一维光子晶体本征模频率

利用传输矩阵法,严格推导出了一维光子晶体中的本征模频率方程,该本征模频率也就是缺陷模频率,它依赖于缺陷材料的光学常数、大小以及缺陷的类型;不同类型的缺陷会导致其相应的能级类型发生变化.     

多层掺杂对一维声子晶体缺陷模的影响

利用转移矩阵法研究了多层掺杂情况下一维声子晶体的缺陷模特征.研究发现:随着掺杂层数的变化,缺陷模的数目、透射峰和半高宽都有明显的变化.一层掺杂时,只出现一个中心缺陷模,二层掺杂和三层掺杂时除了出现中心缺陷模外,在中心缺陷模的两侧还出现了两个对称缺陷模;中心缺陷模的中心位置随掺杂层数的增加不变,对称缺陷模的中心位置随掺杂层数的增加向禁带中央移动.中心缺陷模和对称缺陷模的透射峰和半高宽都随掺杂层数的增加而减小.     

厚度递变结构一维光子晶体的缺陷模研究

光子晶体的许多应用与缺陷模相关,研究缺陷模可为光子器件的设计提供参考.利用传输矩阵法,研究了光波在包含掺杂缺陷的厚度渐变准周期结构一维光子晶体中的传播规律,分析了缺陷层的位置和光学厚度对缺陷模的影响.结果表明,在准周期结构光子晶体引入缺陷,光子晶体禁带中也产生了缺陷模;随着掺杂缺陷层位置和光学厚度的变化,缺陷模的位置和共振透射峰也随之变化.     

含负折射率光子晶体缺陷模的吸收特性

 为了研究含负折射率光子晶体缺陷模的吸收特性,引入复折射率的概念,并采用光学特征矩阵方法,分析了各缺陷模的峰值和带宽随消光系数以及杂质厚度的变化.分析结果表明:杂质的消光系数对各缺陷模的中心波长没有影响,随着消光系数的增加,各缺陷模峰值逐渐减小,而带宽逐渐增加,且各缺陷模峰值和带宽的增减速度不同;当消光系数不变,随着杂质层光学厚度的增加,缺陷模的峰值和带宽都随之减小.因此在设计相关光学器件时,应充分考虑杂质吸收对缺陷模特性的影响.     

缺陷模带隙一维光子晶体的简捷制备

提出一种制备具有缺陷模带隙光子晶体实验技术思路.采用激光全息光刻方法,以夹角不同两束干光对感光物质进行两次光刻曝光,在曝光重叠区域可获具有缺陷模带隙一维光子晶体.调节入射光角度可改变缺陷模位置.研究供了简捷制作缺陷模带隙光子晶体一种实验技术思路,对缺陷模低阈值激射具有应用研究价值.     

用协同学的观点研究锁模激光脉冲的建立过程

该文用协同学的观点研究锁模激光脉冲的建立过程,认为锁模激光脉冲的建立过程是非线性的合作效应或者是自组织现象.从模式表象的激光方程出发,导出了锁模激光方程以及相应的福克-普朗克方程,得到了锁模激光的第一阈值和第二阈值.最后讨论了锁模激光光束质量的最佳条件,即在Dm≈1.5 Dthr.1时为获得高光束质量的锁模激光的最佳参数选择,计算结果与实验基本一致.     

Ramanujan模3和模5的模恒等式的推广

在模形式理论中,模3、模5的模等式起着核心的作用.文中主要是利用多节级数方法,借助Jacobi三重积恒等式和筛法原理,得到了Ramanujan模3和模5的模方程的推广形式.     

多层掺杂对一维光子晶体缺陷模的影响

采用特征矩阵法计算了一层掺杂、双层掺杂和三层掺杂情况下缺陷模的变化特征,得到了掺杂层数的变化对缺陷模的数目、峰高和半高宽都有明显的影响。一层掺杂时,只出现一个中心缺陷模;双层掺杂和三层掺杂时除了出现中心缺陷模外,在中心缺陷模的两侧还出现了两个对称缺陷模,中心缺陷模的半高宽随掺杂层数的增加而减小。对称缺陷模的峰高和半高宽都随掺杂层数的增加而减小;对称缺陷模的位置随掺杂层数的增加而向中心缺陷模移动。     

固-流结构矩形掺杂声子晶体中弹性波的缺陷模

采用一维固-流结构矩形掺杂声子晶体中弹性波横向受限的条件,推导出弹性波在其中各个模式满足的关系式. 利用它分析了弹性波各模式的特性,并使用转移矩阵法研究了弹性波的缺陷模随模式量子数和矩形边长的变化规律,得出了一些不同于一维非受限声子晶体的缺陷模的新特征. 一维掺杂矩形声子晶体的缺陷模由模式量子数确定,缺陷模的频率和半高宽与模式量子数和矩形边长有关.     

光子晶体点缺陷在入射光激励下的响应特性研究

研究了光子晶体点缺陷在入射光激励下的响应特性,通过理论分析可以获得点缺陷的透射谱.分析发现,非线性点缺陷的缺陷模在入射光的激励下发生动态移动,且满足两个特征:首先,入射光功率强度越大,缺陷模移动幅度越大.其次,整个缺陷模的透射率随着功率强度的增大而降低.采用泵浦-探测技术的数值模拟方法可获得非线性点缺陷的动态特征.泵浦光和探测光可以选择不同频率以使缺陷模的特征比较清晰.所得现象与理论分析结果一致.该结论为该类光子晶体的应用提供理论依据.     

辐射缺陷工程

半导体电子学问题复杂性的持续增加，以及类似微波电子学、光电子学这样的新方向发展说明了目前使用的掺杂工艺没有足够的潜力，而且寻求与开发新的方法是不可避免的。其中一种最有希望的技术是辐射掺杂，即在各种类型辐射的作用下，对半导体的性质有目的地定向改进。中性的粒子，例如中子和γ量子，它们在对半导体晶片和锭料的均匀掺杂中被广泛应用。利用辐射掺杂，非均匀掺杂剖面只能通过应用辐射来获得，它能确保半导体的性质在预定深度上的有效改进。     

一维光子晶体的缺陷模式研究

利用传波矩阵方法,计算了电磁波在带有缺陷的一维光子晶体中的传波。数值计算表明,在只有一个缺陷层时,缺陷模式频率与缺陷层在光子晶体中的位置无关,当有两个缺陷层出现时,缺陷模式频率与缺陷层在光子晶体中的位置是有关的。另外,计算也表明,缺陷模式频率对缺陷层材料的折射率变化是非常敏感的。     

汽车轮毂缺陷检测中的缺陷增强与字符去除技术

传统的轮毂图像缺陷检测算法,直接对采集到的图像进行检测,准确度低是其主要缺点。鉴于此,提出了一种汽车轮毂缺陷检测中的缺陷增强与字符去除技术。该技术通过对原图像进行数学形态学处理得到伪模板图像,然后将其与原图像相减的结果进行灰度拉伸,再叠加到原图像上以增强缺陷特征,最后使用双边滤波技术去除轮毂字符信息。实验结果表明,使用缺陷增强和字符去除技术之后,在满足时间限制的前提下,轮毂缺陷检测算法的准确度得到了提高。     

SrTiO3的缺陷化学

系统分析了有关SrTiO3的缺陷化学的文献报道，在此基础上给出了未渗杂、受主和施主掺杂SrTiO3的缺陷反应方程、平衡常数、各种缺陷的生成自由能和生成焓。由引可以计算和预测SrTiO3主要点缺陷的浓度。     

系统结构缺陷分层预测方法

为解决缺陷预测中的缺陷分类问题, 提出了分层式缺陷预测模型。通过对缺陷特征的分析建立了缺陷特征预测方法, 使具有相似特征的缺陷形成相似特征缺陷簇。给出了相似特征缺陷簇间关联关系预测方法, 构建了缺陷关联关系预测模型, 使具有强关联关系的相似特征缺陷簇再次成簇, 从而达到缺陷预测的目的。实验结果表明, 在缺陷成簇密度、 成簇数量及成簇客观性方面, 该系统结构缺陷分层预测方法好于K-means算法。     

焊缝缺陷类型识别方法的研究

针对焊缝射线检测图像中缺陷类型识别准确度较低的问题,提出了一种基于直接多类支持向量机的缺陷类型识别方法.该方法将焊缝缺陷类型识别问题转化为一个约束优化问题,采用由缺陷边缘特征和区域特征构成的特征向量对缺陷进行描述,解决了在实际训练样本较少的情况下,提高缺陷类型识别准确度的问题.实验表明,该方法的识别准确度为94.25%,比一对一支持向量机和多层感知神经网络的高,并且通过引入区域特征提高了特征组的缺陷描述能力.     

程序设计缺陷分析

程序设计是软件生命周期中一个重要阶段,程序设计缺陷将引发各种软件问题.根据软件测试中出现的与程序设计有关的缺陷,归纳整理了程序设计方面存在的编码风格、变量初始化、内存管理等缺陷,并通过实例对部分缺陷进行了分析,给出了修改方法.     

浅论产品的发展缺陷

关于由产品发展缺陷引起的损害,各国的归责原则不尽一致。在坚持发展缺陷抗辩的原则下,更应兼顾生产者与消费者权益的平衡,以达法律公正之目的。     

面向软件缺陷检测的静态分析技术

软件开发过程中的一个重要原则就是缺陷发现的时间越早越好,如果能控制软件缺陷,就可以得到高质量的软件.静态分析工具根据软件的结构、内容或文档来评价软件系统,而不需要执行程序.因此,可以较早地发现程序代码中的缺陷,使得后面的软件开发阶段可以着重分析复杂功能以及算法的错误.本文主要对使用静态分析技术检测软件缺陷的方法进行研究,讨论静态分析技术的现状和进展情况以及静态分析的特点.     

基于Gabor滤波器的布匹瑕疵自动检测方法

给出一种基于多通道Gabor滤波技术实现高速实时布匹瑕疵检测方法.在多分辨率和多方向上分别对图像进行Gabor滤波,建立金字塔图像表示结构,并对滤波后的多幅图像进行融合与重建,把瑕疵区域从布匹背景中提取出来,从而实现对布匹瑕疵的实时检测.实验表明,这种方法的检测准确率可达到95%,而且具有计算量小、稳定性好等优点.