γ-辐照高聚物的正电子湮没寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱(PALS)研究高聚物凝聚态结构和转变过程已有一些报道.在高聚物中,正电子可以以自由状态存在,也可以与分子电子形成束缚态,即电子偶素(Ps),此二者都优先局域于电子密度较低的区域,如自由体积中,因其湮没寿命与电子密度成反比,因此其湮没的结果能反映有关自由体积的信息.一般认为PALS中最长寿命成分(对应于正态Ps或o-Ps的湮没)其寿命τ_3反映自由体积的大小,其强度I_3反映自由体积的数量.     

嵌段共聚物胶束形成的正电子湮没研究

嵌段共聚物被誉为高分子合金,有着广泛的用途.嵌段共聚物在选择性溶剂中的胶束形成及其行为多年来引起人们广泛的注意.尽管至今用了许多实验手段进行了研究,然而对于这种胶束生成的微观过程的了解还是很不够的.正电子湮没技术对溶液中胶束的生成是十分灵敏的.本文对二嵌段共聚物聚苯乙烯-二甲基硅氧烷(PSDMS)/正庚烷胶束溶液体系作正电子湮没寿命参数测量,研究胶束形成对o-P_s生成机率的关系,为这类嵌段共聚物胶束形成微观机制提供证据.     

生硅橡胶和高温硫化硅橡胶中正电子湮没的研究

一、引言 前人的工作表明,用正电子湮没技术研究高分子材料有着广阔的前景。本文用正电子湮没寿命谱来研究硅橡胶的结构特性具有一定的适用意义。硅橡胶既有优异的耐热性,又有卓越的耐寒性,使用温度宽(—60—200℃),并且具有良好的电绝缘性能,突出的耐候性和生理隋性,已广泛用作电气材料,人工器官,医疗用品和密封材料。本实验除研究含有不同分子量     

三光子实验

电子是人们最常见的一种基本粒子。在自然界中,电子是最轻的带电粒子。正电子是电子的反粒子。电子和正电子有电弱作用(电磁相互作用与弱相互作用的统一)和引力相互作用,但没有强相互作用。由电子和正电子组成的系统,是最简单的电磁相互作用系统,可以用量子电动力学的理论来精确地描述它们。湮没是电子和正电子相互作用的一个特点。在湮没过程中,一对正负电子转化为一些光子。这是粒子间会互相转化的有力证据。当自由正负电子直接碰撞时,可以发生湮没。但正负电子也可以先组成束缚态,然后再湮没。由一个电子和一个正电子组成的束缚态有点象氢原子,但里     

短硬段区域结晶嵌段聚醚胺酯合成的研究

由聚四亚甲基醚二醇(PTMG)/4,4′-二苯甲烷二异氰酸酯(MDI)/1,4-T二醇(BD)合成的嵌段聚醚胺酯的结构与性能已有研究。结果表明,足够长的硬段(MDI/BD)区域在一定条件下可形成结晶结构,短硬段(即由分子量为1000的聚醚以及摩尔比PTMG/MDI/BD=1/2/1组成的聚醚胺酯中硬段)区域无结晶结构存在。但样品的合成条件未详细说明。此外,我们注意到合成聚胺酯预聚物时,有两种不同的加料方式:将异氰酸酯加入到聚醚中,或者相反。不同加料方式对产物结构的影响亦未见文献报道。     

用正电子湮没研究氢-钯系统中缺陷

用气态充氢的办法向钯中充氢 ,最大含氢量达到 0 .734(原子比 ) .通过研究正电子湮没寿命谱发现钯金属在高氢含量下 ,在充氢产生缺陷和使晶格膨胀的同时 ,样品中的H会通过Pd原子影响到正电子的湮没寿命 ,使曲线出现较复杂的变化 .     

Y_1Ba_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_y系超导体中Sn替代位置的正电子湮没研究

元素替代效应已成为研究高温超导陶瓷的重要方法之一,而元素替代的真实位置是讨论替代效应的基本点。正电子湮没技术高度敏感于材料中的电子结构与缺陷机构。自从Jean等人首次报道了在高温超导陶瓷中的正电子湮没谱后,许多工作表明正电子湮没技术也是研究该类材料的有力工具。特别是近来一系列的理论计算与实验研究,表明了在高温超     

用正电子湮没辐射Doppler展宽谱测位错密度和空位浓度

一、方法由于正电子对物质结构缺陷的极端灵敏性,正电子湮没谱学已经广泛地被人们用来分析金属试样的缺陷。正电子射入金属试样经过热化后,遇到电子就发生湮没,正电子-电子对的静止质量转化为电磁辐射,主要的形式是产生两个发射方向相反、能量各为0.511MeV的γ光     

摩擦对PTFE非晶-结晶界面区自由体积的影响

正电子湮没技术(PAT)是表征聚合物微观缺陷——自由体积的尺寸和浓度的灵敏的探针。近几年已在结晶聚合物结构-性能相互关系的研究中得到了应用。研究表明聚四氟乙烯(PTFE)及其复合材料的机械性能、热学性能、结构相变等均可通过其自由体积孔穴的变化表现出来,这充分说明了PTFE的微观缺陷是影响其宏观性能的主要原因之一。此外,对PTFE正电子寿命谱的解析也有了较明确的认识。PTFE作为一种重要的聚合物材料,具有优异的自润滑性和极高的化学稳定性,在摩擦学研究领域中获得了广泛的应用。但有关其自由体积孔穴性质与宏观摩擦学性能相互关系的研究尚未广泛开展。本文用正电子湮没寿命谱研究了微动和小往复摩擦后的非晶-结晶界面区PTFE自由体积尺寸和浓度变化,发现了摩擦造成的自由体积的连通和分离现象,也验证了摩擦的分层属性。     

用正电子湮没研究中子辐照Si

硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受缺陷电荷影响,研究结果表明在半导体中,正电子能被辐射损伤缺陷所捕获.本工作是用正电子湮没寿命来研究经过中子辐照后的单晶硅,未退火及在400～1150℃范围内退火的空位变化情况,讨论了捕获模型.1 实验     

用正电子湮没研究Al-Ni二元系中的固溶体类型

Al-Ni二元系的δ相理想成分为Ni_2Al_3,其室温的均匀范围为38.50—42.19 at.％Ni,单胞体积随Ni含量而变化,在理想成分为最小值。 Al-Ni二元系的β相理想成分为NiAl,其室温的均匀区在45.25—60.1 at·％Ni,它是由二个相互嵌入的简单立方点阵所组成,β相单胞体积随at.％Ni成分变化而变化,在50at.％ Ni处有一最大值。 本工作用正电子湮没技术研究Al-Ni二元系中δ和β相固溶体的类型。     

摩擦对PTFE非晶-结晶界面区自由体积的影响

<正>正电子湮没技术(PAT)是表征聚合物微观缺陷——自由体积的尺寸和浓度的灵敏的探针。近几年已在结晶聚合物结构-性能相互关系的研究中得到了应用。研究表明聚四氟乙烯(PTFE)及其复合材料的机械性能、热学性能、结构相变等均可通过其自由体积孔穴的变化表现出来,这充分说明了PTFE的微观缺陷是影响其宏观性能的主要原因之一。此外,对PTFE正电子寿命谱的解析也有了较明确的认识。PTFE作为一种重要的聚合物材料,具有优异的自润滑性和极高的化学稳定性,在摩擦学研究领域中获得了广泛的应用。但有关其自由体积孔穴性质与宏观摩擦学性能相互关系的研究尚未广泛开展。本文用正电子湮没寿命谱研究了微动和小往复摩擦后的非晶-结晶界面区PTFE自由体积尺寸和浓度变化,发现了摩擦造成的自由体积的连通和分离现象,也验证了摩擦的分层属性.     

正电子湮没率的Laplace逆变换分析及应用

正电子湮没寿命谱是研究凝聚态物理的一个有力手段,它能提供有关物质的电子结构,电荷密度分布,缺陷等许多有用的信息;已被广泛地应用于固体物理,化学及材料科学等许多领域.实验得到的寿命谱是随时间指数衰减的理想寿命谱与仪器分辨函数的卷积.从原始的实验数据中抽取出具有物理意义的信息,即正电子湮没寿命谱的分析,一直是一个十分困难的问题.传统的寿命分析方法通常需要假定正电子是从有限个状态湮没,从而将正电子寿命谱分解成为有限个指数衰减函数的和与仪器分辨函数的卷积:     

正电子湮没技术及其在现代生物学研究中的应用

量子生物学已经萌芽。有人预料,亚分子生物学(submolecular biology)或电子生物化学(electronic biochemistry)必将发展,从电子水平上探讨生命活动规律及其本质是必然趋势。正电子湮没技术(positron annihilation technique,PAT)是研究物质微观结构的一项实验技术,也是研究生物大分子及生     

ESR研究β辐照D和L丙氨酸不对称自由基形成

正电子湮没实验表明从~(22)Na衰变产生的正电子优先在L-亮氨酸中形成三重态正电子素。考虑到β粒子和正电子具有不同的螺旋性,β粒子的自旋方向和动量方向相反,具有左手螺旋;正电子的自旋方向和动量方向平行,具有右手螺旋。本文利用~(90)Sr-~(90)Y源的β粒子辐照。D和L丙氨酸分别装于核磁样品管,在10~(-5)mm Hg真空下封管。为了校准管的差异,填装丙氨酸的密度和其他因     

路易斯酸熔融盐刻蚀:一种制备MXene材料的普适方法

正MXene,即二维过渡金属碳化物/氮化物/碳氮化物,是通过选择性刻蚀三元层状结构(P63/mmc)M_(n+1)AX_n相前驱体中的A层原子所得到的新型二维材料,其中M代表过渡金属元素(钛、钒、铌等), A主要是第Ⅲ～Ⅳ主族元素(铝、硅等),X是碳和/或氮.MXene材料凭借其独特的二维层状     

位错心线性膨胀模型的正电子湮没特性

一、导言 Arponen等提出的位错模型(以下简称A-模型)相当好地和变形Al的正电子(e~+)湮没实验结果符合,但用空心柱孔模型(以下简称C-模型)也能够给出同样好的结果。这说明位错e~+湮没效应的主要贡献来源于位错中心区域,凡是主要考虑位错心的模型均能给出接近实验的结果。然而,C-模型描述位错心过于简化,例如它的离子密度分布在柱孔边界上发生突     

BSCCO超导单晶的正电子湮没研究

一、引言 正电子是研究固体电子结构,固体缺陷和相变的灵敏探针。对超导体而言,BCS理论预言,Cooper对的形成导致k空间占据态的重新分布,从而引起费米面的模糊。理论预计费米面的模糊将使超导态的正电子寿命增加,湮没辐射Dopper展宽能谱的线形参数S下降。     

Bi_(2-x)Pb_xSr_2CaCu_(2-x)Mg_xO_(8+δ)超导体的正电子寿命研究

自从Maeda等人在Bi-Sr-Ca-Cu氧化物中发现超导电性以来,由于Bi系超导体具有较高的超导转变温度和广阔的应用前景,日益受到人们的重视.在Bi系超导材料的研究中,金属离子的置换对超导性能和材料结构的影响一直是研究的热点之一.许多作者用Pb替换Bi,以便了解Bi-O层对超导电性的作用.文献[4]研究了Bi_(2-x)Pb_xSr_2CaCu_2O_(8+δ)体系,由Raman散射实验证实Pb可以替换Bi,且其最大替换量可以达到x=0.35;随着Pb含量的增加,超导转变温度T_c从85K减小为76K,并且指出这是由于体系空穴浓度增加所致.然而,Pb掺杂对样品结构的影响以及空穴浓度增加的原因尚不清楚.本工作使用对固体材料微观结构极灵敏的正电子湮没谱仪测量了Bi_2Sr_2CaCu_(2-x)Mg_xO_(8+δ)和Bi_(2-x)Pb_xSr_2CaCu_(2-x)Mg_xO_(8+δ)系列样品的正电子寿命,给出了正电子寿命和转变温度随掺杂量X的变化关系,研究了Pb掺杂对Bi系超导体电子结构的影响,以及由此引起的样品中空穴浓度变化情况.     

金属中传导电子有效质量的正电子湮没2γ辐射能谱法测定

传导电子的运动状态决定金属的热学和电学特征.由于传导电子和原子实之间存在强关联,因而确定运动状态的质量不是电子的惯性质量m_e而是它的有效质量m~*,而且m~*是一个二阶张量.m~*通常用dHvA(de Has-van Alphen)效应测量,需要低温(～0.5K)和强磁场(～10T)等复杂技术.我们采用正电子(e~+)湮没2y辐射能谱法测定了高纯Pd中传导电子的