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1.
提出一种“自下而上”的纳米结构的制备方法。在生长有碳纳米管的氧化硅表面沉积数纳米的钯金属膜后, 用氢氟酸刻蚀, 得到完全由碳纳米管引导的沟槽结构, 并且碳纳米管沿沟槽分布在其底部。通过导电原子力显微镜对沟槽内的碳纳米管的表征, 发现其仍然具有良好的导电性。在碳纳米管和钯金属膜之间增加一层磁控溅射沉积的氧化硅, 可以增加沟槽的深宽比。通过降低钯金属膜的致密程度, 沟槽的开口宽度可降至100 nm左右。该方法制备的结构可以进一步用来构建基于碳纳米管的纳电子器件。 相似文献
2.
针对紫外(UV)压印光刻在压印工艺过程中会产生阻蚀胶残膜的技术特点,采用以O2为反应气体来清除阻蚀胶残膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺方法,研究了不同的反应气体流量、反应腔室压力、射频功率等刻蚀参数对刻蚀速率和刻蚀各向异性的影响,得到了刻蚀速率和刻蚀各向异性随各刻蚀参数的变化趋势图.实验结果表明,减小反应气体压力和气体流速可以降低刻蚀速率,提高刻蚀各向异性.通过对刻蚀参数的优化配置,当射频功率在200W、反应气体流速在30mL/min、反应腔室压力为0.6Pa时,刻蚀速率可以稳定在265nm/min,各向异性值可以达到13,因此实现了对压印图质形的高质量转移. 相似文献
3.
采用等离子束溅射轰击刻蚀和溴甲醇腐蚀对CdTe薄膜表面进行后处理.对比研究了2种腐蚀条件下CdTe薄膜的光谱特性.结果表明:等离子束溅射轰击刻蚀可以彻底清除CdTe薄膜表面的氧化层,刻蚀后的CdTe薄膜颗粒更为均匀致密,等离子体刻蚀与溴甲醇腐蚀相比,可以改善CdTe薄膜表面的粗糙度,增强薄膜的附着力,改善薄膜的性能. 相似文献
4.
为降低硅中阶梯光栅制作工艺中顶角平台对光栅衍射效率的影响,提出了“紫外曝光‐倒置热熔”结合法用于制备具有小占宽比的光刻胶掩模,对中阶梯光栅设计、硅基片准备以及光刻胶掩模制备等环节进行了研究。A FM 测试结果表明,可以制备占宽比为1∶5的光刻胶掩模,远远超出光栅理论设计中对顶角平台尺寸的要求。 相似文献
5.
以微悬臂梁的制造工艺为例,探讨了MEMS中的牺牲层腐蚀技术,对牺牲层材料的制备方法和腐蚀牺牲层材料得到微悬臂梁结构等工艺中的关键与核心技术作了详细阐述,从腐蚀机理的角度探讨了腐蚀速率及其影响因素。 相似文献
6.
为了对海上石油开采作业中各种设备、管道腐蚀状况进行有效的预测、检测和监测,进行石油设施腐蚀管理系统的研究,并详细阐述了方案的可行性,具有较高的推广价值。 相似文献
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8.
鄱阳湖区湿地农业发展及对策研究 总被引:1,自引:0,他引:1
蒋梅鑫 《江西师范大学学报(自然科学版)》2000,24(3):260-263
鄱阳湖区湿地资源丰富,具有发展大农业的优越条件,潜力极大。该文通过对湖区湿地资源特点、利用现状及存在问题的综合分析,提出合理利用湖区湿地资源,实现农业可持续发展的对策建议。 相似文献
9.
张建民 《陕西师范大学学报(自然科学版)》1989,(3)
本文导出了离子束蚀刻固体表面形貌发展的一般方程,利用非线性方程的特征曲线解法,建立了离子束蚀刻固体表面形貌发展的三维理论,并由该理论导出了Carter等人的二维理论。 相似文献
10.
本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。 相似文献