Penning阱中离子谱的优化

根据Penning阱存储离子的探测原理，系统分析了阱内离子信号及信号本身的噪声、实验仪器及探测电路的噪声干扰，采用适当的品质因数、电子束流和载波振幅,得到较高信噪比和分辨率的离子谱。为深入开展Hn+(n≥3)离子的形成机制、离子与中性气体原子或分子碰撞过程等问题的研究创造了更好的条件。     

Penning阱中探测灵敏度与品质因数关系的定量分析

根据Penning阱探测离子的原理,对探测灵敏度与品质因数的定量关系进行了分析,得出了离子谱探测灵敏度与品质因数的平方成正比关系.     

Penning阱离子谱分辨率的优化

根据Penning阱中存储和探测离子的原理,研究改善离子谱分辨率的有效措施,发现离子谱的分辨率与LC振荡回路的Q值、阱中离子的密度及LC回路的谐振频率有关.在本实验中,采用谐振频率为480kHz的LC回路,当Q在120左右,电子束流在40μA左右时,得到了较高分辨率的离子谱,为深入开展H+n (n≥3)离子的形成机制等问题的研究创造了更好的条件.     

利用离子阱制备与测量量子态

介绍了利用离子阱制备与测量量子态,实现量子计算机系统的基本工作原理,讨论离子阱量子计算机的优缺点,及面临的挑战.     

射频离子阱中的N^＋2的贮存

详细阐述射频离子阱的工作原理，在贮存离子的实验过程中我们观察到了Ｎ＾＋２的吸收信号，并且发现种离子吸收信号向锯齿波减小的方向漂移，当信号漂移到一定位置，突然消失，这种现象可由空间电荷效应来解释。     

离子存储、冷却及在量子频标中的应用

首先回顾了量子频标中离子存储和冷却的基本原理,介绍了用分子动力学计算得到的十二极阱中离子的分布和加热速率的结果.然后在此结果基础上,计算了十二极阱射频加热效应和离子微运动对频标造成的影响.相比传统的四极阱,一方面十二极阱可以降低离子云的加热速率,有利于利用Ramsey脉冲进一步压窄离子谱线线宽;另外,十二极阱内势场中部平坦边缘陡峭,可有效降低离子微运动带来的二级多普勒效应,有利于提高离子频标的准确度和稳定性.该文还介绍了美国JPL实验室高稳定性、高准确度、199Hg+离子钟的工作,以及我们正在开展的基于多极阱中激光冷却的113Cd+离子的高稳定性量子频标的工作.     

Penning阱中品质因数的提高

在Penning阱中提高品质因数对得到较高探测灵敏度和分辨率的离子谱有重要意义,本文对提高品质因数的可行性进行了分析,找到了提高品质因数的方案．     

Penning阱中离子运动及存储条件的研究

根据在实验中所采用的Penning离子阱结构及电磁场分布特点，列出阱内离子运动方程并进行求解，对其中各种运动进行详细分析，本文还分析了离子的存储条件.最后对所作的研究进行总结，得到如下结论：阱中离子的运动为简谐振动、回旋运动和漂移运动的叠加，这3种运动是稳定的.     

Penning阱中移动峰图像分析及高分辨率探测方案设计

在用Penning阱探测团簇离子的过程中发现了移动峰.通过分析移动峰,发现V-B2图像并不是一条通过原点的直线,而是在B2轴上有截距.经分析,截距是由离子阱的结构与理想离子阱的结构有偏差引起的,最后对引起截距的因素进行定量分析,求出了结构修正系数.还利用该机制设计出具有高分辨率的探测存储离子的新方法.     

铟离子5s21S0-5s5p3P0参考用跃迁频率的精密测量

报道了建立铟单离子(¹¹⁵In⁺)光频标实验系统的实验进展。单个离子囚禁在Paul-Straubel型离子阱中,利用激光边带冷却技术将其冷却至最低振动能态。为了探测和测量铟离子参考用跃迁5s²¹S₀-5s5p³P₀的频率,使用一台Hz量级超窄线宽激光作为探测激光,用以获得量子跳跃信号。用一台以商用铯原子钟为基准的飞秒光频梳作为测量工具,对其频率进行了20次的精密测量,相对不确定度为5.0×10^-14。     

φ16cm宽束离子源的设计

本文介绍了一种口径为φ１６ｃｍ的宽束离子源的设计．该源采用了多极场型放电室，结构紧凑合理，便于清洁维修以及更换离子引出系统．使用二栅引出系统时，可获得５０～１５００ｅＶ的离子束．距源１０ｃｍ处，５００ｅＶ的氩离子束的束流密度可达０．９５ｍＡ／ｃｍ２，且±８％均匀性的均匀区域达φ１４ｃｍ．     

配离子与表面增强拉曼散射

分析了银－分子系统的活位和配离子的性质．结果表明，配离子的性质对表面增强拉曼散射具有重要影响．即给银－碱性分子系统或银－酸性分子系统加入Ｃｌ－，Ｂｒ－，Ｉ－等负离子时，ＳＥＲＳ信号分别增强或减弱．     

Simulation methods of ion sheath dynamics in plasma source ion implantation

Progress of the theoretical studies on the ion sheath dynamics in plasma source ion implantation (PSII) is reviewed in this paper. Several models for simulating the ion sheath dynamics in PSII are provided. The main problem of nonuniform ion implantation on the target in PSII is discussed by analyzing some calculated results. In addition,based on the relative researches in our laboratory, some calculated results of the ion sheath dynamics in PSII for inner surface modification of a cylindrical bore are presented. Finally, new ideas and tendency for future researches on ion sheath dynamics in PSII are proposed.     

碘的催化氧化动力学实验研究

用准级数和开始反应速率方法进行过氧化氢催化氧化碘离子动力学研究。实验发现：在反应控制的条件下,磷酸水溶液中碘离子的氧化反应总体表现为一级反应;磷酸与硫酸的混合溶液中碘离子的氧化反应总体表现呈现零级反应。分析了硫酸对该氧化反应的催化机理,以及氢离子浓度对该反应的影响。     

全离子注入锗光电晶体管的研制

采用锗材料研制出了工作在 1.55μm波长的全离子注入光电晶体管 .选用 (12 0 keV ,2 .5× 10 12 cm- 2 ) +(2 6 0keV ,5× 10 12 cm- 2 )的硼注入和 16 0keV ,5× 10 14 cm- 2 磷注入 ,6 50℃ 15s快速退火 ;采用聚酰亚胺作为钝化膜以及台面结构 .NPNGe光电三极管的hFE=4 0～ 180 .在波长为 1.55μm、功率为 0 .7μW的光照下得到了 4 0 A·W- 1的响应度     

离子注入对玻璃材料的改性

简要地评述了离子注入对玻璃风化、化学稳定性、晶化和非线性光学性质的影响。指出采用离子注入法，在不影响磷酸盐玻璃重要性质的前提下，提高其化学稳定性；锂硅酸盐玻璃在注入Ｎｄ＾＋后，可提高玻璃的耐水性。强调指出离子注入在玻璃改性上有着广泛的应用前景。     

试论数学的抽象性

论述了数学抽象性是数学的特点之一，并概述了数学抽象的模式及思维机制。     

氩离子等离子体源离子注入的数值模拟

应用PIC-MCC方法模拟了氩离子等离子体源离子注入过程,考虑了离子与中性粒子的电荷交换碰撞和弹性散射,模拟了不同电压、不同气压及不同等离子体密度下氩离子到达靶表面的能量分布和入射角分布,讨论了碰撞对能量分布和入射角分布的影响.     

对类氢离子能量的修正

文章讨论了考虑核体积、核质量、电子质量以后对类氢离子能量的修正，并给出了考虑核体积后对类氢离子能量的一级修正公式。     

0.2μm聚焦离子束系统中电源稳定度的研究

为了在所研制的二级透镜聚焦离子束系统中获得直径小于０．２μｍ的稳定束斑，并进行亚微米微细加工，分析了影响束斑大小及稳定性的因素，并着重从像差、散焦和漂移的角度，利用理论分析和模拟计算，研究了决定系统光学性能的离子源、离子引出极、预聚焦极、聚焦极所用高压电源及电对中、消像散透镜、偏转器所用低压电源的稳定度对离子束径的影响，得到了束直径小于０．２μｍ时电源必须达到的稳定度，即高压电源的纹波系数１×１０－４～１×１０－５，低压电源的纹波系数６×１０－４～１×１０－４。