多孔硅的制备和光致发光

用阳极氧化方法制备了多孔硅样品，研究了样品在室温下受温下受紫外光（３５５ｎｍ）激发的发光特性，发现着阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加，发光峰呈蓝移，用ＫＯＨ溶液和水对多孔硅处理，发光光谱有明显变化，解释了有关发光现象。     

用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究

在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳     

In1—xGaxAs／InP多量子阱结构的LP—MOVPE生长

本文报导在低温，低压下，以三甲基镓（TMG），三乙基铟（TEI）为Ⅲ族源材料，100％砷烷（AsH3),100%磷烷（PH3）为V族源材料，用金属有机化合物气相沉积技术在（100)InP衬底上生长出In1-GaxAs/InP多量子阱结构材料，X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰，光致光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺雨效应而导致的PL谱。     

量子交换余模代数与相对Hopf模范畴

拟三角Ｈｏｐｆ代数Ｈ的（左）模范畴ＨＭ与辫化Ｈｏｐｆ代数Ｈ‘的（右）余模范畴ＭＨ’都是辫化单式范畴，考虑其中的量子交换代数Ａ。Ｍ．Ｃｏｈｅｎ等证明相应Ｓｍａｓｈ积代数Ａ＃Ｈ的模范畴Ａ＃Ｍ是一个单式范畴，本文考虑一种对偶情形，设Ａ是Ｈ‘－交换代数，则（Ａ，Ｈ’）－Ｈｏｐｆ模范畴是单式范畴。     

用HF—醇溶液法制备多孔硅的新方法

本文采用HF－醇溶液法制备了多孔硅，实验表明，它提高了多孔硅中的游离氟离子浓度，改善了电解液与硅片的润湿性，有利于形成均匀的多孔硅，在非光照条件下，可制成N型多孔硅。     

半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理。     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理.     

优化量子MonteCarlo计算中的波函数

提出了一个优化量子ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ波函数的新方法，与前人的方法相比，它不使用变分原理而是极小化薛定谔方程的剩余量；不按ψ＾２取样而是按ψ＾２（ＥＬ－Ｅ）＾２取样不用差分而是用分析导数，不使用系统的速降法而是使用一个步长自动调节的下降法，它具有拟牛顿性质，因而是超线性收敛的，Ｈ２Ｏ，ＣＨ４和Ｆ２分子的检验结果表明，本文提出了的这一优化量子ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ波函数的新方法是非常成功的。     

新型微结构光纤分布式声波传感技术及应用

介绍了一种新型分布式微结构光纤及微结构光纤分布式声波传感技术.通过在普通通信光纤的纤芯采用精密光刻技术连续制备纵向微结构散射单元，形成一种新型分布式微结构光纤（distributed microstructure optical fber，DMOF）.基于这种DMOF研制的微结构光纤分布式声波传感系统（microstructure fber distributed acoustic sensor，MF-DAS），采用微结构光散射增强，MF-DAS传感信号的信噪比得到大幅提升；通过微结构光纤链路均衡，大幅度降低MF-DAS近远端传感信号差值；提出微结构光时域反射（microstructure opticaltime domain reflection，M-OTDR）时隙分插复用扩频，显著增大了分布式声波探测频响带宽.这种新型的MF-DAS系统具备高灵敏、大尺度、宽频响等优越性能，在地下及水下声波信息获取、重大基础设施内部损伤探测与外部侵害安全监测等领域具有十分广阔的应用前景.     

聚酰亚胺（PI）LB膜中长链单轴取向排列的AFM研究

采用ＡＦＭ来研究聚酰亚胺（ＰＩ）Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｏｌｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜中长链取向排列的技术条件。首先获得了清晰的，稳定性很好的ＰＩ ＬＢ单／双层膜的ＡＦＭ图像，并对ＰＩＬＢ膜中分子水平的微结构进行了分析，随后比较了形成ＰＩＬＢ膜的两种亚胺化工艺，即溶液亚胺化方法和热亚胺化方法对大面积内分子取向排列的影响，为进一步改善工艺条件以尽早将其投入实用奠定了初步基础。     

Ca8Mg（SiO4）4Cl2中Ce^3＋的光谱与晶体学格位

合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ４：Ｃｅ＾３＋，并对其进行了光普测试。分析了Ｃｅ＾３＋在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体不格位。测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋的发射光谱为一峰为在４１０ｎｍ－４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中的Ｃｅ＾３＋占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ格全。     

科技资讯

<正>具超长可重复相干时间的通量量子比特问世以色列巴伊兰大学物理系暨量子纠缠科学与技术中心迈克尔·斯特恩及其同事基于一种称为超导通量量子比特的不同类型的电路构建超导处理器。在2003年1月发表于《物理评论应用》上的一篇论文中，他们提出了一种控制和制造通量量子比特的新方法，该方法具有前所未有的可重复长相干时间。通量量子比特是一种微米大小的超导环路，其中电流可顺时针或逆时针流动，也可双向量子叠加。与传输子（transmon）量子比特相反，这些通量量子比特是高度非线性的对象，因此可在非常短的时间内以高保真度（即无错误地进行计算的能力）进行操作。     

一种提高多孔硅发光稳定性的有效方法

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的硫钝化处理，傅里叶变换红外谱表明，经处理的样品表面主要是被SiSx和SiOy所覆盖，与未经处理的样品相比，其发光强度增加约3．5倍，PL峰蓝移了40nm，而且在空气条件下存放60d后发光强度没有变化，表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一。     

一种硅基顶发射有机发光器件

本文制作了一种硅基顶发射有机发光器件．采用紫外表面处理的金属银作为阳极;超薄的铝／银作为半透明的复合阴极;4,4′,4″-tris{N,-（3-methylphenyl）-N-phenylamin}triphenylamine（m-MTDATA）作为空穴注入层;N,N′-bis-（1-naphthyl）-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine（NPB）作为空穴传输层;tris（8-hydroxyquinoline）aluminium（Alq）作为发光层．器件在3V下开启,开启亮度为3cd／m^2;在11V达到最大亮度19610cd／m^2;在6V时达到最高效率2．7cd／A．     

杂多阴离子柱撑水滑石类层柱状化合物的合成与表征

以硝酸根型水滑石做交换前驱体，采用离子交换法合成了过滤金属离子三元取代硅钨杂多阴离子柱撑水滑石Ｍ２Ａｌ（ＯＨ）６-ＳｉＷ９Ｚ３（Ｈ２Ｏ）３Ｏ３７（Ｍ＝Ｍｇ＾２， Ｚｎ＾２＋，Ｎｉ＾２＋，Ｚ＝Ｃｕ＾２＋，Ｃｏ＾２＋）。用元素分析，ＸＲＤ，ＩＲ，ＵＶ－ＤＲＳ和ＤＴＡ等手段对产物的组成和结构进行了表征。结果表明，杂多阴离子引入水滑石层间后，水滑石的层间距从０．９２ｎｍ增大到１．４７ｎｍ；提高了支撑材料的热     

背面引线压力／氢离子敏传感器的研究

报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器，设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统，经实际工艺流水制成了样管，初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。     

我国制备出强发光方向性量子点材料

2022年3月28日,中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与其他科研人员合作,在量子点合成过程中引入晶格应力,调控量子点的能级结构,获得了具有强发光方向性的量子点材料,此材料应用在量子点发光二极管(QLED)中有望大幅提升器件的发光效率.这一研究成果日前发表在《科学进展》杂志上.     

新型铝酸锶铕长余辉磷光体

报道铕激活的铝酸锶新型长余辉磷光体．由Ｘ射线粉末衍射法测量，该磷光体为ＳｒＡｌ＿２Ｏ＿４单斜晶体结构．激发光谱与发射光谱的测量表明，其发光属于典型的Ｅｎ￣（２＋）ｄ－ｆ跃迁．经紫外光激发后，其余辉发光可达１０小时以上，余辉衰减呈双曲线型，具有复合发光的特征．热释光谱的测量表明，磷光体中存在电子陷阱能级，而热释光峰值温度分别为３３３°Ｋ及３７８°Ｋ．进一步的实验分析揭示，磷光体中的杂质Ｍｇ加强了杂质陷阱能级，导致了磷光体的长余辉发光．     

沸石的化学组成,结构与色谱参数Vg值之间的变化规律

采用吸附色谱法首次研究了Ｙ型沸石的结构，化学组成与吸附保留值（Ｖｇ）之间的变化规律。实验证明苯和正己烷的Ｖｇ值及其差值ΔＶｇ都与Ｙ型沸石的物化参数硅铝比等之间有良好的线性关系，由Ｖｇ－Ｍ标准曲线可准确判断沸石结构状况，同时能快速准确测算试样的硅铝比等参数。     

哈密顿量含时线性量子系统的双波描述与概率流体的动力学描述

应用双波函数量子理论描述哈密顿量含时线性量子系统，指出传统量子力学对这一量子系统的描述是双波理论描述的统计情况，并且是在对常相对因子取平均的均匀系统中进行物，将这一系统看作是连续介质的概率流体，给出其动力学描述，并以ＳＵ（１，１）线性非自洽量子系统为例进行具体讨论。