亚稳态离子的电子碰撞电离截面

利用扭曲波玻恩交换近似方法计算了类氖Ｓｉ＾４＋离子的基态和亚稳态的电子碰撞直接电离截面和激发自电离截面，通过比较，指出了亚稳态离子电离贡献的重要性；在考虑亚稳态离子贡献的情况下，对最近首次给出的Ｓｉ＾４＋离子的电子碰撞电离实验结果给出了合理的解释。     

Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag原子的K壳层电离截面的理论计算

利用修改后的MBELL模型,研究K壳层的相对论效应和离子效应对快电子离子碰撞电离K壳层产生截面的影响;在BELL模型中,引入相对论效应和离子效应,基于相对论效应的K壳层电子离子碰撞电离截面的理论,计算Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag的K壳层电子碰撞电离截面。研究结果表明:考虑到相对论效应和离子效应后,修改后的MBELL的K壳层产生截面的结果明显优于BELL的计算结果和其他半经验公式的计算结果,其计算结果可用来模拟K壳层激光等离子体的超热电子能谱和产额,且可为一些电子仪器的制造提供精确的碰撞电离参数。     

类氖W64+离子基态双电子复合过程的细致能级计算

本文使用相对论组态相互作用方法计算了0.1E₁≤kT_e≤10E₁（E₁是类钠钨离子的第一电离能E₁=7129.5 eV）温度范围内类氖W⁶⁴⁺离子基态双电子复合（DR）速率系数.类氖W⁶⁴⁺离子基态DR过程需要考虑（2s2p）⁷3ln′l′,（2s2p）⁷4l4l′以及（2s2p）⁷4l5l′双激发自电离组态.对于（2s2p）⁷3ln′l′双激发自电离组态,轨道角量子数l′>8的（2s2p）⁷3ln′l′组态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计;（2s2p）⁷3ln′l′组态双电子激发自电离态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足n′^-3组态-组态外推法.对细致计算得到的类氖W⁶⁴离子基态DR总速率系数进行了拟合,得到W⁶⁴⁺离子基态在0.1E₁≤kT_e≤10E₁温度范围内的总DR速率系数随电子温度变化的经验公式.     

类锂离子C~（3＋）的电子碰撞电离

采用扭曲库仑波函数描述碰撞电子，用Ｒ－矩阵密耦波函数处理被电离电子与剩余离子构成的系统初末态，在库仑－玻恩各级近似下计算类理离子Ｃ￣（３＋）的电子碰撞电离截面及相应速率系数。所得结果与Ｊａｋｕｂｏｗｉｃｚ的结果相一致。     

电弧阴极区性质的研究

采用一维非平衡等离子体模型讨论了阴极区的等离子体性质 ,阴极区被分为电离区和空间电荷区 .数值计算结果表明 :在电离区 ,电子的能量由焦耳热提供 ,而离子的能量主要通过离子电子碰撞获得 ,空间电荷区的电位降约为 5 .4V .     

胆甾相液晶的质谱研究——Ⅰ.EI、FD和CI质谱的比较

研究了胆甾醇酯类和胆甾醇卤代物的电子轰击电离(EI)、场解吸电离(FD)、化学电离(CI)的质谱。结果表明:胆甾醇酯的EI质谱裂解途径主要由甾环决定,各化合物谱图之间几乎无差别;FD质谱能提供清晰的分子量信息和表征甾环结构的碎片离子峰(m/e 369);CI质谱除了具有FD质谱特征外,大部分还能提供RCOOH结构信息。三种质谱并用,能有效地测试液晶化合物。     

电子碰撞K壳层电离截面的理论研究

基于相对论的电子离子碰撞的K壳层的电离截面理论,计算了原子C、Al、Ca、Ti、Cu、Ge、Mo、Ag、Au、Pb电子离子碰撞电离截面,并分析了其随入射电子能量和电子温度的变化趋势,所得的计算结果和其它理论值和近期的文献实验数值进行了比较,计算结果可为Kα光子产额与超热电子数额和能量模拟提供原子参数.     

Co~(16+)离子电子碰撞L层电子电离布居Co~(17+)离子激发能级的速率系数

在库仑-玻恩交换近似下,使用由我们改善了的Sampson的Z标度类氢模型及Grant的多组态Dirac-Fock(MCDF)程序包,计及了高荷电靶离子的相对论效应,计算了元素Co的类Na离子L层电子碰撞电离产生的类NeCo离子n=3激发能级布居的速率系数,所得结果比采用原始的Sampson方法计算的结果降低了25％左右。     

类氖氙离子基态的双电子复合过程研究

使用相对论组态相互作用方法计算了电子温度在0.01EI≤kTe≤10EI(EI=3332eV,是类钠Xe43+离子的第一电离能)范围内基态类氖Xe44+离子的双电子复合(DR)速率系数。对类氖Xe44+离子基态DR过程贡献最大的是(2s2p)73ln′l′双激发自电离组态,对总DR速率系数的贡献略大于90％,其中最主要的贡献来自(2s2p)73l3l′,(2s2p)73l4l′组态,占总速率系数的70％以上。对于通过(2s2p)73ln′l′类钠氙离子双激发自电离组态的双电子复合过程,l′>8的贡献可以忽略,n′>12的贡献满足n′-3组态-组态外推法则。     

基于光电子成像技术的碘甲烷多光子电离行为

利用飞秒光电子成像技术研究了碘甲烷在超短激光脉冲场中的多光子电离解离行为.实验获得了碘甲烷分子在400 nm飞秒激光作用下的飞行时间质谱以及电离产生的光电子影像.实验结果表明,在超短脉冲激光场中,分子的电离通常是非共振电离,电离产物主要为母体离子和极少量的碎片离子.从光电子成像中获得的光电子平动能分布可以得到电离产生的电子p_1(2. 03 eV)和p_2(2. 67 eV)分别来源于母体离子的基态和激发态.从光电子成像中获得的角度分布可以推测出,光电子峰p_1和p_2可以分别近似看做单光子电离和双光子电离过程,且光电子散射角度趋于各向同性分布.     

电离势,电子亲和势,电负性与酸碱软硬度

本文用Lewis酸的平均电离势对其电负性作图;用Lewis碱的第一电子亲和势对其电负性作图,得出分类软酸、硬酸和软碱、硬碱的两个方程: H_A=∑I_n/n-3.1x 2.6 (1) H_B=A 3.51x-7.24 (2)运用(1)式计算了113种酸的硬度值,用(2)式计算了59种碱的硬度值。突破了复杂酸碱的标度问题。结果与Dearson根据实验所总结的分类一致,与Ahrland和Klopman结果相比较大致呈线性关系。     

电子轰击核靶原子K壳层电离截面的一种计算

介绍了利用电子轰击核靶原子K壳层电离截面的一种计算方法。文中给出了镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)等核靶的计算结果,并与质子轰击的情况做了比较,最后进行了简要讨论。     

烷川九羰基三钴簇合物的正负化学电离质谱研究

报道(μ_3-CR)CO_3(CO)_(R=CH_3,C_4H_5,H.Cl)的Ar-NCl、CF_2Cl_2-NCl和CH_4-PCl质谱,在气相中,这些簇合物发生离解的电子附着、Cl~-亲核加成和质子化反应,分别生成[RCCo,(CO)_]~-、[RCCo_3(CO)_Cl]~-和[RCCo_3(CO)_2H]~+,随后连续脱CO;此外,ClCCo_3(CO)_易被质子提取Cl~-、而HCCo_3(CO)_,也可被Cl~-提取质子,在CH_4/痕量H_2O-PCl条件下,还生成[RCCo_3(CO)_2H(H_2O]~+(X≤9),讨论了上述各反应过程,确认R基团电子效应的传递对离子稳定性的影响。     

一种获得分子电离截面和共振态无辐射弛豫速率的方法

利用动力学速率方程,得到了一种获得分子三能级系统的电离截面δ_m~′和无辐射弛豫速率γ的新方法.     

铝—K壳层电离截面的测量

叙述了质子轰击铝靶原子K壳层电离截面的测量。文中给出了实验原理、方法和结果,并与计算做了比较,还进行了讨论。     

氧等离子体平均离化度随温度、密度的变化关系

氧等离子体是星际物质的重要组分,其平均离化度是离化平衡的重要标志.对平均离化度和离子的分数分布与温度、密度间关系的研究在等离子体的温度诊断中起着重要作用.本文研究了温度在15~1 000eV内,密度在0.001~1g/cm3范围内的氧等离子体的离子分数分布和平均离化度,分析了氧等离子体平均离化度随等离子体温度、密度的变化趋势.     

中子管离子源脉冲工作特性的研究

利用实验方法研究了中子管离子源的电离特性,其中包括电离时间的延迟特性;不同气压下电离电流和脉冲电压幅值的关系;不同气压下电离脉宽和脉冲电压幅值的关系;气压和加热电流的关系,并对实验曲线进行了分析,确定了Ｃ／Ｏ测井中选择气压和阳极电压参数的原则和方法。     

高Z高剥离态离子基态电离能的计算

用改进的屏蔽氢离子模型计算高Ｚ高剥离态离子的基态电离能,给出了部分高Ｚ高剥离态离子基态电离基的计算数据。     

激光电离空气的多元过程及其应用

论述了由大功率激光器引发的空气电离多元过程。阐明多光子电离和串级电离在空气激光电离中的地位及空气电离对激光阈值的要求。在此基础上，对激光电离空气在激光致僵武器中的应用和研制激光致僵武器的可行性作出阐述。     

原子体系中电离能与坐标和动量期望值的关系

 通过Guevarn和Sargar等人建立的信息熵与电离能的关系,应用信息熵与坐标和动量期望值的关系,确定了原子体系第一电离能与坐标和动量期望值的定量关系,并得到了与实验值较吻合的计算结果.