关于退火温度对VO_2薄膜制备及其电学性质影响的研究

采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.     

非晶合金薄膜(Fe_(0.4)Ni_(0.2)Cr_(0.4))_(72)Si_(28)的电阻特性与温度及非晶度的关系

测定了非晶合金薄膜(Fe_(0.4)Ni_(0.2)Cr_(0.4))_(72)Si_(28)在20-620℃范围内电阻随温度变化的曲线,以及这一变化与薄膜的物相构成及非晶度的关系。研究了这一合金薄膜电阻温度系数TCR随热处理温度的变化以及它与非晶度的关系。探讨了合金薄膜中Si的含量对TCR数值的影响及作用机理。指出了获得合金薄膜最佳电阻温度系数的一些可能的途径。     

TiO2/VO2双层薄膜的制备及光电性能研究

文章采用磁控溅射法在玻璃基底上分别制备VO2单层薄膜与TiO2/VO2双层薄膜,并在Ar气中进行退火.用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外-可见光分光光度计、LCR测试仪对薄膜样品的晶体结构、表面形貌、可见光透过率、电阻温度特性进行测试.结果表明,TiO2/VO2双层薄膜的相变温度降低到56℃,电阻温度系数为-1.087/℃,可见光透过率提高了20％～30％,且薄膜生长致密均匀.     

退火条件对氧化钒薄膜微观结构的影响

采用直流对向靶磁控溅射的方法在SiO2／Si衬底上制备了具有（001）择优取向的V2O5薄膜，利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和四探针测试方法对退火前后薄膜的表面形貌、物相组分和电阻温度系数进行了测量．结果表明：200℃衬底温度下溅射得到的薄膜为多晶V2O5，膜表面颗粒呈细长针状，经700℃、1h退火后，薄膜中VO2相成分增多，颗粒变为长方形柱状；退火后薄膜的电阻温度系数达到-3.2％／K，与薄膜的微结构和物相组分有很大关系：3h退火后．得到高纯度的V2O5薄膜．     

溅射氧化耦合法合成W掺杂VO2纳米薄膜及其光学性质

采用溅射氧化耦合法(SOC),在Al2O3(001)基底上成功制备了纳米尺度的W掺杂VO2薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱仪(XPS)分别对薄膜的微观结构以及组分进行了分析;采用四探针测试仪测试了薄膜在不同温度下的方块电阻,从而确定了VO2和W掺杂VO2纳米薄膜的相变温度从341K下降到314K;最后利用紫外至红外光谱仪测试了薄膜在常温和高温下的透过率,并通过Film Wizard软件对薄膜的透过率进行拟合,获得了薄膜的光学折射率(n)和消光系数(κ)随光电子能量(E)变化的关系曲线.研究结果表明,随着W掺杂量的增加,W掺杂VO2纳米薄膜的半导体-金属相变温度逐渐下降,其光学折射率(n)和消光系数(κ)相比VO2薄膜也发生有规律的变化.     

掺Mn拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜的制备及其电磁特性研究

文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)法在蓝宝石衬底上制备拓扑绝缘体Bi_2Se_3和掺杂Mn的拓扑绝缘体Bi_2Se_3的异质结薄膜。利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)和X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)对不同条件制备的样品晶相进行分析,获得最优的制备参数,主要包括衬底温度为390℃、Bi和Se的流量比为1∶10以及Mn流量对应的温度为590℃;利用综合物性测量系统(physical property measurement system,PPMS)测量了样品的温度电阻、磁电阻和霍尔电阻。测量结果表明,与纯Bi_2Se_3薄膜相比,Bi_2Se_3和掺杂Mn的Bi_2Se_3构成的异质结薄膜的电阻随温度的升高表现出金属性-绝缘性的转变和更强的磁阻特性,而且由于异质层间的近邻效应导致异质薄膜表现出p型导电特性。     

热处理对BaPbO3薄膜化学组成及薄膜电阻的影响

以可溶性无机盐为原料,乙二氨四乙酸、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用溶胶-凝胶法在Al2O3基片上制备了钙钛矿结构的BaPbO3导电薄膜.利用X射线衍射和能量散射X射线能谱表征方法,并结合薄膜方块电阻的测定,探讨了热处理方式和热处理温度对薄膜化学组成及薄膜电阻的影响.研究表明,与常规热处理技术相比,采用快速热处理工艺制备BaPbO3薄膜需要更高的热处理温度,同时,随着热处理温度的升高,薄膜中的Pb/Ba摩尔比下降,导致薄膜方块电阻上升.采用常规热处理方法,在670℃下保温10min可以制备膜厚约2.5μm、薄膜方块电阻为32Ω/□的BaPbO3薄膜.     

氧化锌薄膜的微观结构及其结晶性能研究

以普通玻璃作为衬底材料,采用射频磁控溅射方法制备了氧化锌(ZnO)透明导电薄膜,通过X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)测试,研究了衬底温度对薄膜微观结构及其结晶性能的影响.结果表明:所制备的ZnO薄膜均为(002)晶面择优取向生长的多晶薄膜,其微观结构和结晶性能与衬底温度密切相关.衬底温度对ZnO薄膜的织构系数TC(hkl)、平均晶粒尺寸、位错密度、晶格应变和晶格常数都具有不同程度的影响,当衬底温度为800 K时,ZnO薄膜样品的织构系数TC(002)最高(4.929)、平均晶粒尺寸最大(20.91 nm)、位错密度最小(2.289×10~(15)line·m~(-2))、晶格应变最低(2.781×10~(-3)),具有最高的(002)晶面择优取向生长性和最佳的微观结构性能.     

退火工艺对AlN基片上NTC薄膜性能的影响研究

通过退火过程原位电阻测试、电阻—温度特性测试和扫描电镜(SEM)测试,研究了退火温度和退火时间对Al N基片上磁控溅射制备的Mn-Co-Ni-O系负温度系数(NTC)热敏电阻薄膜性能与微观形貌的影响.实验结果表明,功能层在450℃附近开始结构弛豫和晶化过程,晶化初期电阻下降;由于Al N基片与NTC薄膜材料之间存在键性差异,晶化收缩会导致薄膜中出现孔洞,造成恒温段电阻升高;恒温退火的温度越高,退火后样品B值越高,晶化收缩越剧烈,电阻增加越快;恒温时间越长,样品电阻增加越多,恒温时间对B值没有影响.     

溅射氧化耦合法制备Ti掺杂VO_2薄膜及其极窄回滞特性

采用溅射氧化耦合法,在Al2O3基底上成功实现了对VO_2薄膜的Ti元素掺杂.通过光电子能谱(XPS)的分析,试验制备的VO_2薄膜具有较高的纯度,只含有少量+3价V,同时也对Ti元素的含量进行了定量分析,分析结果证明了试验设计的合理性.通过测量VO_2薄膜在不同温度下的方块电阻,绘出了其电阻-温度曲线,并分析得到了Ti不同掺杂含量下的相变温度与回滞宽度.研究结果表明,Ti掺杂对VO_2薄膜的相变温度没有明显的影响,但可以有效地使VO_2薄膜的回滞宽度变窄,甚至接近于单晶VO_2的回滞宽度.该试验对于VO_2薄膜的开关器件应用具有重要意义.     

Advances on Vacuum Metallurgy of Nonferrous Metals

Development of vacuum metallurgy (VM) on nonferrous metals in the last thirty years was reviewed. The role and fields of VM were also discussed briefly.     

室外真空排水系统与关键技术

真空排水系统改变了室外污水管网单一的重力输送污水的传统模式,污水在真空排水系统中以一定的真空压差输送,系统管道只需保证覆土深度而不要求坡度进行敷设,具有与其他专业管线协调灵活,管径小、流速大、施工方便、投资低、不堵塞、卫生无臭气等优点.适用地形复杂、地面起伏大、坡降小、地下水位高的地区.真空接触启动、真空保压设备、系统安全监控以及系统的设计计算是真空排水系统的技术关键.     

影响磁控溅射镀膜生产线真空度的因素和处理方法

目前,磁控浅射镀膜生产线正在国内逐步推广应用.本文是根据七年来在国产第一条镀膜生产线调试、生产工作中积累的实践经验,概述了影响真空度的因素和处理方法,同时介绍了机械泵、罗茨泵和扩散泵在使用时应该注意的事项.     

真空测量技术发展溯源

中以确切的资料信息介绍了真空测量技术创始以来的发展过程,使人们永远记住这些在此领域作出突出贡献的劳动以及他们的科学成就。     

真空开关管内真空度检测的研究

真空灭弧室内真空度将直接影响真空开关的性能。利用自行设计建立的真空实验测试系统研究了灭弧室内真空度与放电电流,两极电压,触头开距之间的关系。尤其是在灭弧室两侧加一横向磁场情况下,它对真空灭弧室内真空度测量的作用,得到了一些有益的结论,为真空灭弧室内真空度的检测提供了有效的途径。     

浅谈几种真空热处理技术

真空热处理技术是传统的热处理技术和现代化的真空技术、电子计算机技术、自动化技术相结合而成的一种高效、优质、节能的先进热处理技术,具有无脱碳、无氧化、可保持零件表面光亮、可使零件脱脂、脱气、变形小、节能且易于控制等优点,已在国内外广泛运用。简单阐述了真空油淬技术、对流加热技术、真空渗碳技术、真空渗氮技术、真空加压气淬等真空热处理技术,以说明该技术的发展情况及发展趋势。     

真空灭弧室真空度免拆卸测量中磁场线圈设计

介绍了利用Π型线圈实现真空灭弧室真空度免拆卸测量的方法,并提出了相应的磁场设计规范．在此基础上,考虑磁场的大小和分布的均匀性,利用正交设计方法优化了线圈结构,获得了可满足测量要求的磁场位形．与空心圆柱线圈的测量结果对比表明,Π型线圈测得的离子电流略小,但总体来说,相差不大,可以满足实际使用要求．     

真空断路器的使用和维护

无油化改造工程在我厂的实施，扩大了真空断路器的应用范围。论述了真空断路器的使用特点、使用维护过程中应注意的问题，并指出不仅要重视设备的更新改造而且要重视设备的检修和维护，才能确保其良好运行。     

真空断路器真空度声学检测方法研究

真空灭弧室内存在两种声发射现象，一种是断路器在开断或关合电路时产生的电弧声发射，另一种是真空度降低到一定程度后，电极对屏蔽罩放电激发的声发射波，探讨了利用这两种声发射波进行真空断路器真空度在线检测的可能性，分析及实验结果显示利用电极对屏蔽罩放电声发射原理在线检测真空度是一个可行的方法。     

VTS-80真空退火炉的设计

金属在真空中退火是真空热处理的一种工艺,目前在钛、锆等稀有金属材料的加工中应用广泛。详细介绍了VTS-80真空退火炉的应用、结构及主要部件的设计。