MNOS结构辐照感生界面电荷的研究

本文报导了MNOS结构经γ射线、电子和中子辐照在SiO_2-Si界面产生感生电荷的研究结果。实验表明,目前的MNOS结构在较低剂量时辐照感生电荷就趋于饱和,辐照特征与SiO_2厚度及辐照顺序有关。文中还对实验结果作了进一步讨论。     

用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布

本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。     

用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.     

SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究

本文用恒定电容深能级瞬态谱(CC—DLTS)方法研究了SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达9×10~(12)ev~(-1)·cm~(-2)以上,随着离开E_v指向E_i迅速降低。在E_v 0.41ev和E_v 0.55ev处各测得一个深能级。文中测量了淀积前InP表面四种不同处理的样品,发现界面态密度依賴于表面处理的方法,但其分布是相似的。文中还对InP MIS结构样品的CC—DLTS测量方法和测试条件作了探索与分析。最后,对SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级分布作了讨论分析。     

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

低温射频氧等离子体氧化SiO2／Si界面陷阱的DLTS研究

对温度５００℃、ＲＦ氧等离子体氧化生长的ＳｉＯ２形成的ＭＯＳ结构进行了ＤＬＴＳ测量。应用能量分辨ＤＬＴＳ模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了分析和计算。结果表明界面电子陷阱在禁带上半部的密度为３～８×１０＾１２ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２；俘获截面σｎ（Ｅ）约为１０＾－１８ｃｍ＾２数量级。结合准静态Ｃ－Ｖ测量研究了后退火对陷阱的影响，经４００℃／３０分钟、Ｎ２气氛热退火可使陷阱密度降为１～２×１０＾１１ｅ     

正电子深能级瞬态谱在GaAs缺陷研究中的应用

本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02 eV.     

砷化镓P^＋Pnn^＋结构缓冲层的深能级分析

用低品位廉价砷化镓衬底制备了具有P~ Pnn~ 结构的Al_xGa_(l-x)As/GaAs太阳电池,对一组具有P型层桔构参数相同、n型缓冲层厚度不同的样品作了细致地深能级瞬态谱(DLTS)的测量分析.结果表明缓冲层的生长厚度大于6μm后,才可有效地阻挡来自衬底的不良影响,使深能级缺陷密度降至符合制备高效太阳电池的要求.     

热处理单晶硅片中Fe玷污的深能级瞬态谱分析

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理工艺过程对硅片体内Fe玷污的影响。实验表明,热处理和热处理前预清洗是加工过程中对硅片体内Fe玷污有重大影响的工序,进而提出了有效降低硅片内Fe玷污的热处理控制方法。     

膨胀土-混凝土界面剪切特性研究及界面系数修正

为对不同含水率下与不同法向应力下的膨胀性土的界面抗剪强度-界面剪切位移曲线进行分析,通过设计室内膨胀土-混凝土界面直剪试验,研究各含水率对膨胀土-混凝土界面各力学性质的影响。结果表明：不同含水率条件下的应力应变曲线均无应变软化现象,基本符合应变硬化模型;含水率的增长,对界面抗剪强度有较为明显的劣化影响,应力应变曲线的峰值也随之愈发滞后;同一含水率的界面抗剪强度与法向应力较好地符合摩尔-库伦强度准则,随着含水率的逐渐增长,界面抗剪强度也呈现递减态势;界面黏聚力先呈增长态势,后呈逐渐减小态势;界面等效剪切模量呈现下降趋势,同时通过微观角度对界面黏聚力和界面内摩擦角引起的界面强度变化规律进行了机理性的分析。界面内摩擦角则随着含水率增加逐渐地呈现反比例函数降低态势,引入界面摩擦系数,进一步细致分析界面摩擦力学性质,同时修正了界面黏聚力和法向应力对界面摩擦带来的较大影响,针对于浅层边坡土体与桩基础的摩擦估算,考虑到法向荷载对于界面摩擦系数影响较为合理。     

用于HPF加固RC结构的复合砂浆研究

高性能复合砂浆钢筋网(HPF)是一种有效的加固混凝土结构的方法,文章对该方法加固的复合砂浆进行了抗压、抗拉性能等试验研究,介绍了该方法对混凝土受弯构件加固的试验影响和作用。试验结果表明,这种砂浆配合其界面剂的使用,很适合于目前用水泥复合砂浆钢筋网加固RC结构的工程应用。     

PVTt法标定装置中蒸汽冷凝问题的研究

研究了湿空气流经ＰＶＴｔ法气体流量标定装置中的超音速喷管时的冷凝问题，并针对上海地区的气候条件进行了实例计算和分析．结果表明，在夏季冷凝现象最明显而在冬季最弱．     

图形点阵液晶显示器与单片机接口及应用

液晶显示器(LCD)分为段位式和点阵式两大类,段位式 LCD液晶显示器所能显示字符有限,而点阵式 LCD能显示数字、字符、汉字和图形等丰富的信息,有利于人机对话.以 EDM12232A图形点阵 LCD模块为核心,介绍了模块的结构和工作原理,设计了接口电路以及数字、西文字符与汉字的字模提取方式,并采用一般的开发工具实现了模块在远程监测智能终端机上的实时显示.该系统结构紧凑,运行可靠,宜于向类似应用系统移植.     

TD-SCDMA系统空中接口容量研究

TD-SCDMA系统无线资源管理中一个重要内容是接纳控制,而它依托于对各小区容量的测量,因此小区容量的计算方法成为一个十分重要的研究问题。由接纳控制和小区容量等概念入手,提出小区上、下行容量估计算法,上行容量的计算基于对噪声恶化量的控制,因该值能很好地衡量系统的干扰状况;下行容量算法主要参考基站发射的总功率,有着直观的物理意义。进一步分析了相邻小区干扰与小区容量之间的关系,为网络的优化提供了理论依据。相关重要变量关系做了仿真,算法得到验证。     

磷铝酸盐水泥与天然岩石界面的研究

通过测定界面的剪切强度,系统地研究了磷铝酸盐水泥与天然岩石界面的粘结性能,并对“磷-石”,“硅-石”界面进行比较;同时借助于XRD、扫描电镜和能谱等测试技术,初步分析了界面区的粘结机理．试验结果表明：“磷-石”界面具有良好的粘结性能,界面结合力是物理结合和化学结合共同作用的结果．     

双相介质界面裂纹的J积分守恒性研究

通过证明得到了双相介质层状复合材料中的任意一种均质材料的回路J积分等于零;证明了在双相介质层状复合材料的界面上裂纹,以及平行界面的裂纹尖端的围道J积分是守恒的,为J积分表征多相材料的断裂韧性提供了理论依据.利用有限元的方法对给出的J积分,进行数值验证.     

SCPI命令与AX5488接口函数的结合

不同的程控仪器对不同的控制指令具有兼容性.SCPI命令是可编程仪器的标准指令,HP33120A函数发生器与HP34401A数字万用表等程控仪器对其具有兼容性.只有将仪器程控指令与接口函数有机的结合起来才能使程控仪器发挥功能.AX5488接口函数是专门为IEEE-488等接口设置的.可以利用C语言、BASIC语言、Pascal语言等对SCPI指令及AX5488接口函数进行灵活调用,使具有IEEE-488、RS-232等标准接口的程控仪器与计算机成功通信,使程控仪器实现所需的各种功能.     

工程结构接触问题的研究及进展

针对国内外工程结构接触问题的研究现状，阐述了各类研究方法的基本思想和主要特点，指出了其中一些尚待解决的问题．介绍了这一问题求解的优化计算方法以及板片结构接触计算模型，所建立的结构分析和计算模型能真实反映工程结构的实际工作状态，给工程结构的设计和应用提供了理论计算依据．