束缚电子屏蔽效应对中微子俘获反应的影响

分析了地球实验室环境下束缚电子屏蔽效应对中微子俘获反应的影响，指出束缚电子的电荷屏蔽会使中微子诱导反应截面减小，在分析处理对原子或离子的电子俘获反应时，应考虑束缚电子的屏蔽效应，但Debey屏蔽挖近似处理失效，寻求另一个合理的电荷屏蔽表达式是非常重要的。     

电荷屏蔽与超新星前身星阶段fp壳层核的电子俘获

利用核的壳层模型，讨论了电荷屏蔽对超新星的前身星阶段一些较丰的核在一些重要的温度－密度点的电子俘获率的影响，结果表明由于电荷屏蔽的作用其电子丰度变化率须乘以一个０．８－０．９的因子。     

电荷屏蔽与磁场中的热核反应

讨论了强磁场下，电荷屏蔽对热核反应的影响，结果表明，在相对低的密度下（ρ/μe-10^5mol.cm^-3)，强磁场（-10^13G)使得电荷屏蔽势能增加；增加的屏蔽势对CNO循环中氢燃烧阶段^14N的质子俘获反应有明显的意义，但对其它热核反应，强磁场没有多大影响。     

屏蔽效应及其对元素性质的影响

在多电子原子中，将其它电子对某个选定电子的推斥作用结为对植电荷的板消作用，叫做屏蔽效应，本文总结了屏蔽效应对多电子原子某些性质的影响。     

电荷屏蔽与超新星前身星阶段电子丰度的变化率

超新星的前身星核心区的电子丰度 ,是Ⅱ型超新星的理论研究中最关键参数之一 .对于Ｉ型超新星 ,尽管其坍缩的主要原因是当吸积白矮星的质量超过Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ临界质量时广义相对论效应引起的 ,但是电子俘获会加速其坍缩过程 .电子俘获率的高低不仅影响着前身星演化阶段中的中子剩余 ,同时电子俘获反应伴随着大量中微子的产生 ,电子俘获反应进而冷却了铁核心 .人们对超新星的前身星环境的电子俘获问题进行了广泛的研究 .Ｂｅｔｈｅ等人的研究表明 ,Ｇａｍｏｗ Ｔｅｌｌｅｒ(ＧＴ)共振跃迁能大大增加电子俘获率 ,而且可能影响前…     

恒星环境下电荷屏蔽对基态β衰变的影响

分析了在恒星环境下，电荷强屏蔽对原子核基态间β衰变的影响，分别计算了电荷屏蔽对核素^6He，^15C，^31Si和^57Mn的β衰变率的影响程度，结果表明，在较低温度和较高密度下，由于电荷屏蔽，其衰变率相对于无屏蔽时有较大的增加，甚至可以增加一个量级，这对恒星内部的弱相互作用率的精确分析有较大意义。     

等电子原子模型与有效核电荷

在等电子原子模型及数据的基础上，从理论上探讨和确定了元素的有效核电荷（Ｚｅ），电子屏蔽系数（Ｓｋ）及其变化规律。用元素电离势实验值检验的结果比较满意。     

两种电荷屏蔽能计算方法的比较

对两种计算电荷屏蔽能的方法进行分析比较，结果表明：在密度很小的时候，二者差别不大，但是随着密度的增加,二者出现了较大的差异，此结果对于恒星内部的弱相互作用的研究可能会有一定的影响．     

用磁控溅射法制作电磁波屏蔽复合材料

阐述了用磁控溅射法制作电磁波屏蔽复合材料的工艺过程，对所制作的材料进行了屏蔽性能的测试和理论分析，给出了屏蔽效果与材料结构、膜厚等关系的定量说明．     

地磁场对彩色显像管的影响及减小方法

根据世界地磁图,计算了单个运动电子的全球受力分布,得出地磁场对彩色显像管具有不可忽视的影响;为减小地磁的影响,提出了一种有效的屏蔽措施,其屏蔽机理是利用铁磁材料的高磁导率对地磁场进行磁分路．此外,就屏蔽效果与现有的屏蔽方式作了对比分析．结果表明,采用该措施,地磁场影响明显减小．     

电子波导间一维到一维隧穿的理论研究

研究了耦和电子波导间的电子隧穿，结果表明隧穿电导随波导宽度振荡，与已发表的实验结果相符。文中详细分析了电子的输运性质，并对量子力学计算与半经典的观点作了比较；结果表明半经典的观点能对有关现象给出定性的物理解释。     

石墨烯中的电子光学

从原理和应用两个方面阐述了石墨烯中电子光学研究的进展,介绍了石墨烯的电子能带结构和量子力学对它的理论描述,分析了电势和磁势对电子束传输的影响,探讨了负折射效应以及利用该效应设计的电子透镜,讨论了电子在石墨烯界面全反射时产生的Goos-Hnchen效应和石墨烯电子波导的构建方案,最后说明了电子光学其他方面的应用.     

稀土离子^144Nd^＋和H2分子碰撞的单电子俘获截面的测量

建立了一套用于单价离子与气体分子碰撞的单电子俘获截面测量的装置,用复旦大学加速器实验室的３０ｋｅＶ同位素分离器测量了１０－３０ｋｅＶ＾１４４Ｎｄ＾＋与Ｈ２碰撞的单电子俘获截面。     

屏蔽对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量 .对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区别     

均匀磁场中电子的相对论性双波描述

在黄湘友等人建议的双波描述理论下，就相对论情形计算了均匀磁场中电子的一些物理量．所得结论与已有结果不同，从而有可能揭示了电子的一种新奇行为．例如，单个电子在均匀磁场中的运动将不是周期的而是准周期的．另外，还讨论了双波描述理论与普通量子力学的关系问题．     

电子激发氪原子广义振子强度的理论研究

在研究带电粒子与原子的非弹性散射中,原子的广义振子强度（ＧＯＳ）是一个重要的角色．最近,Ｔａｋａｙａｎａｇｉ等人通过非弹性散射中电子能损谱的测量得到了氪（Ｋｒ）原子在４ｐ６→４ｐ５（２Ｐ１／２）５ｓ和４ｐ６→４ｐ５（２Ｐ３／２）５ｓ转换过程中的ＧＯＳ．我们用相对论Ｓｌａｔｅｒ定域密度方程得到的波函数计算了该过程在动量平方转移从０．０１到１０（原子单位）范围内的ＧＯＳ．所得结果对Ｔａｋａｙａｎａｇｉ等人的实验给出了较圆满的理论解释．     

强磁场下中子星外壳层的电子俘获

 以核素⁵⁶Co和⁵⁹Fe为例,讨论了强磁场中子星外壳层电子俘获.结果表明,绝大部分中子星表面的磁场范围10⁴~10⁹T,磁场对电子俘获率的影响很小.对于一些磁场范围为10⁹~10¹⁴T的超磁星,磁场可使电子俘获率大大降低,甚至可以降低3个量级.     

宽电子束聚焦的变分理论

假定空间静电电位φ的磁感应强度矢量(?)在实验室坐标系中的分布是已知的,利用变分方法研究了正交和非正交两种曲线局部坐标基下宽电子束聚焦的普遍理论.将变分原理下的细电子束聚焦推广到宽电子束聚焦,证明了其结果与用电动力学方法研究宽电子束聚焦的一致性。     

强磁场下中子星外壳层的Gamow-Teller跃迁电子俘获

以核素^55Co和^54Mn为例．讨论了强磁场下的中子星外壳层Gamow—Teller跃迁（G-T）电子俘获率．结果表明，对于大部分中子星，表面磁场（10^4～10^9T）对Cr-T跃迁电子俘获率的影响很小，对于超磁中子星．表面磁场（10^9～10^13T）使GT跃迁电子俘获率降低大约2—3个数量级．