗比得到了显著的提高.     

取向的纳米两相磁体成核场的精确计算

利用微磁学方法,精确计算了纳米晶两相复合磁系统的成核场,发现随着软磁相晶粒尺寸D的增加,成核场由硬磁相的各向异性场逐渐变为软磁相的各向异性场,同时随着软磁相尺寸变化时,会出现3个特征区:(Ⅰ)完全交换耦合区;(Ⅱ)部分交换耦合区;(Ⅲ)退耦合区.     

巨磁阻抗效应及其应用

近年来在FeCoSiB等非晶和纳米晶丝带中发现了巨磁阻抗效应,由于其灵敏度高,因而在磁传感器技术中有巨大的应用前景,受到国内外专家的广泛关注 本文简单介绍了巨磁阻抗效应的原理,并结合近年来具有巨磁阻抗效应的非晶和纳米晶铁磁合金的应用研究进展情况,提出了巨磁阻抗效应可能广泛应用的领域     

Al85 Ni10 Er5非晶合金晶化动力学效应的研究

应用Kissinger公式计算得到Al_(85)Ni_(10)Er_5非晶合金初始晶化激活能Ex为104 k J/mol.计算了Al_(85)Ni_(10)Er_5非晶合金的拓扑不稳定参数λ=0.087,说明合金是铝基纳米晶合金.Al_(85)Ni_(10)Er_5非晶合金第一放热峰的晶化体积分数与温度的关系曲线均呈"S"形,随升温速率的增加,这种"S"形曲线均向高温处移动.合金晶化第一阶段的晶化激活能Ea(x)与晶化体积分数呈线性递减趋势.此外,晶化体积分数在10%~50%阶段的激活能Ea(x)大于合金初始晶化激活能Ex,这是由于非晶合金内稳定的无序原子团簇结构有效地抑制了初生晶相长大的结果.     

电流退火及长度对玻璃包裹丝GMI效应的影响

采用高频感应加热熔融快淬法制各了Fe_(73.5)Cu_(1.0)Nb_(3.0)Si_(13.5)B_9非晶玻璃包裹丝.首先对制备态包裹丝进行电流退火,结果发现电流密度为4.2×10~7 A/m~2时,退火得到的玻璃包裹丝性能最佳,原因是此时有合适的纳米晶体积比例.进而研究了长度对其磁性和巨磁阻抗效应的影响.结果表明,随着长度的减小,微丝的各项异性场增大,磁阻抗比减小,采用退磁场模型给予了合理解释.     

非晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应

研究在250℃退火温度下非晶FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应.X-ray谱和Mossbauer谱显示样品为非晶状态.导电层的厚度为2 μm,磁性层的厚度为1 μm.三明治结构的最大阻抗效应为20%.为了提高巨磁阻抗效应,在两磁性层之间加入了绝缘层SiO2,在250℃退火温度下最大阻抗效应为62%.随着驱动电流频率的增大,磁阻抗效应曲线由随磁场的单调下降变为出现峰的结构.     

纳米BaF_2在压力下的电输运

以LSS(Liquid-Solid-Solution)方法制备出形貌均一的BaF_2纳米晶为样品,将金刚石对顶砧技术与交流阻抗谱测量技术集合起来,用高压原位阻抗谱测量技术对纳米BaF_2进行高压下的电学性质的研究,研究其电荷输运过程中的传导机制,得出纳米BaF_2的载流子既包含离子又包含电子,同时给出了不同高压相的拟合电路.利用等效电路对纳米BaF_2的交流阻抗谱进行拟合,得出的拟合曲线与测量曲线吻合较好.     

NaOH共沉淀法制备尖晶石型CoxZn1-xFe2O4纳米晶

以CoSO4、ZnSO4和Fe2(SO4)3为原料,NaOH为沉淀剂,利用化学共沉淀法制备了CoxZn1-xFe2O4纳米晶;通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)分别对CoxZn1-xFe2O4纳米晶的形貌、尺寸、结构和磁性能等进行表征.结果表明制备的CoxZn1-xFe2O4均为尖晶石结构,晶粒为球形,粒径在30～60 nm之间.样品的比饱和磁化强度(σs)、矫顽力(Hc)随钴含量的增加而增加,样品逐渐从ZnFe2O4的顺磁性转变为CoFe2O4的亚铁磁性.     

Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Al_xO_3的制备及低温磁性质研究

通过高温固相法制备了单相多晶样品,对样品的磁性质进行测量与分析.XRD结构分析表明,该样品为单相正交结构,空间群为Pnma.磁性的测量表明,低温下样品为相分离态.ZFC和FC出现分叉,表现出典型的相分离特征,在ZFC曲线6K处出现一个小峰.红外吸收光谱分析表明了Al掺杂引起MnO_6八面体的畸变.Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(0.90)Al_(0.10)O_3交流磁化率曲线实部峰没有随频率的变化发生很明显的温度偏移,而其虚部峰随频率的增加而下降.