聚吡咯修饰Co_3O_4的制备及其对H_2O_2的电还原性能

采用聚吡咯电聚合方法修饰Co3O4纳米线制备电极。电极的结构和形貌用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)进行表征。利用循环伏安法研究了聚吡咯修饰Co3O4纳米线电极对H2O2的电催化活性。结果表明,在3.0 mol·L-1KOH和0.4 mol·L-1的H2O2溶液中,聚吡咯修饰Co3O4纳米线电极的电流密度可达-174.8 m A·cm-2,与未被修饰的Co3O4纳米线电极相比,电极的活性和稳定性都有明显提高。     

铜纳米线的制备及其光限幅特性研究

应用扫描电子显微镜(SEM)和x射线衍射仪(XRD)表征了固态离子学方法制备的金属铜纳米线.应用调Q倍频ns/ps Nd:YAG脉冲激光,在波长为532 nm,脉冲宽度为8 ns,重复频率1 Hz的条件下,研究了金属铜纳米线悬浮于去离子水中的反饱和吸收和光限幅特性.实验表明,金属铜纳米线具有较好的光限幅性能.     

ZnO纳米线阵列的生长机制

通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列．利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0．3g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、x射线图谱和x射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿（001）方向生长．提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制．     

TiO_x胶体浓度对银纳米线薄膜透光导电性能的影响

采用多元醇法合成银纳米线,用旋涂法制备银纳米线薄膜,并在其表面旋涂一层氧化钛(TiOx)胶体薄膜以进行表面修饰.采用X-射线衍射仪与扫描电子显微镜对银纳米线的晶体结构与表面形貌进行表征;采用紫外-可见光分光光度计与四探针测试仪对银纳米线薄膜的透光与导电性能进行测试.研究发现,银纳米线薄膜的透光性能和导电性能随着旋涂转速的增加而降低,这与薄膜厚度变化有关.进一步研究发现,胶体浓度对于薄膜的透光导电性能有显著影响,在转速为2 000r/min的时候,0.01 mol/L浓度的TiOx胶体可以有效地提高薄膜的导电性能.     

复合形状的金纳米结构的合成以及在表面增强拉曼光谱上的应用

我们描述一个新的、简单的制备金纳米线、三角形和六边形纳米粒子的方法,在加热的条件下,用乙醇作还原剂和保护剂直接还原氯金酸,而不用添加其他的表面活性剂.通过调节反应体系中乙醇的量来控制合成金纳米线和规则形状的纳米粒子.得到的产物用紫外光谱仪、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)研究.结果表明金纳米结构的尺寸和形状依赖于反应温度的变化.更重要的是,用我们的方法制得的金纳米晶体可以用来作为以对巯基苯氨(4-ATP)为探针分子的表面拉曼增强基底.     

温度对单根氧化锌纳米线真空传感器的影响

通过化学气相沉积方法(CVD)制备了ZnO纳米线,并且利用微栅电极法制备了单根ZnO纳米线真空传感器.ZnO纳米线的电阻率随真空度的提高而降低,在p=10 Pa时,室温情况下的电阻约为高温情况下(T=325℃)的1000倍.而在p=1 ×105 Pa时,室温情况的电阻是高温情况下的10倍.这种巨大变化主要是由于真空度迅速的升高,吸附在纳米线的表面的氧负离子进行了脱附的作用之后,使得耗尽层厚度降低,纳米线内部可参与导电的电子数增多,此时温度对纳米线的影响作用才会很大,导致纳米线电阻率迅速降低.     

ZnO纳米线的自催化生长、微结构和荧光特性

采用高温碳还原ZnO粉末获得了大量直径约为40 nm的ZnO纳米线.通过X射线衍射、光电子能谱、扫描电镜、透射电镜对其微结构特征进行了深入的研究.结果表明ZnO纳米线的生长机理不同于传统的气-固(Vapor-Solid,VS)生长模式,是典型的自催化气-液-固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)生长模式,且反应过程中最初形成的液态纳米颗粒在ZnO纳米线的生长过程中起催化剂作用.荧光光谱表明ZnO纳米线中氧空位缺陷密度大,因而具有强可见光发射.     

Ru/CeO2/Al2O3湿式氧化催化剂处理苯酚配水的研究

以γ-AlO3作为载体、RuO2作为活性成分、CeO2作为助催化剂,用分步浸渍的方法制备出Ru/CeO2/Al2O3三元复合氧化物催化剂.在高温(270℃)、高压(5.5MPa)、反应时间为30min的条件下,对苯酚配水的湿式催化氧化进行了研究.结果表明,所有配比的催化剂对苯酚的降解率均达到了80%以上,其中RuCeO2Al2O3=0.66100(重量比)的催化剂的催化效果最佳,苯酚的去除率达到了96.1%.     

溶胶-凝胶模板法合成PbTiO3纳米线

采用二次阳极氧化法制备了阳极氧化铝(AAO)模板. 以Pb(CH3COO)2·3H2O和Ti(C4H9O)4为反应物,采用溶胶-凝胶模板法在AAO模板的纳米孔洞中合成出了高度有序的PbTiO3纳米线. 首先,将氧化铝模板浸入PbTiO3溶胶中60 min,然后将此模板于空气气氛中550 ℃煅烧3 h,得PbTiO3纳米线. 用SEM, TEM, ED, XRD 和EDS对纳米线进行了表征. 结果表明,所得PbTiO3纳米线为四方相多晶结构,直径约为70 nm、长度约为10 μm,晶胞参数a=b=3.933 nm,c=4.024 nm.     

MoS2上Cu2 O的担载及催化性能研究

采用两步水热法制备了Cu_2O/MoS_2催化剂,首先,通过水热法获得层状的MoS_2纳米片,然后在MoS_2纳米片上合成Cu_2O纳米颗粒,形成负载型Cu_2O/MoS_2催化剂.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等手段对催化剂的结构进行表征,并以NaBH_4还原对硝基苯酚(4-NP)为探针反应评价其催化性能.研究表明,担载之后,Cu_2O纳米粒子均匀分散在MoS_2载体表面,粒子尺寸明显减少,由此催化NaBH_4还原4-NP的性能也得到了显著改善.     

铈调变锰基钙钛矿化合物的制备及性能研究

通过柠檬酸法制备了La_(1-x)Ce_xMn_(0.6)Fe_(0.4)O_3(x=0-0.5)系列化合物,采用XRD、IR、BET进行了分析和表征。XRD、IR分析表明:铈的调变量对钙钛矿结构有一定的影响,x=0.2时,为单一钙钛矿结构,调变量增大时,为钙钛矿和CeO_2相。比表面测定结果表明:x=0.2时比表面积最大。负载到载体上活性测试结果为x=0.2的催化效果最佳。     

拉网铜板栅阀控密封铅酸蓄电池的研究

采用拉网铜板栅作为阀控密封铅酸蓄电池(VRLA)的负极,组装了“两正三负”式实验电池。研究了拉网铜板栅对负极活性物质转化过程及对VRLA电池放电容量的影响。结果表明:在低倍率放电情况下,拉网铜板栅VRLA电池可以明显提高电池负极的放电容量;通过EIS研究发现,拉网铜板栅负极具有更好的电化学反应活性;SEM检测结果表明,充电状态下,拉网铜板栅电极中海绵铅结晶颗粒小;放电状态下,拉网铜板栅负极的PbSO4结晶颗粒较小。     

亚共晶高硼铁基合金的组织和性能

采用药芯焊丝埋弧堆焊方法制备了亚共晶高硼铁基耐磨合金.借助光学显微镜、X射线衍射、扫描电镜及电子能谱仪等手段,研究其显微组织及形貌,试验结果表明,基体组织由大量胞状铁素体＋少量马氏体组成,硬质相由M2B, M3C, M8(B,C)构成,存在于共晶组织,其中M代表Fe, Cr,V和Mn四种元素.此外,加入一定含量的钛,改变了共晶组织形态并使显微组织显著细化.磨损试验结果表明,当载荷低于34.3 N,高硼铁基合金的磨损失重与载荷成正比,但大于34.3 N时,由于磨粒微切削阻力大于其驱动力,磨损失重反而下降.     

基于显微图像的动物纤维鉴别技术

羊绒与细羊毛的主要辨识依据是两者的表皮鳞片模式.该领域内常用的一项技术是分析纤维的SEM图像,通过鳞片边缘高度来区分两类纤维,但其成本高昂,且有8%的误差.该文提出区分两类纤维的新方法,首先将显微摄像系统获取的纤维图像处理成单像素宽度的二值骨架图,通过该二值骨架图提取纤维鳞片的4个相对形状参数,构建贝叶斯 分类模型.数值实验表明,尽管该模型是基于光学显微镜的,但其分类性能却相似于基于扣描电镜的模型,对羊绒与细羊毛(70S)的正确识别率达到90%.     

Fe掺杂ZnS纳米线的制备及性能研究

利用水热法制备了Fe掺杂ZnS的纳米线．通过X射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDS）、扫描电显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析了Fe掺杂对样品的结构和形貌的影响;利用紫外可见近红外分光光度计（uV-VIS）、共聚焦显微拉曼一荧光光谱仪（PL）和振动样品磁强计（VSM）对样品的光学特性进行表征．结果表明,样品为六角纤锌矿结构,Fe成功掺入ZnS晶格中,形成替位式掺杂．随着Fe掺杂浓度的增加,样品的吸收峰出现蓝移且发光强度逐渐减弱．掺杂后的样品在室温下呈现了铁磁性．     

电沉积液中不同镍锌比对超级电容器正极材料Ni(OH)2电容性能的影响

采用电化学共沉积技术在泡沫镍基体上直接制备掺杂Zn的Ni(OH)2电极,研究了乙醇-水体系下不同镍锌比电沉积溶液制备的电极材料的电容特性。通过XRD、SEM、EDS等测试方法对制备的电极材料进行微结构表征,并用恒流充放电、循环伏安法系统地考察其电化学性能。结果表明:所制备的电极材料为掺杂Zn的α-Ni(OH)2。当镍锌比为1∶0.0075时,循环伏安测试(扫描速率是1mV.s-1)α-Ni(OH)2电极的比电容达1906.09F.g-1。经100次恒流充放电循环后比电容衰减仅0.09%,说明电极材料具有良好的稳定性。在7.5mA.cm-2电流密度下,比电容达313.88F.g-1。     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

晶体中原子排列的高分辨电子显微镜观察

用电子显微镜直接观察晶体中原子排列的成象条件,本文作了概括的理论分析.用实例说明了三种情况:反映晶体结构及缺陷的结构象;在特殊情况下与晶体结构对应的细节可以超过仪器的分辨率的超高分辨象;二元合金中能直接反映原子有序排列的超结构象.     

Cu/MgO界面结构的高分辨电子显微镜研究

利用高分辨透射电子显微镜对内部氧化Cu/Mg合金产生的Cu/MgO界面进行了研究，观察到了一种新的取向关系，这种取向关系不同于通常观察到的两晶胞取向完全一致的简单关系。而且对界面的结构和位错进行了研究，发现两位错线之间的距离与O点阵理论符合得很好。