自激网络的两种振荡波形

本文以RC桥式振荡器为例,说明不稳定网络自激响应的一般形式为复频率波e~((σ_i+jω_i)t).正弦振荡和脉冲边沿都是自激复频率波的特定情形.同一个自激网络,只要改变元件参数,可以产生两种不同的振荡波形.并且说明,正弦振荡器在起振时相位没有平衡;而满足相位和幅值平衡条件的网络,有时也不能建立正弦振荡.     

铁磁共振实验微波源的改进

用体效应二极管振荡器可工反射式速调管荡器作铁磁共振实验的微啵源。在雷达和微波通讯中，体效 二极管振荡器已用作本振源和发射源。     

相位平衡条件在负反馈放大器的自激与振荡器中的表述

相位平衡条件在负反馈放大器的自激与振荡器中，具有不同的描述形式，但本质上它们是类同或一致的，即均是正反馈。本文分析了自激与振荡器相位平衡条件之不同表式的成因，并给出了一致表述的处理方法。     

自激脉冲空化射流装置的冲蚀效果

运用正交实验方法,研究了自激脉冲空化水射流喷嘴装置的结构参数(腔室直径和下游喷嘴长度)对冲蚀效果的影响。在此基础上作者选用较优参数组合的自激喷嘴装置与传统用13°锥角喷嘴进行了对比冲蚀实验,研究了自激脉冲空化水射流的体积冲蚀速度随靶距和泵压的变化规律。     

微波对食品微生物的非热生物效应与微波杀菌技术

微波杀菌技术快速、高效、安全、保鲜,广泛应用于食品工业.微波对食品微生物具有热效应和非热生物效应,但其机理尤其是微波非热生物效应的机理,至今还不十分清楚.重点探讨了微波的非热生物效应,并结合微波杀菌的特点,提出今后的主要研究方向仍是微波非热生物效应的机理及脉冲微波杀菌技术.     

几种典型非线性振荡器的自激响应

应用等效变频激励的概念,用主谐波迭代的方法,对几种典型的非线性振荡器(包括Vanderpol振荡器)进行分析和计算,求出了自激响应的表达式,与其它方法相比,求解过程清晰,谐波丰富,精度高,幅度和频率同时求出,收敛快,且适合计算机编程计算.     

连轧管机的自激振动分析

无缝钢管的轧制变形区作为轧制过程的工作界面,其动力学特性对连轧管机的轧制振动有决定性影响.分析了动态情况下轧制界面上的界面摩擦、轧制变形规律、轧辊运动等行为机理及其耦合特性,建立了轧制界面的动力学模型,通过模型研究轧制工艺参数与轧制力能参数的关系,分析了连轧管机的自激振动发生的原因,并用数值模拟方法分析了在不同轧制条件下的轧制变形区的工艺参数与连轧管机的自激振动关系,为解释连轧管机的自激振动机理提供理论基础.     

无线电引信自差机状态灵敏度与谐波分量的关系

本文根据振荡器频率稳定性理论,在回路上谐波分量不能忽略的条件下,推导出自差机状态灵敏度的计算公式。这个公式既考虑了高次谐波的影响,又便于实际测量和计算。最后,对某自差机进行了测试分析。得出的结论对设计自差机有一定的参考价值。     

双激振式动压机的自同步分析

研究激振电机的特性 ,特别是两台质径积相等的激振电机在动压机上实现自同步运转的动态特性 ,将有助于实现其最佳性能并推广应用于更广泛的领域 .通过动力学分析建立了新型钻井液动压分离机力学模型 ,运用Hamilton原理得出了双激振电机驱动有约束动压机自同步条件和同步稳定运转条件     

微波接收前端高功率微波效应实验研究

高功率微波可通过雷达、电子战装备的天线进入装备内部,这种方式耦合能力强、峰值幅度大,容易造成装备电磁干扰或损伤.因此,有必要开展高功率微波对电子设备的作用效应和防护研究.针对设备级高功率微波效应研究较少的现状,以某X波段微波接收前端为对象,采用注入法开展高功率微波损伤效应实验,获取了效应现象和数据.结果显示,无限幅器保护时,注入微波的峰值功率达到48.8 dBm,单个脉冲就能损伤微波接收前端的低噪声放大器;采用限幅器防护后,注入微波的峰值功率需增加到60.7 dBm,脉冲数增加到100个才能实现微波接收前端的损伤.实验表明,能量沉积是进行损伤的必要条件,通过高峰值功率短脉冲或长脉宽脉冲串,高功率微波都可以对电子设备中的敏感器件造成损伤,综合运用峰值功率、脉宽和脉冲数等参数可增强高功率微波作用效应.在此基础上,还分析了典型参数高功率微波武器对电子设备的作用距离、作用规律,可为武器装备高功率微波效应评估和防护设计提供参考.     

相对论返波管慢波结构的优化设计和数值模拟

以环形电子束驱动的、正弦型周期慢波结构的相对论返波管(RBW O)为基础,设计了一种新型慢波结构的RBW O。采用数值模拟的方法对RBW O慢波结构的起始端和末端进行了优化设计,对微波工作频率进行了预测。在磁场为2.5T、二极管电压为710 kV、电流为10 kA的条件下,获得了频率为7.5GH z、微波功率为1.21GW、转换效率为26.6%的微波输出。研究结果表明这种慢波结构相对原结构在微波输出功率和转换效率上都有很大提高,微波工作频率与预测相符合。     

C波段程控移相器的研制

程控移相器广泛应用于微波系统中,在导弹仿真系统中应用尤为广泛,它的准确性、延迟性直接关系到整个导弹仿真系统的仿真结果,C波段程控移相器就是为此目的而设计的。程控移相器用程序控制移相器的偏置电路,运行程序可迅速地得到所需的相度数。移相器设计时注意了线性度的补偿。测试结果表明,该移相器比普通电控移相器延迟小,准确度高,线性良好。     

外加偏压情况下三元准周期超晶格的高能态电子隧穿性质

本文应用Airy函数和散射矩阵方法研究了外加偏压对三元准周期超晶格高能态电子隧穿性质的影响. 结果表明, 不同外加偏压下,高能态电子透射率谱在一定范围内有显著的变化. 随着偏压的增大,透射峰位置向低能量区域移动.     

雪崩光电二极管数控偏压源的设计

为保证雪崩光电二极管(APD)在温度变化的情况下始终处于最佳工作状态,人们研究了多种偏压控制方案。针对传统的偏压控制存在的缺陷,文章从APD的倍增机理出发,分析了温度对雪崩增益的影响,得到偏压与温度的特性曲线。基于偏压的虚警控制原理,利用单片机便于数据处理和存储的特点,设计了一个自动跟踪雪崩管击穿电压的数控偏压电路。该电路能在温度大幅度变化的情况下保证APD正常工作,适合于高频连续信号检测的光电系统。     

大功率太赫兹返波管的数值模拟研究

为了提升传统超高频小功率返波管的工作频率和输出功率,提出了一种过模表面波太赫兹返波管的紧凑结构.其中,慢波系统是在一段过模圆柱波导内壁沿圆周方向平行挖去若干个均匀环形槽构成的,相邻槽间距固定不变.该结构较之传统的单模结构能有效地降低管内电场强度、避免场击穿,提高系统在太赫兹频段的功率容量.采用数值模拟的方法对该慢波系统的结构参数进行了筛选,最终选取波导内半径为2 mm、槽深为0.2 mm、槽宽为0.6 mm、单周期长度为1 mm,共采用17个周期.利用2.5维粒子模拟程序对系统进行了热测实验,在电子注电压为550 kV、电子注电流为350 A的条件下,模拟得到了14.4 MW的峰值功率输出,其能量转换效率达到7.5%,振荡频率高于0.14 THz,时域波形及频谱特性良好.     

多普勒雷达微波发射单元设计

介绍了利用主振放大式雷达发射机来完成多普勒雷达微波发射单元的设计。着重阐述了在多普勒雷达系统中为了满足多功能的要求,并能适应不同的目标环境,采用主振放大式发射机能够得到很高的频率稳定度,并能根据不同情况而自动灵活地选择发射波形。     

集成式压控晶体振荡器的优化设计

提出了一种厚膜集成式的压控石英晶体振荡器（VCXO）的设计方法，通过采用MOSFET的Miller电容取代变容二极管后，VCXO的振荡部分和调频部分可以集成在一个专用芯片中，另外再与外围电路组成厚膜式集成电路，使其体积大大减小，并从应用的角度阐明了集成电路中有关参数的选用，同时提出通过谐振器的频率-负载特性来改善压控线性度，减小相位噪声的途径与技术难点。     

一种低功耗低相位噪声的压控振荡器设计

就压控振荡器设计中如何实现低功耗和低相位噪声的问题,提出了一种改进型自开关偏置设计方法,在减小尾部偏置晶体管闪烁噪声的同时,抑制了负阻管1/f噪声的变频转化,有效地改善了带内相位噪声;同时采用线性区偏置和电流复用,实现低电源电压供电和低功耗,电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现。通过对线性度、噪声和功耗的仿真测试,结果显示了设计的正确性。     

高质透明ZnO/金刚石异质结的制备

介绍一种高质透明异质结的表征与制备方法. 该异质结首先在金刚石单晶表面制备出p型金刚石单晶薄膜, 然后在其上制备高取向ZnO薄膜, 构成n型区. 系统测试结果表明, 当p\|n结正向偏压达到2.5 V时, 电流密度为109 A/m2, 启动电压为0.72 V, 与期待值一致. 良好的整流特性以及在可见光范围内的透明特性在该元件中得以实现.      

基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型

提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N~+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求解漂移区电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响.仿真结果表明,与埋层LDMOS相比,SB LDMOS击穿电压提高63%.