S－GaAs表面键对砷化镓电性能的影响

砷化镓表面经硫化钠水溶液处理后，其电学性能得到很好的改善。实验样品的电容电压特性曲线发生变化，势垒电容变大。Ｘ射线光电子谱揭示样品表面氧的成分大大减少，砷的结合能由原来的１３２１．４７ｅＶ变为１３２１．００ｅＶ，Ａｓ（２Ｐ＿（３／２））芯能级移位０．４７ｅＶ。砷化镓表面形成Ｓ－Ａｓ键，改善了表面费米能级的钉札，减少了表面态密度及表面复合中心。     

热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

O3对小麦幼苗核酸和蛋白质代谢的影响

小麦幼苗叶片ＤＮＡ对Ｏ＿３极为敏感，Ｏ＿３处理的第一天就明显下降；ＲＮＡ第一天降低幅度不大，第二天开始大幅度降低，同时ＲＮ＿（ａｓｅ）活性显著上升。可溶性蛋白质含量亦随之降低，ＳＤＳ─ＰＡＧＥ分析表明，可溶性蛋白质组分也发生了深刻变化，高分子量蛋白质随处理时间延长而逐渐降解消失。     

偏最小二乘法校正火焰原子吸收光谱干扰

用偏最小二乘法（ＰＬＳ）校正火焰原子吸收分析中Ｍｎ４０３．３０７ｎｍ对Ｇａ４０３．２９８ｎｍ干扰。实验结果表明，ＰＬＳ法是谱线重叠干扰的有效校正方法，同时预示着该法可成为用一种元素空心阴极灯同时测定谱线重叠的二种元素的分析方法。     

白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱

对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。     

LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

烟草盐适应愈伤组织生理特性的研究

采用逐步提高ＮａＣｌ浓度的方法，获得了耐１％ＮａＣｌ的烟草（ＮｉｃｏｔｉａｎａｒｉｓｔｉｃａＬ．ｃｖＧａｎｓｕＹｅｌｌｏｗ一ｆｌｏｗｅｒ）愈伤组织变异系（Ｓ＿１）。与原始型愈伤组织（Ｓ＿０）相比，在１％ＮａＣｌ胁迫下，Ｓ＿１的干重增量高于Ｓ＿０４．６倍，组织渗透势下降，而含水量提高；游离脯氨酸、蔗糖、还原糖含量及乙烯释放速率的增加Ｓ＿０高于Ｓ＿１，但腐胺的累积量相反。Ｓ＿１对甘露醇（Ｍａｎｉｔｏｌ）渗透胁迫和Ｎａ＿２ＳＯ＿４盐胁迫也具有适应性，但对低温（０一１℃）敏感。ＡＢＡ促进了Ｓ＿０对盐胁迫的抗性，但对已耐盐的Ｓ＿１无类似作用。     

离子束增强沉积制备Al、Al－Y薄膜改善304不锈钢抗氧化性能的研究

用离子束增强沉积的方法，在３０４不锈钢表面合成了Ａｌ及Ａｌ－Ｙ薄膜．通过在９５０℃、１０５０℃的恒温氧化和９５０℃的循环氧化实验发现，由于Ａｌ＿２Ｏ＿３保护膜的生成显著提高了３０４不锈钢的抗氧化性，而Ｙ的加入又明显地提高了Ａｌ＿２Ｏ＿３氧化膜的抗循环氧化能力．本文通过ＳＥＭ、ＡＥＳ、ＥＰＭＡ及Ｘ射线衍射相分析等手段，分析了氧化产物层的形貌和组成．并根据实验结果探讨了Ａｌ、Ｙ有益作用的机制．     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱

报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。     

半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理。     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理.     

扫描光荧光表征半导体材料特性

报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布的形貌特别灵敏.文中列举和讨论了用本PL扫描系统对Si和GaAs所获得的一些光谱和形貌的信息.实验证明该系统可用作为一个简单、无接触然而却是灵敏的表征手段,可用于评估半导体基片近表面层的均匀性,也适用于器件表征.     

甲醛废热锅炉复合钝化处理的研究

对用表面复合钝化处理的20g碳钢代替1Cr18Ni9Ti不锈钢制造生产甲醛的氧化反应器(废热锅炉)进行了研究,结果表明,用铝酸盐和磷酸盐等对碳钢表面进行复合钝化处理,形成含Mo、P的复合钝化膜,使碳钢具有良好的耐蚀性.经此复合钝化处理的碳锅可用来代替不锈钢,制造甲醛氧化反应器废热锅炉。此废热锅炉已在湘潭合成化工厂得到实际应用,其使用寿命已超过该厂原不锈钢废热锅炉的寿命.     

砷化镓中某些缺陷低温光致发光光谱的解释

本文对某些缺陷的低温光致发光光谱的解释提出了一种经验方法.将该法应用于文献中报道的非掺、LEC半绝缘砷化镓的低温光致发光光谱,得到了一些有用的结果.然后,对某些有关缺陷的本性提出了一些看法.     

MBBR系统同步硝化反硝化生物脱氮特性研究

为了研究同步硝化反硝化过程中的脱氮特性,采用移动床生物膜(MBBR)系统,在污水平均C/N为3.5的条件下,研究了水力停留时间(HRT)及曝气量对系统同步硝化反硝化过程中氮和有机物降解的影响,并分析了COD、NH4+-N及TN在移动床生物膜系统中的沿程变化情况。结果表明,在移动床生物膜中实现了同步硝化反硝化现象,控制HRT为14 h,曝气量为100 L.h-1,溶解氧在4.5 mg.L-1左右时,COD、NH4+-N和TN的去除率分别达到83.53%、78.51%和62.89%;随着HRT的增加,COD、NH4+-N和TN的去除率都相应提高,且NH4+-N和TN去除率增加的幅度更大;随着曝气量的减小,COD、NH4+-N和TN的去除率相应降低,且NH4+-N和TN去除率下降得更明显;NH4+-N和TN的浓度基本上是按进水、反应器和沉淀池沿程降低,且主要去除发生在反应器内,反应器内部水质和其出水水质十分相近,表明该MBBR反应器的流态是完全混合式的。     

二氯化氯·五氨合钴(Ⅲ)配合物的热分解动力学机理研究

用非等温热重法研究了二氯化氯·五氨合钴(Ⅲ)配合物[Co(NH3)5Cl]Cl2 的热分解反应机理.非等温热重数据通过ACHAR法和COATS-REDFERN法进行拟合,结果得到第1 步反应的微分动力学函数f(α)= 4α3/4,积分动力学函数g(α)= α1/4, 活化能E1 =132.628 kJ/mol,E2 =24.888 4 kJ/mol;指前因子A1=2.843 9×10-14/s,A2 =2.199 1×10-2/s;动力学补偿效应方程lnA1=4.463 6E1+5.696 4,lnA2=4.516 6E2+38.465.第2步反应的微分动力学函数f(α)=3/2[(1-α)1/3 -1]-1,积分动力学函数g(α)= α+(1-α)ln(1-α), 活化能E1 =137.306 1 kJ/mol,E2=332.607 8 kJ/mol;指前因子A1=2.744 4×1011/s,A2=1.395 8×102 5/s;动力学补偿效应方程lnA1=5.005 8E2+5.617 4,lnA2=5.031 7E1+43.026.     

磷脂与尿素相互作用的振动光谱和理论计算研究

用拉曼光谱和密度泛函方法研究了尿素和磷脂溶液的相互作用。光谱实验结果表明,尿素的NH2的伸缩振动移向低波数,磷脂的PO2的伸缩振动移向高波数。在B3LYP/6-31+G水平上,对磷脂模型化合物和尿素之间的相互作用进行了理论计算,所得结果很好地解释了观察到的实验现象。从而得到了尿素和磷脂之间可以形成氢键的证据。     

电沉积液中不同镍锌比对超级电容器正极材料Ni(OH)2电容性能的影响

采用电化学共沉积技术在泡沫镍基体上直接制备掺杂Zn的Ni(OH)2电极,研究了乙醇-水体系下不同镍锌比电沉积溶液制备的电极材料的电容特性。通过XRD、SEM、EDS等测试方法对制备的电极材料进行微结构表征,并用恒流充放电、循环伏安法系统地考察其电化学性能。结果表明:所制备的电极材料为掺杂Zn的α-Ni(OH)2。当镍锌比为1∶0.0075时,循环伏安测试(扫描速率是1mV.s-1)α-Ni(OH)2电极的比电容达1906.09F.g-1。经100次恒流充放电循环后比电容衰减仅0.09%,说明电极材料具有良好的稳定性。在7.5mA.cm-2电流密度下,比电容达313.88F.g-1。